1. 二极管饱和导通电压
导通电压就是死区电压，只不过应用的场合不同罢了。
在二极管正负极间加电压，当电压大于一定的范围时二极管开始导通，这个电压叫导通电压。锗管0.3左右，硅管0.7左右。
死区电压是指在二极管应用在具体的电路中时，由于本身的压降，也就是供电电压小于一定的范围时不导通，造成输出波形有残缺，从供电电压经过零点直到输出波形残缺消失的时候，这一段电压就是死区电压，本质上就是二极管的导通电压。
2. 二极管饱和导通压降
有两种情况会使二极管正向压降变小。
电流减小，从二极管I-V特性看，电流变小，压降会降低。
第二种，二极管是负温度系数，随着温度升高，晶体管的正向导通压降（饱和压降）变小，每增加1℃，正向压降VD大约减小2 mV，在高温下会二极管软击穿，如果电流还没有限制住，就会进入不可恢复的击穿
3. 普通二极管导通电压
Si二极管的正向导通电压一般是2.5V~3.6V
开启电压是刚开使导通时的正向电压（电流很小），正向导通电压是额定工作电流时的正向电压。开启电压低于正向导通电压。
二极管又称晶体二极管,简称二极管(diode)，另外，还有早期的真空电子二极管；它是一种具有单向传导电流的电子器件。在半导体二极管内部有一个PN结两个引线端子，这种电子器件按照外加电压的方向，具备单向电流的转导性。
一般来讲，晶体二极管是一个由p型半导体和n型半导体烧结形成的p-n结界面。在其界面的两侧形成空间电荷层，构成自建电场。当外加电压等于零时，由于p-n 结两边载流子的浓度差引起扩散电流和由自建电场引起的漂移电流相等而处于电平衡状态，这也是常态下的二极管特性。
4. 二极管的导通电压
硅二极管导通电压一般是0.7V，锗二极管导通电压一般是0.2V，和电流没有直接关系。 半导体一般都是对电压敏感
5. 普通二极管的导通电压
二极管的导通电压是二极管正向导通后，它的正向压降基本保持不变（硅管为0.7v，锗管为0.3v）。
正向特性：在电子电路中，将二极管的正极接在高电位端，负极接在低电位端，二极管就会导通，这种连接方式，称为正向偏置。必须说明，当加在二极管两端的正向电压很小时，二极管仍然不能导通，流过二极管的正向电流十分微弱。
二极管反向击穿电压一般是工作电压2-3倍。二极管反向击穿时的电压值。击穿时反向电流剧增，二极管的单向导电性被破坏，甚至过热而烧坏。手册上给出的最高反向工作电压VBWM一般是VBR的一半。
稳压管就是利用这一特性！
二极管的导通电压是二极管正向导通的时候，在二极管两端测得的电压，该电压几乎不随正向电流的变化而变化，表现出一定的稳压特性，硅管0.7v左右，锗管0.3v左右。击穿电压是二极管因反向电压过高造成二极管突然产生较大反向电流时电压，也具有稳压特性。
6. 二极管稳定电压和导通电压
1.
导通压降:二极管开始导通时对应的电压。 正向特性:在二极管外加正向电压时,在正向特性的起始部分,正向电压很小,不足以克服PN结内电场的阻挡作用,正向电流几乎为零。当正向电压大到足以克服PN结电场时,二极管正向导通,电流随电压增大而迅速上升。
2.
反向特性:外加反向电压不超过一定范围时,通过二极管的电流是少数载流子漂移运动所形成反向电流。由于反向电流很小,二极管处于截止状态。反向电压增大到一定程度后,二极管反向击穿。