一、硅二极管的截止条件是
当然是可变的只是变化不大。
教科书是的确说了“硅二极管导通时0.7v，锗二极管导通时0.5v'”，但这也只是一个平均取值，并不是完全不变的，在这个平均取值周围变动。
至于为什么是在这个值周围作平均变化，而不是在那个值周围作变化，这个还是物理学的同学来解答吧。但可以假设一个这样的实验来给题主说明一下这个问题：
1、我们有一个220v的电压源；
2、我们有一个瓦级功率的电力二极管，正常工作时压降只有5V；
3、我们有两个电阻，一个215Ω，另一个100Ω。
实验一，首先使用215Ω的电阻来和电压源、二极管串联，我们可以得到电路参数是这样的：二极管压降5V，电阻压降215V，电流215V/215Ω=1A；
实验二：其次使用100Ω的电阻来和电压源、二极管串联，我们可以得到另一组的电路参数：二极管压降5V，电阻压降215V，电流215V/100Ω=2.15A；
实验三：接着将220V的电压源直接连接在二极管的两端，得到的结果将会是：功率远超二极管能承受的功率，烧坏。
好了，实验做完了，下面搬上来二极管的伏安特性图：
这个管子是个信号二极管，正常工作压降小，我用的功率二极管能承受的电压更高些。
看见右边的正偏特性了吗？这条线上升得非常快，也就是说小范围的电压变化就能有很大的电流波动。所以对于我做的试验中，接215Ω和接100Ω来说，电流相差1.15A，对应的横坐标电压，变化其实很小，都在5V附近，所以直接用5V计算就可以了。
但是当我直接加220V电压时，题主可以对着坐标找找这个电流有多大：直接把管子“啪——”地一下烧了，其实在将烧毁而未烧毁的那一瞬间，管子两端压降是220V而不是5V。
所以我们还可以做一个这样的实验：
有一个滑动变阻器，阻值可以从0到∞之间调节。首先将阻值调至∞端，将其与220V的电压源与这个工作时5V的功率二极管串联，然后我们逐渐把阻值从∞调至0，我们会看到什么呢？
一开始时，电流为0，二极管压降为0；随着阻值调小，到了死区电压时，电流开始增加；阻值在调小时，电流快速增加，而二极管压降增加非常缓慢，但都很接近5V；继续减小阻值，到某个临界值时，电流与二极管压降的乘积到了损耗功率允许的最大值，再稍微减小阻值，此时二极管烧毁。
所以结论是：
只要有合适的电阻给二极管分压限流，二极管的阻值会一直保持在一个工作值附近的，但是不是绝对的压降不变。
二、硅二极管导通后
硅材料二极管的正向导通压降一般为0.5V~1.2V左右，锗材料二极管的正向导通压降一般为0.2V~0.4V左右，但是做不到零伏（理想状态）。
若使用万用表电压档测量二极管的正向导通压降为0V，有可能该二极管已击穿，或者该二极管后端完全悬空（无电流），或者该二极管并联有其它几乎无压降电路造成。
二极管并联有其它电路。当电路板上的二极管并联有其它元器件时，直接在电路板上测量其正向导通压降是有可能为0V的情况。
三、硅二极管导通后两端电压大约为______v
对于一个硅二极管正向电压大于0.5V的时候,就会有正向电流。通常情况下,硅二极管正向电压不会超过0.7V。那如果在这个二极管两端加上10V的电压,那么此时经过电源内阻限流后,电流超过了此二极管所能承受的最大电流,二极管就被烧毁了!不超过二极管的允许最大电流,那么肯定是电源有内阻承担了。
四、硅二极管处于导通
二极管正向导通的条件是：给与正向电压,并且大于二极管的导通电压!0.7V就是硅管的正向导通电压（锗管是约0.3V）,导通后二极管两端的电压基本上保持不变。
1、二极管加外正向电压（外加反向电压不能导通的）。
2、加上的正向电压必须大于二极管的死区电压。二极管的死区电压：外加正向电压时，在正向特性的起始部分，正向电压很小，不足以克服PN结内电场的阻挡作用，正向电流几乎为零，这一段称为死区。这个不能使二极管导通的正向电压称为死区电压。
3、当正向电压大于死区电压以后，PN结内电场被克服，二极管正向导通，电流随电压增大而迅速上升。在正常使用的电流范围内，导通时二极管的端电压几乎维持不变，这个电压称为二极管的正向电压。当二极管两端的正向电压超过一定数值，内电场很快被削弱，特性电流迅速增长，二极管正向导通。
五、硅二极管处于导通状态的条件
给与正向电压,并且大于二极管的导通电压!
0.7V就是硅管的正向导通电压（锗管是约0.3V）,导通后二极管两端的电压基本上保持不变
1、二极管加外正向电压（外加反向电压不能导通的）；
2、加上的正向电压必须大于二极管的死区电压。
二极管的死区电压：
外加正向电压时，在正向特性的起始部分，正向电压很小，不足以克服PN结内电场的阻挡作用，正向电流几乎为零，这一段称为死区。这个不能使二极管导通的正向电压称为死区电压。当正向电压大于死区电压以后，PN结内电场被克服，二极管正向导通，电流随电压增大而迅速上升。在正常使用的电流范围内，导通时二极管的端电压几乎维持不变，这个电压称为二极管的正向电压。当二极管两端的正向电压超过一定数值，内电场很快被削弱，特性电流迅速增长，二极管正向导通。叫做门坎电压或阈值电压，硅管约为0.5V，锗管约为0.1V。硅二极管的正向导通压降约为0.6~0.8V，锗二极管的正向导通压降约为0.2~0.3V。
二极管的工作原理
晶体二极管为一个由p型半导体和n型半导体形成的pn结，在其界面处两侧形成空间电荷层，并建有自建电场。当不存在外加电压时，由于pn结两边载流子浓度差引起的扩散电流和自建电场引起的漂移电流相等而处于电平衡状态。当外界有正向电压偏置时，外界电场和自建电场的互相抑消作用使载流子的扩散电流增加引起了正向电流。当外界有反向电压偏置时，外界电场和自建电场进一步加强，形成在一定反向电压范围内与反向偏置电压值无关的反向饱和电流I0。当外加的反向电压高到一定程度时，pn结空间电荷层中的电场强度达到临界值产生载流子的倍增过程，产生大量电子空穴对，产生了数值很大的反向击穿电流，称为二极管的击穿现象。pn结的反向击穿有齐纳击穿和雪崩击穿之分。硬之城二极管。
六、一般硅二极管的导通电压约为多少v
二极管的导通电压是二极管正向导通后，它的正向压降基本保持不变（硅管为0.7v，锗管为0.3v）。
正向特性：在电子电路中，将二极管的正极接在高电位端，负极接在低电位端，二极管就会导通，这种连接方式，称为正向偏置。必须说明，当加在二极管两端的正向电压很小时，二极管仍然不能导通，流过二极管的正向电流十分微弱。
二极管反向击穿电压一般是工作电压2-3倍。二极管反向击穿时的电压值。击穿时反向电流剧增，二极管的单向导电性被破坏，甚至过热而烧坏。手册上给出的最高反向工作电压VBWM一般是VBR的一半。
稳压管就是利用这一特性！
二极管的导通电压是二极管正向导通的时候，在二极管两端测得的电压，该电压几乎不随正向电流的变化而变化，表现出一定的稳压特性，硅管0.7v左右，锗管0.3v左右。击穿电压是二极管因反向电压过高造成二极管突然产生较大反向电流时电压，也具有稳压特性。
七、硅二极管导通和截止的条件一样吗
二极管正常工作有导通、截止和击穿三种状态。导通的基本条件是正向电压高于起始阈值电压（例如硅二极管是0.7V）；截止的条件是正向电压低于起始阈值电压，或者外加反向电压不超过基击穿电压；击穿的条件是反射电压等于略高于PN结的雪崩击穿电压值（稳压二极管就是工作在击穿状态的）。
二极管截止指的是没有导通，也没有击穿的状态。它的重要特点是电流为0。
八、硅二极管的截止条件是什么
二极管是单向导电器件，其导通条件是在它的两个电极上施以正向电压，所谓正向是压就是在二极管的正极上施加正电压而二极管的负极上必须是对正极为负的电压。二极管对这个“正向电压”是有要求的，就是要能“正”到它能导通的程度它才导通，低于它的导通电压值它也不导通，这个能让它导通的电压就叫门限电压，对于硅管是0.7V，锗管是0.2V。就是硅二极管的正向电压高于0.7V它才导通，锗管高于0.2V时导通。
九、硅二极管的导通压降为( )v
二极管正向导通的条件是：给与正向电压,并且大于二极管的导通电压!0.7V就是硅管的正向导通电压（锗管是约0.3V）,导通后二极管两端的电压基本上保持不变。
1、二极管加外正向电压（外加反向电压不能导通的）。
2、加上的正向电压必须大于二极管的死区电压。二极管的死区电压：外加正向电压时，在正向特性的起始部分，正向电压很小，不足以克服PN结内电场的阻挡作用，正向电流几乎为零，这一段称为死区。这个不能使二极管导通的正向电压称为死区电压。
3、当正向电压大于死区电压以后，PN结内电场被克服，二极管正向导通，电流随电压增大而迅速上升。在正常使用的电流范围内，导通时二极管的端电压几乎维持不变，这个电压称为二极管的正向电压。当二极管两端的正向电压超过一定数值，内电场很快被削弱，特性电流迅速增长，二极管正向导通。