一、请教，稳压管反向击穿后是坏了还是自动恢复？
普通二极管反向击穿后如果有限流保护，确实也能像稳压二极管一样自动恢复。 例如，100千欧电阻与LED串联后接在220V交流电源中做电源指示灯，那只LED反向击穿电压只有30V左右，在1秒钟之内就被击穿50次，但是几年都不坏，就是因为那只100千欧电阻既在LED正向导通发光时有限流作用，又在反向击穿后有限流作用，实际上早已经说明了普通二极管反向击穿后只要有限流措施，是不会损坏的。 三极管集电极到发射极之间一旦超压击穿就会损坏，可能与其基区特别薄的特别结构等因素有关，还有与晶体管发射结特别娇气也可能不无关系。
二、三极管反向击穿电压最大的是？
首先三极管工作时其发射结一般处于正偏状态，故BVebo反向击穿电压要求不高，通常BVebo<20V，是最低的。
其次，反向击穿主要是漏电流引起的。集电极-基极漏电流Icbo经过β倍放大后成为集电极-发射极漏电流Iceo，故Iceo=βIcbo，而BVceo就小于BVcbo。
三、三极管的反向击穿电压？
反向击穿电压，是可以通过半导体材料选择、掺杂质的浓度、PN结的制造工艺等进行控制的。PN结反向击穿电压的数值，可以从几伏到几千伏。稳压二极管就是工作在反向击穿状态，电压可以从几伏到几百伏。
整流二极管反向击穿电压通常在几十伏到几千伏。一般来说，三极管B-C间反向击穿电压在几十伏到几百伏之间；E-B间反向击穿电压在几伏到十几伏之间。扩散型硅高频三极管E-B间反向击穿电压通常在6V左右，可以用来代替6V左右的小功率稳压管。
四、三极管击穿的原因和解决方法？
三极管的击穿是指三极管的PN结不能产生压降限制电流的现象。击穿时PN结的温度上升，如果还没有破坏PN结的结构，则造成击穿的条件去除后，PN结的功能能够得到恢复或部分恢复，就可认为不是硬击穿或称为软击穿。
若温度上升太高，PN结的结构完全破坏，击穿的条件去除后，PN结的功能就不能得到恢复，这种击穿称为硬击穿。
硬击穿的三极管不能正常工作，通常说烧坏了，需要更换。
出现软击穿的三极管，性能也已经下降很多，一般也应该进行更换，但应急情况下还可暂时坚持工作，只是随时都可能变成硬击穿而完全不能工作。
软击穿。
最典型的例子就是稳压二极管。它就是工作在二极管反向击穿状态的，只要你设定的工作电流没有超过稳压二极管的允许工作电流，则稳压二极管就不会损坏。
就晶体管特性而言，晶体管发射极的击穿电压，是比较低的。
引起发射极击穿的原因，只有负偏压较高这一种。
对NPN型管来讲，当晶体管处于放大工作时，晶体管的发射极-基极之间，应该是正偏（基极电位高于发射极），如果出现基极电位比发射极低，我们就会认为，此晶体管“反偏了”。
当这个反偏电压超过晶体管的BVebo时，晶体管的发射结就会击穿。
如果这种情况出现在整机电路的工作状态，则晶体管就会很快永久失效。在失效分析中，我们通常把这类失效称为发射极击穿而引起的失效。
五、请问三极管的耐压和电流是指哪个电压和电流？
三极管的耐压有三项指标，集电结反向耐压Vcbo、发射结反向耐压Vebo和和集电极至发射极最大电压Vceo。电流则是指集电极最大电流Icm。
1.Vebo：通常三极管用于放大作用，发射结是正偏的，但有时三极管会工作在开关状态，发射结就要反偏，所以要考虑，发射结反向击穿电压，一般小功率的管子的Vebo能在几个V左右。
2.Vcbo：放大作用下，集电结是反偏的，一般的三极管集电区的掺杂浓度不高，而且面积较大，所以也就是雪崩击穿，不同的管子一般是几十到几百。
3.还有就是Vceo，和Iceo的联系很大，Vce上升，Iceo同样会随之加大，会造成雪崩击穿，而且在一般实际电路中B和E之间是要接连电阻的，这时的CE之间的击穿电压会大一点。至于电流就是Icm啦。这个Icm不是说只要ic大于它，就会烧管子，三极管我们用于放大作用是，放大系数会随着ic的增加，先大后小，类似于开口向下的抛物线，所以ic超过Icm，放大作用会明显下降，同时也有烧管的危险为了使三极管正常工作，主要考虑Vceo，Pcm，Icm。
六、三极管什么情况会烧坏呢？
看三极管的极限参数 三个极限参数：集电极最大允许电流，集电极最大允许耗散功率，集电极与发射极间的反向击穿电压。 如果实际的功率Pc大于集电极最大允许耗散功率Pcm，三极管会被烧坏。
七、三极管加了反向电压会击穿吗？
三极管也有耐压。三极管的反向电压超过其耐压以后，也会击穿