光电二极管和发光二极管的区别？

一、光电二极管和发光二极管的区别？

在实际工作中,有时需要区别是红外发光二极管,还是红外光电二极管,或是光电三极管。

二、晶体二极管的发展历史？

50年代美国通用电气公司发明的硅晶闸管的问世，标志着电力电子技术的开端。

到了70年代，晶闸管已经派生了快速晶闸管、逆导晶闸管、双向晶闸管、不对称晶闸管等半控型器件

电力电子器件的功率也越来越大，性能日益完善。

但是由于晶闸管的固有特性，工作频率较低(一般低于400hz)，大大限制了它的应用范围，并且由于其固有的特性，比如关断这些器件，必须要有强迫换相电路，使得整体体积增大、重量增加、效率降低以及可靠性下降。

目前，国内生产的电力电子器件仍以晶闸管为主，其中的一些中低档产品业已成熟，并有相当的批量出口

从70年代后期开始，可关断晶闸管(gto)、电力晶体管(gtr或bjt)及其模块相继实用化。

此后各种高频率的全控型器件不断问世，主要有:

电力场控晶体管(即功率mosfet)、绝缘栅极双极晶体管(igt或igbt)、静电感应晶体管(sit)、静电感应晶闸管(sith)等，这些器件的产生和发展，已经形成了一个新型的全控电力电子器件的大家族。

由于全控型器件可以控制开通和关断，大大提高了开关控制的灵活性。

三、晶体二极管有几个pn结的区别

晶体二极管是一种半导体器件，常用于电路中的整流和检波。它的主要特点是具有单向导电性，即只允许电流在一个方向上流动。晶体二极管通常由p型半导体与n型半导体组成，它们之间的结被称为pn结。那么，晶体二极管有几个pn结的区别呢？

单向导电性

晶体二极管的单向导电性是由其结构决定的。它由p型半导体和n型半导体组成，两者相接形成一个pn结。在正向偏置时，p型半导体的空穴向n型半导体的电子注入，形成少数载流子注入区，而n型半导体的电子向p型半导体的空穴注入，形成多数载流子注入区。这样，少数载流子和多数载流子向pn结的中心区域汇聚，形成电流。

在反向偏置时，p型半导体的空穴向n型半导体的电子注入，形成少数载流子注入区，而n型半导体的电子向p型半导体的空穴注入，形成多数载流子注入区。这样，少数载流子和多数载流子都向pn结的两端移动，形成电场。这个电场会阻碍电流的流动，因此电流不能通过pn结。

这就是晶体二极管的单向导电性。在正向偏置时，电流可以通过晶体二极管，而在反向偏置时，电流不能通过晶体二极管。

工作原理

晶体二极管的工作原理是基于pn结的电子特性。当pn结的两端施加电压时，pn结区的电子和空穴将发生运动，形成电流。在正向偏置时，p区的电子被注入到n区，同时n区的空穴被注入到p区，这样就形成了电流。在反向偏置时，p区的空穴向n区移动，在n区中与电子复合，而n区的电子向p区移动，在p区中与空穴复合，这样就不会形成电流。

晶体二极管的工作原理可以用下图表示：

性能参数

晶体二极管的性能参数包括正向电压降、反向击穿电压、最大正向电流和最大反向电流等。正向电压降是指在正向偏置时，晶体二极管两端的电压降低的值。反向击穿电压是指在反向偏置时，当电压超过一定值时，晶体二极管会发生击穿现象，电流急剧增加。最大正向电流是指在正向偏置时，晶体二极管可以承受的最大电流。最大反向电流是指在反向偏置时，晶体二极管可以承受的最大电流。

这些性能参数对于晶体二极管的应用非常重要。在选择晶体二极管时，需要根据具体的应用场景来选择合适的晶体二极管。例如，在需要高电压的场景下，需要选择反向击穿电压大的晶体二极管。

结论

晶体二极管是一种重要的半导体器件，具有单向导电性和正向导通特性。它的工作原理基于pn结的电子特性，可以用于电路中的整流和检波。选择合适的晶体二极管需要考虑其性能参数，例如正向电压降、反向击穿电压、最大正向电流和最大反向电流等。

四、光电二极管的材料？

光电二极管是将光信号转化为电信号，并通过释放导电载流子，把福射到半导体的光能量转变为电信号的半导体器件。光电二极管主要分为Si光电二极管、雪崩光电二极管、PIN光电二极管、肖特基势垒光电二极管、HgCdTe光伏二极管等。

五、光电二极管的作用？

光电二极管（Photo-Diode）和普通二极管一样，也是由一个PN结组成的半导体器件，也具有单方向导电特性。但在电路中它不是作整流元件，而是把光信号转换成电信号的光电传感器件。

六、光电二极管的符号？

符号vd

光电二极管（Photo-Diode）和普通二极管一样，也是由一个PN结组成的半导体器件，也具有单方向导电特性。但在电路中它不是作整流元件，而是把光信号转换成电信号的光电传感器件。

普通二极管在反向电压作用时处于截止状态，只能流过微弱的反向电流，光电二极管在设计和制作时尽量使PN结的面积相对较大，以便接收入射光。光电二极管是在反向电压作用下工作的，没有光照时，反向电流极其微弱，叫暗电流；有光照时，反向电流迅速增大到几十微安，称为光电流。光的强度越大，反向电流也越大。光的变化引起光电二极管电流变化，这就可以把光信号转换成电信号，成为光电传感器件。

七、光电二极管的选择？

①光电二极管的合理选用:光电二极管的选用主要要考虑运用环境和响应速度的要求,如果要求检测红外光,应选用红外光电二极管;如果要求检测可见光,应选用视觉光电二极管;如果检测较宽范围波长的光,则可考虑普通光电二极管;如果要求响应速度快,则应考虑选择PIN结型光电二极管。

②光电二极管的质量判别:作为简单的检测方法,首先根据外壳上的标记判定极性,外壳表面有色点的引脚或靠近管键的引脚为正极,另一脚为负极。若无标记可用一块黑布遮住接受光线的窗口,将万用表置R×1k挡测出正、负极,同时测出其正向电阻应为10~⒛0kΩ,反向电阻应为无穷大(∞)。然后去掉遮光黑布,光电二极管接受光线的窗口对着光源,此时正、反向电阻值均应变小,变化值越大,说明灵敏度越高。

八、晶体二极管是谁发明的？

继真空管以后，1948年沃尔特•豪泽•布喇顿、约翰•布拉顿和威廉•肖克莱又发明了晶体管。

九、在晶体二极管特性的正向区，晶体二极管相当于什么器件？

单向导通吧，二极管只有一个方向是通的，一个方向电阻很小，一个方向电阻接近无限大。所以二极管最大的特性是单向导通。

十、晶体二极管1N4742和1N4747有什么区别？

电压 电流1N4742 12V 21mA1N4747 20V 12.5mA

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