内容提要：【1n4007二极管的参数】热度：74
1. 1n4007整流二极管参数
①、向此2CP11型二极管属于普通整流二极管管其参数是：/耐压：50V/电流：100mA/。
②、以上如果用三极管代替，得用3DD100B最好，作法是三极管的b和C短路相当于二极管的正极，三极管的e极相当于二极管的负极即可。
③、以上用三极管代替还不如直接用一只1N4004或1N4007整流二极管呢。
2. 整流二极管1n4001参数
N4004为普通工频整流二极管。
1N是日本电子元件命名法：1代表有一个PN节为二极管。2代表有两个PN节为三极管。 1N4000系列为硅整流二极管。正向电流为1A，反向耐压不同：1N4001二极管反向耐压50V，1N4002反向耐压100V，1N4004反向耐压400V，1N4007反向耐压1000V。
一种将交流电能转变为直流电能的半导体器件。通常它包含一个PN结，有正极和负极两个端子。二极管最重要的特性就是单方向导电性。在电路中，电流只能从二极管的正极流入，负极流出。
整流二极管的作用：
1、正向性，整流二极管外加正向电压时，正向特性起始部分中的正向电压很小，不能有效的克服PN结内电场的阻挡作用，当整流二极管的正向电流几乎为零，这一段称为死区，不能使二极管导通的正向电压称为死区电压。
2、反向性，整流二极管的作用中的反向性，是当整流二极管外加反向电压不超过一定范围时，通过整流二极管的电流少数载流子漂移运动从而形成的反向电流。由于整流二极管的作用反向电流很小，整流二极管处于截止状态。
3、反向击穿，反向击穿按机理原理分为齐纳击穿和雪崩击穿两种情况。整流二极管在高掺杂浓度的情况下，电子脱离共价键束缚，产生电子空穴；另一种击穿为雪崩击穿。当整流二极管反向电压增加到较大数值时，外加电场会使电子漂移速度加快，产生新的电子空穴对。
3. 整流二极管1n4007耐压值
1N4007是整流二极管耐压为1000V，电流1A，所以如果用在控制电路中损坏的可能性不太大。
二极管在脱机状态下用RX100档测一下正反向电阻就知道好坏了，正反向电阻阻值相差大的就是好的。
（一般正反向电阻为1K比数千K至无限大）。
4. 整流二极管1n4004参数
1N4004为普通工频整流二极管。 1N是日本电子元件命名法:1代表有一个PN节为二极管。2代表有两个PN节为三极管。 1N4000系列为硅整流二极管。正向电流为1A,反向耐压不同:1N4001二极管反向耐压50V,1N4002反向耐压100V,1N4004反向耐压400V,1N... 整流二级管最主要的作用就是整流。 它的特性是单向导通电流，当二极管二端加正向电压时，二极管导通；
5. 整流二极管1n4007是什么意思
1N4007整流二极管的外形。
1N4007二极管为美国公司生产的一种硅整流二极管，型号中的“1”，表示其是具有一个PN结的半导体器件（即二极管）；字母“N”为美国EIA（电子工业协会）注册登记标志，带有该字母的二极管，表明其已在美国EIA注册登记；“N”后面的数字为该器件在美国EIA的登记号。
由于美国对半导体器件的命名方法制定的较早，之后又未做过修改，故美国公司生产的这些二极管，从型号上只能看出其为二极管，看不出该二极管究竟是锗二极管还是硅二极管，更看不出其参数大小。想知道某二极管的参数，只有查阅二极管手册。上述的1N4007二极管为硅整流二极管，其整流电流为1A，耐压值为1000V
6. 1N4007整流二极管
2a07二极管是最大整流电流为2A，最高反向电压为700伏。
1N4007二极管是最大整流电流为1A，最高反向电压为1000伏。
所以，由于1N4007的最大整流电流为1A，小于2A，所以，1N4007二极管不能替代2a07二极管。
二极管的替代，必须要最大整流电流和最高反向电压都大于或等于原被替换的二极管才可以。
7. 整流二极管in4007参数
1n4007二极管的功能有整流、限幅、保护和稳压等。主要应用于整流电路中的二极管。
1N4007 是封装形式为 DO-41 的塑料封装型通用硅材料整流二极管。广泛应用于各种交流变直流的整流电路中。1n4007利用二极管单向导电性，可以把方向交替变化的交流电变换成单一方向的脉冲直流电。
1n4007主要参数:
正向浪涌承受能力：30A
最大正向平均整流电流：1.0A
极限参数:VRM≥50V
最高反向耐压：1000V
最大反向漏电流：5uA
正向压降：1.0V
最大反向峰值电流：30uA
典型热阻：65℃/W
典型结电容：15pF
工作温度：－50℃～+150℃
高温焊接保证:250℃/10 秒, 0.375" (9.5mm)引线长度。
8. 1n4007二极管和1n4004的参数
硅二极管正向导通工作压降=0.6~0.8v，反向击穿电压根据型号不同有很大差别，如
1N4001=50V、
1N4002=100V、
1N4003=200V
1N4004=4001
N4005=600
1N4006=800v
1N4007=1000v；锗二极管正向导通工作压降=0.2~0.4v，反向击穿电压很小，一般为40V左右。
1.伏安特性
（1)正向特性：当0＜V＜Vth时，正向电流为零，Vth称为死区电压或开启电压。当V＞Vth时，开始出现正向电流，并按指数规律增长。
（2）反向特性：当VBR＜V＜0时，反向电流很小，且基本不随反向电压的变化而变化，此时的反向电流也称反向饱和电流IS。当V≥VBR时，反向电流急剧增加。VBR称为反向击穿电压。从击穿的机理上看，硅二极管若|VBR|≥7V时，主要是雪崩击穿；若VBR≤4V则主要是齐纳击穿，当在4V～7V之间两种击穿都有，
2.正向压降(Vf)
当加在二极管两端的正向电压很小时，二极管仍然不能导通，流过二极管的正向电流十分微弱。只有当正向电压达到某一数值以后，二极管才能直正导通。导通后二极管两端的电压称为二极管的。“正向压降”。說明此正向压降時通常必须注明对应之电流(Vf@If),而且一般应用状况下,系统会希望此二极管之正向压降愈小愈好。
9. 1n4007整流二极管的参数
1N4007是一种硅材料1N系列整流二极管之一，能够把方向交替变化的交流电换成单一方向的脉冲直流电，广泛应用于各种交流变直流的整流电路中，可以组成半波整流、全波整流和桥式整流等电路。1n4007利用二极管半导体材料PN结的单向导电性，可以把方向交替变化的交流电变换成单一方向的脉冲直流电。
1n4007的基本参数信息如下
封装:DO-41 DO_214AC/SMA 、SOD323
特点:价格低廉 应用极其广泛
基本用途作用:整流二极管
1n4007具有较强的正向浪涌承受能力：30A
最大正向平均整流电流：1.0A
极限参数为VRM≥50V
最高反向耐压：1000V
最大反向漏电流：5uA
正向压降：1.0V
最大反向峰值电流：30uA
典型热阻：65℃/W
典型结电容：15pF
工作温度：－50℃～+150℃
主要特性:普通塑封整流二极管
·低的反向漏电流
·较强的正向浪涌承受能力
·高温焊接保证
250℃/10 秒，0.375" (9.5mm)引线长度。
引线可承受5 磅 (2.3kg) 拉力。
机械数据
·端子: 镀锡轴向引线
·极性: 色环端为负极
·安装位置: 任意。