1. 晶振的匹配电容
负载电容。一般单片机的晶振工作于并联谐振状态，也可以理解为谐振电容的一部分。它是根据晶振厂家提供的晶振要求负载电容选值的，换句话说，晶振的频率就是在它提供的负载电容下测得的，能最大限度的保证频率值的误差。也能保证温漂等误差。
两个电容的取值都是相同的，或者说相差不大，如果相差太大，容易造成谐振的不平衡，容易造成停振或者干脆不起振
2. 晶振的匹配电容怎么选
可以不加电容!但不绝对!有源晶振有时为了改善槽路特性也会附加电容!
3. 晶振的匹配电容怎么算
两个电容和晶振一起构成电容三点式振荡电路，晶振相当于一个电感。
同时，两个电容相当于晶振的负载电容，容值大小影响振荡频率高低。1m电阻本身不是所有电路中都加的，其作用是使电路工作在良好状态。
4. 晶振匹配电容会影响频偏吗
查它的型号手册，有“负载电容”的规范。通常有3种规格：
1、高频晶振，30pF；
2、低频晶振，100pF；
3、串联晶振，无穷大（即不用电容）。根据振荡需要，可以把负载电容分解为几个，例如用100pF串联47pF代替30pF负载电容，可以与晶体管构成电容三点式振荡回路。
5. 32.768khz晶振的匹配电容
负载电容的大小不是固定的，需要晶振的规格要求而定，晶振的规格书都标有负载电容的要求，一定要看清楚规格书，选择匹配的负载电容。假如负载电容要求是12.5pF，晶振两端的电容用20pF~24pF就差不多了
选择负载电容的要注意事项：
选择NPO/G0G材质，温度和高频特性更好
公差当然是尽量选择小的，最好选择2%或者1%的。
6. 晶振的匹配电容计算
25M的工作不稳定，改用12M，电容：pf
7. 晶振的匹配电容与负载电容
并联的1M欧姆的电阻被称作反馈电阻，它为内部的反相器提供直流偏置电压，选值一般为1M欧姆，这没问题。但是，可以查一下单片机内部是否已经包含了这颗电阻，如果已经包含了，则外部就不要再加了。
另外，晶振的负载电容及layout设计需要做好检查，确保没有问题。
最后，常规的检查无效之后，可以配置阻尼电阻Rd来抑制晶振的寄生振荡。
Rd的选值：1/(2*pi *f0*
C2)，f0为晶振频率。
8. 晶振的匹配电容与驱动电阻
1、配合IC内部电路组成负反馈、移相,使放大器工作在线性区
晶振输入输出连接的电阻作用是产生负反馈，保证放大器工作在高增益的线性区，同时起到限流的作用，防止反向器输出对晶振过驱动，损坏晶振。这个电阻是为了使本来为逻辑反相器的器件工作在线性区, 以获得增益, 在饱和区是没有增益的, 而没有增益是无法振荡的. 如果用芯片中的反相器来作振荡, 必须外接这个电阻, 对于CMOS而言可以是1M以上, 对于TTL则比较复杂, 视不同类型(S,LS...)而定. 如果是芯片指定的晶振引脚, 如在某些微处理器中, 常常可以不加, 因为芯片内部已经制作了。
2、晶振串联的电阻常用来预防晶振被过分驱动；
晶振过分驱动的后果是将逐渐损耗减少晶振的接触电镀，这将引起频率的上升，并导致晶振的早期失效，又可以讲drive level调整用。用来调整drive level和发振余裕度。
3、并联降低谐振阻抗,使谐振器易启动；
Xin和Xout的内部一般是一个施密特反相器,反相器是不能驱动晶体震荡的.因此,在反相器的两端并联一个电阻,由电阻完成将输出的信号反向180度反馈到输入端形成负反馈,构成负反馈放大电路.晶体并在电阻上,电阻与晶体的等效阻抗是并联关系,并联降低谐振阻抗,使谐振器易启动；
电阻的作用是将电路内部的反向器加一个反馈回路，形成放大器，当晶体并在其中会使反馈回路的交流等效按照晶体频率谐振，由于晶体的Q值非常高，因此电阻在很大的范围变化都不会影响输出频率。