1. 二极管型号参数
型号：RU2AM
类型：开关二极管
反向恢复时间（trr)：50 ns
反向重复峰值电压（VRRM）:600V
最大平均整流电流（Io)：1.1 A非重复峰值正向电流（IFsM）:20 A
正向电压降（VF）：1.2 V【连续正向电流（Ip)=1.1 A]
反向漏电流（Ip）：5pA
2. 稳压二极管型号参数
稳压管的参数：
(1) Vz-- 稳定电压
指稳压管通过额定电流时两端产生的稳定电压值。该值随工作电流和温度的不同而略有改变。由于制造工艺的差别，同一型号稳压管的稳压值也不完全一致。
例如，2CW51型稳压管的Vzmin为3.0V, Vzmax则为3.6V。
(2) Iz— 稳定电流。
指稳压管产生稳定电压时通过该管的电流值。低于此值时，稳压管虽并非不能稳压，但稳压效果会变差;高于此值时，只要不超过额定功率损耗，也是允许的，而且稳压性能会好一些，但要多消耗电能。
最大稳定工作电流取决于最大耗散功率，即Pzmax =Vz*Izmax 。而Izmin对应Vzmin。2CW51型稳压管最大耗散功率为250mw或500mw
(3) Rz— 动态电阻。
指稳压管两端电压变化与电流变化的比值。该比值随工作电流的不同而改变，一般是工作电流愈大，动态电阻则愈小。
(4) Pz— 额定功耗。
由芯片允许温升决定，其数值为稳定电压Vz和允许最大电流Izm的乘积。
例如2CW51稳压管的Vz为3V，Izm为20mA，则该管的Pz为60mW
(5) Ctv— 电压温度系数。
是说明稳定电压值受温度影响的参数。
(6) IR— 反向漏电流。指稳压二极管在规定的反向电压下产生的漏电流。
3. 开关二极管型号参数
2AK10；早期国产锗材料开关二极管；峰值电压50V；电流10mA； 后缀“J”按照早期命名方法意为“军用级”但不能完全肯定。
4. hvm12二极管型号参数
F1M的主要参数
二极管类型:Fast Recovery
最大持续峰值反向电压:1000V
最大均方根电压:700V
最大直流阻断电压:1000V
最大平均整流电流，55度，:1A
最大浪涌电流，8.3ms正弦波，:25A
最大持续正向电压，直流1A，:1.3V
5. 二极管主要参数
晶体二极管有(一个PN结)和两个电极,它的主要参数有(最高反向击穿电压)和(最大正向电流),二极管的主要特性是(单向导电)
6. 瞬态抑制二极管型号参数
一般瞬态电压抑制二极管，业界通常是“丝印+logo”. 脉冲功率1500W的TVS丝印是三个缩写码。
还有可以根据TVS二极管的选型原则，以IO板工作电压来推算型号。TVS二级管的击穿电压VBR应高于信号线上传输的信号电压，在此前提下，VBR应尽可能选得低一些，较低的VBR可使后端通信芯片得到可靠的保护。
7. 二极管型号参数手册表
1n5819二极管参数
1N5819为二极管型号，属于肖特基二极管类型。有引脚数2个。峰值电流：25A。
二极管类型：肖特基二极管
对应贴片二极管：SS14
反向击穿电压：40V
工作温度范围：-65°C~ +125°C
引脚数：2
外径：2.7mm
正向压降：0.6V
正向平均可持续电流：1A
峰值电流：25A
表面安装器件：轴向引线
1N5819特性
1、塑料包有保险商实验室可燃性96V-0
2、金属硅交界处，多数载流子传导
3、GUARDRING为过压保护低功率损耗，高效高电流能力，因为在低电压低正向压降高浪涌能力，高频逆变器，免费过网，并极性保护应用高温焊接保证
1N5819替换产品
1N5819是肖特基二极管，反向耐压40V，额定正向电流1A，可以用指标高于它的肖特基二极管如1N5822（40V/3A）、MBR150（50V/1A）、MBR160（60V/1A）等来代替。
8. 发光二极管型号参数
发光二极管的型号有1.普通单色发光二极管。2.高亮度发光二极管。3.变色发光二极管。4.红外发光二极管。发光二极管是一种常用的发光器件，通过电子与空穴复合释放能量发光，它在照明领域应用广泛
9. 高压二极管型号参数
品牌 进口
型号 d92-02
应用范围 整流桥、高压硅
结构 点接触型
材料 锗(ge)
封装形式 直插型
封装材料 金属封装
功率特性 大功率
频率特性 超高频
发光颜色 紫外
led封装 加色散射封装(d) 出光面特征 圆形
发光强度角分布 高指向性 正向工作电流 30（a）
最高反向电压 200（v）
10. 整流二极管型号参数
每种型号的二极管使用的电压係数是不同的，要参照产品说明书的指标值，选择正确的电压范围内使用。