1. n沟道mos开关电路
当然可以了啊，它的作用跟三极管一样，可以放大，只是放大倍数小而已，做调压电源还要加几几级放大电路，提高稳压效果
2. N沟道MOSFET
n沟mos管导通条件
场效应管导通与截止由栅源电压来操控，关于增强场效应管方面来说，N沟道的管子加正向电压即导通，P沟道的管子则加反向电压。一般2V～4V就OK了。
可是，场效应管分为增强型和耗尽型，增强型的管子是必须需求加电压才干导通的，而耗尽型管子本来就处于导通状况，加栅源电压是为了使其截止。
开关只有两种状况通和断，三极管和场效应管作业有三种状况，1.截止，2.线性扩大，3.饱满（基极电流持续添加而集电极电流不再添加）。使晶体管只作业在1和3状况的电路称之为开关电路，一般以晶体管截止，集电极不吸收电流表明开关；以晶体管饱满，发射极和集电极之间的电压差挨近于0V时表明开。开关电路用于数字电路时，输出电位挨近0V时表明0，输出电位挨近电源电压时表明1。所以数字集成电路内部的晶体管都工作在开关状况。
3. n沟道mos管开关电路
对于N沟道增强型MOSFET而言，只要UGS>UGS(th)，就会出现反型层，也就是在S、D两个高浓度掺杂区之间出现N区，N沟道由此得名。
然后在UDS之间加了电压，这里你注意，D是连接电源正极，根据电子带负电的特性，既然D是正极，在电场力作用下，反型层中的电子就会被吸引到电源正极D，越靠近S，电场能量越小，吸引力越弱，这就导致了反型层在D端比较窄，而在S端比较宽的情况，如果UDS继续增大，电场越强，吸引电子能力越强，反型层靠近D端的自由电子最终被全部吸引到D区，这样在靠近D端的地方就出现了载流子浓度极低的情况，也就是夹断区出现了。
4. n沟道mos管开启电压
当vGS数值较小，吸收电子的才能不强时，漏——源极之间仍无导电沟道呈现，vGS增加时，吸收到P衬底外表层的电子就增加，当vGS到达某一数值 时，这些电子在栅极左近的P衬底外表便构成一个N型薄层，且与两个N+区相连通，在漏——源极间构成N型导电沟道，其导电类型与P衬底相反，构成反型层。
vGS越大，作用于半导体外表的电场就越强，吸收到P衬底外表的电子就越多，导电沟道越厚，沟道电阻越小。
即N沟道MOS管在vGS＜VT时，不能构成导电沟道，管子处于截止状态。
只要当vGS≥VT时，才有沟道构成。沟道构成以后，在漏——源极间加上正向电压vDS，就有漏极电流产生。
但是Vgs继续加大，比方IRFPS40N60K
Vgs=100V时
Vgs增大会减小Rds（on）减小开关损耗，但是同时会增大Qg，使得开启损耗变大，影响效率
5. N沟道mos管工作原理
原理:当输入端母线加电时，mos管门极和源极之间的电容开始充电，使得mos管门极和源极之间电压缓慢升高，mos管为电压控制电流源，通过电压的缓慢变化来抑制开机时的浪涌电流，从而达到浪涌电流抑制的目的；随着电容充电电压慢慢升高，mos管由线性区进入导通区，电路正常导通工作。
在实际p沟道mos管电路中，容性负载的大小一般不确定，因此多数情况下需要根据实际负载，调试mos管门源间的电容或充电电阻的大小来确定参数并落焊，该过程较为繁琐，由于调试时第一次不知道阻容参数多少合适，因此也存在安全隐患。
6. N沟道mos管开关电路图
可以通过看电路图纸中画的MOS形状来判断MOS管是高电平导通还是低电平导通。如果箭头指向栅极，那么MOS管就是高电平导通。如果箭头未指向栅极，那么MOS管就是低电平导通。
P沟道MOS晶体管的空穴迁移率低，因而在MOS晶体管的几何尺寸和工作电压绝对值相等的情况下，PMOS晶体管的跨导小于N沟道MOS晶体管。
此外，P沟道MOS晶体管阈值电压的绝对值一般偏高，要求有较高的工作电压。它的供电电源的电压大小和极性，与双极型晶体管晶体管逻辑电路不兼容。
7. N沟道MOS管
pmos ：p沟道MOS管 nmos ：n沟道MOS管 mos管是电压型控制器件，对电流几乎没有要求，一般用来做开关，和三极管相比功耗和速度都要好。电梯门禁电源中AC-DC需要一颗GaN的MOS管，要求Vgs=6V,Vds=100V,Id大于4A，Rds小于50mΩ，国产的，有合适的型号推荐吗？