1. 4mhz晶振
晶振在电路板上用X表示。
晶振一般指晶体振荡器。晶体振荡器是指从一块石英晶体上按一定方位角切下薄片（简称为晶片），石英晶体谐振器，简称为石英晶体或晶体、晶振；而在封装内部添加IC组成振荡电路的晶体元件称为晶体振荡器。其产品一般用金属外壳封装，也有用玻璃壳、陶瓷或塑料封装的。
一、相关应用
1、通用晶体振荡器，用于各种电路中，产生振荡频率。
2、时钟脉冲用石英晶体谐振器，与其它元件配合产生标准脉冲信号，广泛用于数字电路中。
3、微处理器用石英晶体谐振器。
4、CTVVTR用石英晶体谐振器。
5、钟表用石英晶体振荡器。
二、发展趋势
1、小型化、薄片化和片式化：为满足移动电话为代表的便携式产品轻、薄、短小的要求，石英晶体振荡器的封装由传统的裸金属外壳覆塑料金属向陶瓷封装转变。例如TCXO这类器件的体积缩小了30～100倍。采用SMD封装的TCXO厚度不足2mm，目 前 5×3mm尺寸的器件已经上市。
2、高精度与高稳定度，无补偿式晶体振荡器总精度也能达到±25ppm，VCXO的频率稳定度在10～7℃范围内一般可达±20～100ppm，而OCXO在同一温度范围内频率稳定度一般为±0.0001～5ppm，VCXO控制在±25ppm以下。
3、低噪声，高频化，在GPS通信系统中是不允许频率颤抖的，相位噪声是表征振荡器频率颤抖的一个重要参数。OCXO主流产品的相位噪声性能有很大改善。除VCXO外，其它类型的晶体振荡器最高输出频率不超过200MHz。
例如用于GSM等移动电话的UCV4系列压控振荡器，其频率为650～1700MHz，电源电压2.2～3.3V，工作电流8～10mA。
4、低功耗，快速启动，低电压工作，低电平驱动和低电流消耗已成为一个趋势。电源电压一般为3.3V。许多TCXO和VCXO产品，电流损耗不超过2mA。石英晶体振荡器的快速启动技术也取得突破性进展。
例如日本精工生产的VG—2320SC型VCXO，在±0.1ppm规定值范围条件下，频率稳定时间小于4ms。日本东京陶瓷公司生产的SMDTCXO，在振荡启动4ms后则可达到额定值的90%。OAK公司的10～25MHz的OCXO产品，在预热5分钟后，则能达到±0.01ppm的稳定度。
2. 4MHZ晶振
24.576M晶振用于音效芯片，工作电压为1.1-2.2V。
3. 4mhz晶振的时钟周期
1.时钟周期即晶振的单位时间发出的脉冲数，12MHZ=12×10的6次方，即每秒发出12000000个脉冲信号，那么发出一个脉冲的时间就是时钟周期，即1/12微秒。2.一个机器周期等于12个时钟周期，所以是1微秒。
4. 4mhz晶振的机器周期
一个机器周期等于12个时钟周期，而时钟周期是晶振振荡频率的倒数，所以机器周期=12*（1/6M）=2us振荡频率：是用来描述物体振动快慢的物理量。 物理学中，把物体在每秒内振动的次数叫做频率。 振荡频率就是振荡电路所产生的频率。振荡电路有许多种如：晶振、晶体管振荡电路、RC振荡电路等。
5. 4mhz晶振 负载电容
负载电容的大小不是固定的，需要晶振的规格要求而定，晶振的规格书都标有负载电容的要求，一定要看清楚规格书，选择匹配的负载电容。假如负载电容要求是12.5pF，晶振两端的电容用20pF~24pF就差不多了
选择负载电容的要注意事项：
选择NPO/G0G材质，温度和高频特性更好
公差当然是尽量选择小的，最好选择2%或者1%的。
6. 4mhz晶振如何替换4.096mhz的晶振
晶振的振荡频率一般在：1.00-200.00MHz之间，目前市场上经常用到的频率较多的是 2.5MHz，3.2MHz，4.608MHz，4.096MHz，5MHz，5.12MHz，6.4MHz，6.5MHz，6.72996MHz，8.192MHz，9.216MHz，10MHz等等。
7. 4mhz晶振的指令周期
R0，R1，R2，R5，R6，R71.是通用寄存器，存取数据使用；
2.R0，R1用于间接寻址，指定内外0-255存储单元，如MOVA,@R0，MOVX@R1；延时时间按照指令周期计算，每个指令周期为振荡周期的12倍（对于单周期的单片机当然等于振荡周期）。
例如，如果单片机使用的晶振为12MHZ，那么指令周期等于1微妙。