1. 第三代电力电子器件
新型电力电子。
IGBT芯片是一种新型电力电子器件，广泛应用于电机节能、轨道交通、智能电网、航空航天、家用电器、汽车电子、新能源发电、新能源汽车等领域。从2008年华微电子开始研制第一代IGBT芯片至今，其已研发出四代IGBT芯片，目前正在开发集成电流传感和温度传感的第五代IGBT芯片。
2. 第二代电子器件
第二代计算机是以晶体管为主要元件的数字电子计算机。
第二代电子计算机简介：
第二代电子计算机采用晶体管制造的电子计算机。国外第二代电子计算机的生存期大约是1957-1964年。其软件开始使用面向过程的程序设计语言，如fortran、algol等。中国第一台晶体管计算机于1967年制成，运算速度为每秒五万次。
特点：
（1）采用晶体管
晶体管不仅能实现电子管的功能，又具有尺寸小、重量轻、寿命长、效率高、发热少、功耗低等优点。
（2）出现高级语言中央处理单元
第二代计算机语言仍然是“面向机器”的语言，但它已注定要成为机器语言向更高级语言进化的桥梁。
3. 第三代电力电子器件有哪些
答:第三代半导体利弊:第一代和第三代半导体材料各有利弊，并无绝对的替代关系，而是在特定的应用场景中存在各自的比较优势。通常来说，第三代半导体分为碳化硅和氮化镓两个应用分支。两者都需要碳化硅衬底，继而再进行外延（在衬底上淀积一层单晶）。
不同点在于两者的碳化硅衬底不同，最终的应用方向也不同。氮化镓需要在半绝缘型碳化硅衬底上，淀积氮化镓外延而得到。碳化硅需要在导电型碳化硅衬底上，淀积碳化硅外延而得到。第三代半导体行业目前在全球范围内还处于发展初期阶段。虽然国际巨头在技术和经验方面依旧领先于国内厂商，但是相对于第一代半导体的差距而言，国内和国际巨头公司之间的整体技术差距相对较小。
另外，由于第三代半导体的下游工艺制程具有更高的包容性和宽容度，下游制造环节对设备的要求相对较低，投资额相对较小，制约行业发展的关键在上游材料端（衬底）。
4. 第三代电子元件
计算机发展史分四代： 第一代：电子管计算机。
主要由电子管器件组成，用于科学计算，使用机器语言为主。第二代：晶体管计算机。主要由晶体管元器件组成，可以使用汇编语言。第三代：集成电路计算机。采用了中小规模集成电路作为主要器件，出现了高级语言和操作系统。第四代：大规模和超大规模集成电路计算机。是目前广泛使用的计算机，应用于各种领域现在就属于第四代。
5. 第三代电力电子器件以什么电子元器件为主
第二代电子计算机主要元器件为晶体管 计算机发展历程为：
第一代：电子管数字机，1946年到1958年 第二代：晶体管数字机1958年到1964年 第三代：集成电路数字机1964年到1970年 第四代：大规模集成电路机1970年至今 随着计算机内部元件不断升级，外部存储器也由最初的阴极射线显示管发展到磁芯、磁鼓，一直到现在用的只读光盘。