ig电压怎么测？

igbt模块电压测量方法

　　1)测定器与校正

　　与作为测定对象的电压值一样，它的波形也很重要。通常，测定器使用示波器，测定电压使用电压探测器。一旦改变示波器和探测器的组合，探测器/示波器的电压分割元件RC的时间常数就发生变化。因此，在使用探测器之前，必须利用示波器的校正输出、电压，在全频率区域内进行探测补偿，使其衰减程度一致。

　　进行适当的灵敏度设定（一般在显示屏上3～4div振幅），将输入耦合设定为DC后进行测定。此时，如果探测器的调整用电容和示波器的输入电容不相适应，将无法进行调整，因此请在选择探测器时注意。

　　2)饱和电压的测定

　　与一般使用IGBT的电路电压在较高的数百V左右相比，饱和电压为数V左右的低值。另一方面，示波器的显像管大小有限，为了使饱和电压能够精确读出而一旦提高电压灵敏度，则由于示波器内部的增幅器饱和等影响，可能显示与实际不同的波形。

　　因此，交换动作中的IGBT饱和电压，不能通过直接用示波器测定元件的集电极—发射极间的电压的方法得出。

　　在此，要测定饱和电压，可以外加电压钳制电路的方法。

　　3)浪涌电压的测定（集电极-发射极间电压的测定）

　　IGBT虽然有交换速度快的优点，但是另一方面，关断时电流变化率di/dt很大，诱发应用装置主电路配线电感Is的电压值也变大，该电压加上直流电路的电压，形成尖峰状的电压外加在元件上。需要确认该电压对于元件的最大额定值有充分余量。

　　4)门极电压的测定（门极-发射极间电压的测定）

　　门极-发射极间的电压与浪涌电压相同，能够通过示波器直接测定。但是，IGBT的门极为电容性的负荷，并且电压探测器中也存在电容性的阻抗，因此，动作中请不要拆装电压探测器进行测定。

　　另外，测定门极电压时的注意事项与测定浪涌电压时相同。

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