二极管的伏安特性?

264 2024-03-06 03:43

一、二极管的伏安特性?

二极管既然是一个PN结,当然具有单向导电性。

Uon称为死区电压,通常硅管的死区电压约为0.5V,锗管约为0.1V。

当外加正向电压低于死区电压时,外电场还不足以克服内电场对扩散运动的阻挡,正向电流几乎为零。

当外加正向电压超过死区电压后,内电场被大大削弱,正向电流增长很快,二极管处于正向导通状态。

导通时二极管的正向压降变化不大,硅管约为0.6~0.8V,锗管约为0.2~0.3V。

温度上升,死区电压和正向压降均相应降低。

UBR称为反向击穿电压,当外加反向电压低于UBR时,二极管处于反向截止区,反向电流几乎为零,但温度上升,反向电流会有增长。

当外加反向电压超过UBR后,反向电流突然增大,二极管失去单向导电性,这种现象称为击穿。

普通二极管被击穿后,由于反向电流很大,一般会造成“热击穿”,不能恢复原来性能,也就是失效了。

二极管的应用范围很广,主要都是利用它的单向导电性,可用于整流、检波、限幅、元件保护以及在数字电路中用作开关元件等。

二、二极管的伏安特性与什么的伏安特性相似?

两者伏安特性大致形态类似但稳压管反向特性更陡直,这预示着在反向状态下稳压管电压的微小变化可引起很大的电流变化,正是这种特性使得稳压管可以胜任稳压工作且可在反向击穿状态下不会损坏。正如上述两者是不能互换的。

稳压二极管是一种特殊的二极管,所以它的伏安特性和普通二极管的伏安特性是相同的。但是在生活中,两者基本上不能互换使用,因为稳压二极管主要是被人们当做稳压器来使用,所以它基本上是工作在反向击穿状态下,普通的二极管工作在反向击穿下的话就坏掉了,所以不能用一般二极管替代稳压二极管。而用稳压二极管来代替一般二极管的话成本又会升高,所以生活中是很少互换使用的。

三、检波二极管的伏安特性?

极管是由半导体材料制成的,带空穴的P(Positive)型半导体和带自由电子的N(Negative)型半导体被制作在同一块硅片上,在它们的交界面上自由电子和空穴由于浓度差发生运动(称之为扩散运动),相互结合失去电性,留下交界面附近的正负离子(这样一个区域称之为耗尽层),形成内部电场和空间电荷区,这种电场又进一步造成了空穴和电子的运动(称之为漂移运动),最终扩散运动和漂移运动达到动态平衡,空间电荷区不再扩大,内部电场保持稳定。

二极管被加上一个与内部电场方向相反的电压(称之为正向导通电压)时,内电场就会被削弱,当外加电场大于内电场时,漂移运动就能源源不断地进行,形成电流,表现出导体的性质。参考《模拟电子技术基础》(童诗白 编)《电子技术基础:模拟部分》(康华光 编)

四、二极管的伏安特性方程?

二级管的伏安特性方程是:

1、伏安特性:二极管的电流与其端电压的关系称为伏安特性。 开启电压Uon:二极管开始导通的临界电压。 击穿电压:U(BR) 反向饱和电流:Is

2.

二极管的电流方程 q:电子的电量 k:玻尔兹曼常数 T:热力学温度 常温:热力学温度300度

五、二极管静态伏安特性?

1、二极管伏安的正向特性,理想的二极管,正向电流和电压成指数关系。 但是实际的二极管,加正向电压的时候,需要克服PN结内电压,所以电压要大于内电压时,才会出现电流。这个最小电压称作开启电压。小于开启电压的区域,叫做死区。 当电压大于开启电压,那么电流成指数关系上升。增加很快,所以二极管上的压降,其实很小,否则由于电流太大,就烧坏了。

2.二极管伏安的反向特性,理想的二极管,不论反向电压多大,反向都无电流。实际的二极管,反向截止时,也是有电流的,这个电流叫做反向饱和电流。在电压没有达到反向击穿电压时,二极管的电流一直等于方向饱和电流。但是当电压大到一定程度,二极管被反向击穿,电流急剧增大。 反向击穿分齐纳击穿和雪崩击穿两种。 有的二极管击穿后撤去反向电压,还能恢复原状态,比如稳压二极管就是工作在反向击穿区的。 有的反向击穿就直接烧坏了。

3、二极管的伏安特性存在4个区:死区电压、正向导通区、反向截止区、反向击穿区。(1)死区电压:通常为,锗管0.2~0.3V,硅管0.5~0.7V;(2)正向导通区:当加正向电压超过死区电压时则导通,该区为正向导通区;(3)反向截止区:加一定反向电压时截止;(4)反向击穿区:当加反向电压大于管子反向承认电压时,击穿。

六、伏安特性?

1.伏安特性,是指一种元件两端所加的电压与通过它的电流之间的关系。例:对于一个电阻来说,它两端的电压U与通过它的电流I是成正比的,那么就是电阻的伏安特性曲线是一条直线。

2.伏安特性曲线图常用纵坐标表示电流、横坐标表示电压U,以此画出的I-U图像叫做导体的伏安特性曲线图。

七、什么是二极管的伏安特性?

正向导电,逆向不导电,也就是说正向理想处理是导线,逆向电阻无穷大,相当于断路

八、不同二极管伏安特性的区别?

◆电阻器指的是一个纯电阻,或者可变电阻,它的伏安特性,或即伏安曲线,是一根线性曲线,即直线,表现了流过电阻R的电流I与电阻两端所加的电压V成正比的数学关系。 ●而二极管的伏安特性是一个非线性伏安曲线,加在它两端的电压较小时,它的电流增长比较缓慢,而当该电压增大时,电流则越来越快地增长,甚至很快将二极管烧穿。同时当施加了反向电压时,电流却几乎不虽电压的增长而增长,到某一电压值时,电流突然剧增,这一电压就叫做二极管的击穿电压。 ●利用二极管伏安特性的非线性,可以控制二极管的电流,也等效于控制了它的等效电阻,在电子线路中不广泛的应用,最典型的就是用其单向导电性将交流电变成直流电。

九、二极管的正向伏安特性分析?

1、二极管伏安的正向特性,理想的二极管,正向电流和电压成指数关系。 但是实际的二极管,加正向电压的时候,需要克服PN结内电压,所以电压要大于内电压时,才会出现电流。

这个最小电压称作开启电压。小于开启电压的区域,叫做死区。 当电压大于开启电压,那么电流成指数关系上升。增加很快,所以二极管上的压降,其实很小,否则由于电流太大,就烧坏了。

2、二极管伏安的反向特性,理想的二极管,不论反向电压多大,反向都无电流。实际的二极管,反向截止时,也是有电流的,这个电流叫做反向饱和电流。在电压没有达到反向击穿电压时,二极管的电流一直等于方向饱和电流。

但是当电压大到一定程度,二极管被反向击穿,电流急剧增大。 反向击穿分齐纳击穿和雪崩击穿两种。 有的二极管击穿后撤去反向电压,还能恢复原状态,比如稳压二极管就是工作在反向击穿区的。 有的反向击穿就直接烧坏了。

3、二极管的伏安特性存在4个区:死区电压、正向导通区、反向截止区、反向击穿区。

(1)死区电压:通常为,锗管0.2~0.3V,硅管0.5~0.7V;

(2)正向导通区:当加正向电压超过死区电压时则导通,该区为正向导通区;

(3)反向截止区:加一定反向电压时截止;

(4)反向击穿区:当加反向电压大于管子反向承认电压时,击穿。

扩展资料:

1、某一个金属导体,在温度没有显著变化时,电阻是不变的,它的伏安特性曲线是通过坐标原点的直线,具有这种伏安特性的电学元件叫做线性元件。因为温度可以决定电阻的大小。

欧姆定律是个实验定律,实验中用的都是金属导体。这个结论对其它导体是否适用,仍然需要实验的检验。实验表明,除金属外,欧姆定律对电解质溶液也适用,但对气态导体(如日光灯管、霓虹灯管中的气体)和半导体元件并不适用。也就是说,在这些情况下电流与电压不成正比,这类电学元件叫做非线性元件。

2、相关概念:

(1)变容二极管:当PN结加反向电压时,Cb明显随u的变化而变化,而制成各种变容二极管。如下图所示。

(2)平衡少子:PN结处于平衡状态时的少子称为平衡少子。

(3)非平衡少子:PN结处于正向偏置时,从P区扩散到N区的空穴和从N区扩散到P区的自由电子均称为非平衡少子。

(4)扩散电容:扩散区内电荷的积累和释放过程与电容器充、放电过程相同,这种电容效应称为Cd。

十、pn结二极管伏安特性?

二极管的伏安特性存在4个区:死区电压、正向导通区、反向截止区、反向击穿区。

(1)死区电压:通常为,锗管0.2~0.3V,硅管0.5~0.7V;

(2)正向导通区:当加正向电压超过死区电压时则导通,该区为正向导通区;

(3)反向截止区:加一定反向电压时截止;

(4)反向击穿区:当加反向电压大于管子反向承认电压时,击穿。

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