IGBT管开通和关断损耗如何计算？

一、IGBT管开通和关断损耗如何计算？

开关损耗: Pswitch=(Eon+Eoff)· fswitch 通态损耗: Pcond=Vce· Ic· duty

二、igbt开通损耗和关断损耗哪个大？

IGBT导通损耗主要表现是功率管的压降发热，而IGBT在关断时因为没有电流从功率管上流过基本上是不存在损耗的，所以IGBT的导通损耗主要表现在电流流过晶体管集电极时产生的热量，IGBT在关断时不存在损耗一说，只有非常微弱的漏电流通过晶体管，这种损耗是可以忽略不计的。

三、igbt的开通和关断损耗为什么大于mosfet？

1.电流密度大, 是MOSFET的数十倍。

2.输入阻抗高, 栅驱动功率极小, 驱动电路简单。

3.低导通电阻。在给定芯片尺寸和BVceo下, 其导通电阻Rce(on) 不大于MOSFET的Rds(on) 的10%。

4.击穿电压高, 安全工作区大, 在瞬态功率较高时不会受损坏。

5.开关速度快, 关断时间短,耐压1kV~1.8kV的约1.2us、600V级的约0.2us, 约为GTR的10%,接近于功率MOSFET, 开关频率直达100KHz, 开关损耗仅为GTR的30%。

四、igbt开通和关断过程？

igbt开通和关断:在igbt的门极加载一个正向电压igbt导通，在它的门极加载一个负向电压Igbt关断。

五、IGBT驱动的开通电阻和关断电阻大小怎么确定？

Ron和Roff 针对FF300R12KE4 你可以先试一试Ron 5欧 Roff 10欧 栅极电阻最好是多个并联，例如Ron 5欧 可以用2只10欧1W的金属膜电阻并联 装好电阻带上IGBT模块测试下栅极波形，看开通和关断时间在调整电阻阻值大小

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