一、硅锗二极管正向压降
在规定的正向电流下,二极管的正向电压降,是二极管能够导通的正向最低电压。
小电流硅二极管的正向压降在中等电流水平下,约0.6~0.8 V;锗二极管约0.2~0.3 V。大功率的硅二极管的正向压降往往达到1V
二、硅锗二极管分别适合什么场合
锗是一种重要的半导体材料,具有多种在电子器件中的应用。以下是锗在半导体上的几种常见应用:
1. 锗晶体管:锗晶体管是早期电子技术中使用的一种晶体管。与硅晶体管相比,锗晶体管对温度更加敏感,但在高频率应用中具有较好的性能。尽管锗晶体管逐渐被硅晶体管取代,但仍然在一些特定领域有应用。
2. 锗红外探测器:锗在红外光谱范围内具有良好的吸收性能,因此常用于红外探测器的制造。锗红外探测器在热成像、红外摄影等领域有广泛应用。
3. 锗光电二极管:锗光电二极管可以将光信号转换为电信号。它们常用于光通信系统、光测量和光谱分析等应用中。
4. 锗太阳能电池:锗太阳能电池是一种利用光电效应将太阳能转化为电能的装置。由于锗具有良好的光吸收能力,锗太阳能电池在高温和高辐射环境下具有优良的性能。
5. 锗传感器:由于锗对于离子辐射(如γ射线)具有敏感性,因此在核工业和医学领域中,锗传感器被用于辐射监测和探测。
需要注意的是,随着硅技术的发展,锗的应用逐渐减少,但在特定的应用领域仍然具有一定的价值。
三、硅锗二极管的死区电压
二极管死区电压应该是0.7Ⅴ
四、硅锗二极管伏安特性曲线图
伏安特性曲线直观地显示了加在二极管两端电压与电流的关系,有了电压与电流的关系曲线那么曲线上任意一点坐标x与y的比值即反映出二极管内阻的变化。
五、硅锗二极管的特性比较
硅材料二极管:导通电压约0.5~0.7V,温度升高后正向压降降低,反向电流增加. 锗材料二极管:导通电压约0.1~0.3V,温度升高后正向压降降低,反向电流增加. 二极管主要功能是其单向导通.有高低频之分,还有快恢复与慢恢复之分,特殊的:娈容二极管,稳压二极管,隧道二极管,发光二极管,激光二极管,光电接收二极管,金属二极管(肖特基),,, 用途:检波,整流,限幅,吸收(继电器驱动电路),逆程二极管(电视行输出中)
六、硅锗二极管伏安特性曲线区别
硅二极管伏安特性曲线工作特点为正向特性、死区特性和反向特性,硅管死区特性导通电压大约为0.7伏,正问特性时硅二极管电流随其两端电压呈指数规律变化。