1. 全自动匀胶机,江苏
答：得力ab胶耐高温100度，得力AB胶是两液混合硬化胶的别称，一液是本胶，一液是硬化剂，两液相混才能硬化，是不须靠温度来硬应熟成的，所以是常温硬化胶的一种，做模型有时会用到。一般用于工业。
得力AB胶的具有很高的粘接强度，但是也存在一些不足，如固化时间长、手工混合不匀造成固化不良、气味比较重等等不足。有一套快速点胶系统可以解决，这个系统在国外已经普及了，在国内还没有普及，大部分人使用的时候采用传统的方法进行点胶涂胶。
2. 手动匀胶机
甲油胶表干的，可以轻抛一下后再画，表湿的，就用洗啫喱水擦去浮胶后好画些，如果用封层就用磨砂封层，照灯之后，就可以画了。
3. 匀胶机企业
其实，如果胶水的粘稠度可以用于喷的话，我觉得还是用智能喷胶机比较好。不过，如果你又在短时间内不想换设备的话，建议你还是找卖家帮你来调一下，应该是有参数或者是零件没有调好。
4. 匀胶机价格
1、 单晶炉
单晶炉是一种在惰性气体（氮气、氦气为主）环境中，用石墨加热器将多晶硅等多晶材料熔化，用直拉法生长无错位单晶硅的设备。在实际生产单晶硅过程中，它扮演着控制硅晶体的温度和质量的关键作用。
由于单晶直径在生长过程中可受到温度、提拉速度与转速、坩埚跟踪速度、保护气体流速等因素影响，其中生产的温度主要决定能否成晶，而速度将直接影响到晶体的内在质量，而这种影响却只能在单晶拉出后通过检测才能获知，单晶炉主要控制的方面包括晶体直径、硅功率控制、泄漏率和氩气质量等。
2、 气相外延炉
气相外延炉主要是为硅的气相外延生长提供特定的工艺环境，实现在单晶上生长与单晶晶相具有对应关系的薄层晶体。外延生长是指在单晶衬底（基片）上生长一层有一定要求的、与衬底晶向相同的单晶层，犹如原来的晶体向外延伸了一段，为了制造高频大功率器件，需要减小集电极串联电阻，又要求材料能耐高压和大电流，因此需要在低阻值衬底上生长一层薄的高阻外延层。
气相外延炉能够为单晶沉底实现功能化做基础准备，气相外延即化学气相沉积的一种特殊工艺，其生长薄层的晶体结构是单晶衬底的延续，而且与衬底的晶向保持对应的关系。
3、 氧化炉
硅与含有氧化物质的气体，例如水汽和氧气在高温下进行化学反应，而在硅片表面产生一层致密的二氧化硅薄膜，这是硅平面技术中一项重要的工艺。氧化炉的主要功能是为硅等半导体材料进行氧化处理，提供要求的氧化氛围，实现半导体预期设计的氧化处理过程，是半导体加工过程的不可缺少的一个环节。
4、 磁控溅射台
磁控溅射是物理气相沉积的一种，一般的溅射法可被用于制备半导体等材料，且具有设备简单、易于控制、镀膜面积大和附着力强等优点。在硅晶圆生产过程中，通过二极溅射中一个平行于靶表面的封闭磁场，和靶表面上形成的正交电磁场，把二次电子束缚在靶表面特定区域，实现高离子密度和高能量的电离，把靶原子或分子高速率溅射沉积在基片上形成薄膜。
5、 化学机械抛光机
一种进行化学机械研磨的机器，在硅晶圆制造中，随着制程技术的升级、导线与栅极尺寸的缩小，光刻技术对晶圆表面的平坦程度的要求越来越高，IBM公司于1985年发展CMOS产品引入，并在1990年成功应用于64MB的DRAM生产中，1995年以后，CMP技术得到了快速发展，大量应用于半导体产业。
化学机械研磨亦称为化学机械抛光，其原理是化学腐蚀作用和机械去除作用相结合的加工技术，是目前机械加工中唯一可以实现表面全局平坦化的技术。在实际制造中，它主要的作用是通过机械研磨和化学液体溶解“腐蚀”的综合作用，对被研磨体（半导体）进行研磨抛光。
6、 光刻机
又名掩模对准曝光机、曝光系统、光刻系统等，常用的光刻机是掩膜对准光刻，一般的光刻工艺要经历硅片表面清洗烘干、涂底、旋涂光刻胶、软烘、对准曝光、后烘、显影、硬烘、刻蚀等工序。在硅片表面匀胶，然后将掩模版上的图形转移光刻胶上的过程将器件或电路结构临时“复制”到硅片上的过程。
7、 离子注入机
它是高压小型加速器中的一种，应用数量最多。它是由离子源得到所需要的离子，经过加速得到几百千电子伏能量的离子束流，用做半导体材料、大规模集成电路和器件的离子注入，还用于金属材料表面改性和制膜等 。
在进行硅生产工艺里面，需要用到离子注入机对半导体表面附近区域进行掺杂，离子注入机是集成电路制造前工序中的关键设备，离子注入是对半导体表面附近区域进行掺杂的技术目的是改变半导体的载流子浓度和导电类型，离子注入与常规热掺杂工艺相比可对注入剂量角度和深度等方面进行精确的控制，克服了常规工艺的限制，降低了成本和功耗。
8、 引线键合机
它的主要作用是把半导体芯片上的Pad与管脚上的Pad，用导电金属线（金丝）链接起来。引线键合是一种使用细金属线，利用热、压力、超声波能量为使金属引线与基板焊盘紧密焊合，实现芯片与基板间的电气互连和芯片间的信息互通。在理想控制条件下，引线和基板间会发生电子共享或原子的相互扩散，从而使两种金属间实现原子量级上的键合。
9、 晶圆划片机
因为在制造硅晶圆的时候，往往是一整大片的晶圆，需要对它进行划片和处理，这时候晶圆划片机的价值就体现出了。之所以晶圆需要变换尺寸，是为了制作更复杂的集成电路。
10、 晶圆减薄机
在硅晶圆制造中，对晶片的尺寸精度、几何精度、表面洁净度以及表面微晶格结构提出很高要求，因此在几百道工艺流程中，不可采用较薄的晶片，只能采用一定厚度的晶片在工艺过程中传递、流片。晶圆减薄，是在制作集成电路中的晶圆体减小尺寸，为了制作更复杂的集成电路。在集成电路封装前，需要对晶片背面多余的基体材料去除一定的厚度，这一工艺需要的装备就是晶片减薄机。
当然了，在实际的生产过程中，硅晶圆制造需要的设备远远不止这些。之所以光刻机的关注度超越了其它半导体设备，这是由于它的技术难度是最高的，目前仅有荷兰和美国等少数国家拥有核心技术。近年来，国内的企业不断取得突破，在光刻机技术上也取得了不错的成绩，前不久，国产首台超分辨光刻机被研制出来，一时间振奋了国人，随着中国自主研发的技术不断取得进步，未来中国自己生产的晶圆也将不断问世。
5. 全自动压胶机
出现是漏电，漏电了，会导致跳闸，还有就是电压不稳过载，可以先检查接线是否正确，如果没问题的，估计是漏电保护器坏了，解答完毕，希望对你有所帮助。
6. 匀胶机使用
清理表面。铸工胶在使用前，一定要将铸件需要粘的部位用砂纸打磨干净，也可以其他工具进行打磨。如果铸件的伤痕、裂缝较小，难以施胶，那么就可以采取适当扩宽的方法，对裂缝进行适当的处理，可以进行缩孔，并且除去氧化层。对于有些微小渗漏情况，可采取整件处理并施胶的方法，以内涂为佳，（厚度小于1mm）对于处理后的粘接面可用工具将剩余垃圾吹干净，然后用汽油或挥发性有机溶剂（甲苯，丙酮）等清洗，待完全挥发干后施胶。
调制胶水。按照一定的比例将A、B组胶水取出，然后挤在干净的玻璃或者是光滑的纸上，用小棒调匀，多搅拌一些时间，胶水越匀称越好。如果搅拌的胶水不匀就会影响胶水的粘合力，会出现固化胶水变软或者是胶层不固化的现象。
涂抹胶水。在涂抹胶水的时候，要注意对缩孔、气孔的填补，防止气孔中有间隙，在固化后收缩，影响粘合效果。
一般涂胶层应高于被粘物表面1－2mm，另外胶层不宜过厚或过薄，若涂层需较厚时采取一次或多次施胶，当等一次初固后，再涂第二层。粘接工件必须对定位置，防止粘接面错位或涂胶层外溢等现象。对于修补铜、铝铸件，如果担心粘合的胶水，与物体之间有色差，施胶后可以在胶液表面渗少许的铜粉或铝粉，让胶水在固化好后掩盖其颜色。
7. 全自动粘胶机
全自动拉布机 特长：有效解决黏着性材料拉布问题。 无布停机，自动驶回定点。 五分钟自动关机(无使用时)。紧急停止时，已下放布料不会拖拉。 流线外型、降低风阻、减少噪音、减低震动。
PLC触控屏幕操作系统。无张力式拉布作业。 简化操作、提高生产效率、确保质量。标准配备： 黏胶布撕开装置、单拉夹布装置、拉布长度设定记忆装置、拉布机之加减速度计算机控制、槽式自动追踨松布装置、拖布杆、紧急停止装置、自动上升装置、依布宽设定裁刀行走距离、层数计数器、对边装置、切刀装置、卷回装置(卷支布料) 、单侧固定式移动折布器、双拉用固定折布器。
主要装置： 液晶触控装置：简易设定拉布长度、方式、数量、速度及段落。
切刀装置：切刀和主机可以简单地进行拆装，布料切断时可以依布宽设定裁刀行走距离及切断速度。
折布装置：可作单向及往返拉布。
自动布料预松装置：先松布再铺放，消除拉布张力并保持拉布质量的一致性。
电眼自动对边装置：在拉布顺序运作过程中可以正确做到自动对边。
布尾感应器装置：布料拉完时控制主机自动停止运作，并自动驶回固定点。
自动上升装置：可依布料厚度设定上升量，配合拉布。
紧急停止装置：于裁床两侧设有停机用钢索，可随时于裁床任何位置拉动钢索作紧急停机。