三相全桥驱动电路(三相全桥驱动电路的设计)

海潮机械 2022-12-31 05:29 编辑:admin 255阅读

1. 三相全桥驱动电路的设计

三相整流桥有5个接线端,输入端有3个分别接火线,没有顺序,输出端有2个分正负。

汽车发电机: 汽车发电机是汽车的主要电源,其功用是在发动机正常运转时(怠速以上),向所有用电设备(起动机除外)供电,同时向蓄电池充电。

三相整流桥: 三相整流桥,将数个整流管封在一个壳内,构成一个完整的整流电路。当功率进一步增加或由于其他原因要求多相整流时三相整流电路就被提了出来。 分类: 三相整流桥分为三相全波整流桥(全桥)和三相半波整流桥(半桥)两种。

2. 三相桥式驱动电路

三相电压型桥式逆变电路,每桥臂导电180°,同一相上下两臂交替导电,各相开始导电的角度差120。任一瞬间有三个桥臂同时导通。每次换流都是在同一相上下两臂之间进行,也称为纵向换流。注意防短路。 三相电流型逆变电路,每个臂一周期内导电120°,每个时刻上下桥臂组各有一个臂导通,换流方式为横向换流。

3. 三相全桥驱动电路的设计要求

三相桥式全控整流电路对触发电路的要求如下:

1、共阴接法与共阳接法三相半波可控整流电路串联而成,并且取消了公共中线。

2、三相全控桥整流电路在任何时刻都必须有两个晶闸管同时导通,且其中一个是在共阴组,另一个必须在共阳组。

3、当它们能同时被触通时,才能构成负载电流导通回路。也就是说必须对共阴组与共阳组应该导通的一对晶闸管同时送出触发脉冲。

4. 三相全控整流桥电路图

24伏整流滤波,用四个1n5408二极管组成全波整流电路,再用一个2200uf35v电解电容组成滤波电路。

5. 三相全桥驱动电路的设计原理

1.三相桥式全控整流电路在任何时刻都必须有两个晶闸管导通,而且这两个晶闸管一个是共阴极组,另一个是共阳极组的,只有它们能同时导通,才能形成导电回路。

  2. 三相桥式全控整流电路就是两组三相半波整流电路的串联,所以与三相半波整流电路一样,对于共阴极组触发脉冲的要求是保证晶闸管KPl、KP3和KP5依次导通,因此它们的触发脉冲之间的相位差应为120。对于共阳极组触发脉冲的要求是保证晶闸管KP2、KP4和KP6依次导通,因此它们的触发脉冲之间的相位差也是120。

  3.由于共阴极的晶闸管是在正半周触发,共阳极组是在负半周触发,因此接在同一相的两个晶闸管的触发脉冲的相位应该相差180。4. 三相桥式全控整流电路每隔60?有一个晶闸管要换流,由上一号晶闸管换流到下一号晶闸管触发,触发脉冲的顺序是:1、2、3、4、5、6、1,依次下去。相邻两脉冲的相位差是60。

  5.由于电流断续后,能够使晶闸管再次导通,必须对两组中应导通的一对晶闸管同时有触发脉冲。为了达到这个目的

6. 三相全桥驱动电路的设计原则

三相驱动桥

无刷电机的三相全桥驱动电路,使用六个N沟道的MOSFET管(Q1~Q6)做功率输出元件,工作时输出电流可达数十安。为便于描述,该电路有以下默认约定:Q1/Q2/a3称做驱动桥的“上臂”,Q4/Q5/Q6称做“下臂”。

连接到二极管和电容组成的倍压整流电路(原理请自行分析),为上臂驱动管提供两倍于电源电压(2×11V)的上拉电平,使上臂MOSFET在工作时有足够高的VGS压差,降低MOSFET大电流输出时的导通内阻,详细数据可参考MoS管DataSheet。

上臂MOS管的G极分别由Q7/a8/a9驱动,在工作时只起到导通换相的作用。下臂MoS由MCU的PWM输出口直接驱动,注意所选用的MCU管脚要有推挽输出特性

7. 三相全桥驱动芯片

半桥全桥的驱动电路是使功率管产生交流电的触发信号,并不是将交流信号变直流信号。

即使单片机可以输出直流信号,但是它的驱动能力也是有限的,所以单片机一般做驱动信号,驱动大的功率管,来产生大电流从而才能驱动电机。

半桥驱动电路和半桥整流电路都可以称为半桥电路。 半桥驱动指的是上下两个部件交替输出的电路。 半桥整流指的是只对半波整流。半桥电路是两个三极管或MOS管组成的振荡, 全桥电路是四个三极管或MOS管组成的振荡。 全桥电路不容易产生泻流,而半桥电路在振荡转换之间容易泻有电流使波形变坏,产生干扰。

半桥电路成本底,电路容易形成,全桥电路成本高,电路相对复杂。 半桥电路是两个三极管或MOS管组成的振荡,全桥电路是四个三极管或MOS管组成的振荡。全桥电路不容易产生泻流,而半桥电路在振荡转换之间容易泻有电流使波形变坏,产生干扰。

半桥电路成本底,电路容易形成,全桥电路成本高,电路相对复杂。 半桥电路包括用于驱动各个下部晶体管(T1)和上部晶体管(T2)的低端驱动模块(110)和高端驱动模块(210)。

每个驱动模块(110,210)是电荷俘获电路,其中低端驱动模块(110)用电容性负载(C)上的电荷驱动低端晶体管(T1),以及高端驱动模块(210)在它被高电压源驱动时交替地重新充电该电容性负载(C)。每个电荷俘获电路(110,210)还包括二极管(D1,D2。