一、三极管的主要特性是什么?放大的实质是什么？
三极管具有电流放大作用。其实质是三极管能以基极电流微小的变化量来控制集电极电流较大的变化量。这是三极管最基本的和最重要的特性。电流放大倍数对于某一只三极管来说是一个定值，但随着三极管工怍时基极电流的变化也会有一定的改变。
放大器的功能基本上就是要将输入端小的电信号（可以是电压、电流或功率）放大成输出端大的电信号。
二、13007s三极管参数？
13007s三极管是NPN硅大功率三极管，其
Bvceo是400伏，Ⅰcmaⅹ=8A，功率2w，Ft=4MHz。
三、三极管的特性？
三极管的基本特性：三极管是电流控制电流器件，用基极电流的变化控制集电极电流的变化。有NPN型三极管和PNP型三极管两种。
（1）NPN型三极管，适合射极接GND集电极接负载到VCC的情况。只要基极电压高于射极电压（此处为GND）0.7V，即发射结正偏（VBE为正），NPN型三极管即可开始导通。
基极用高电平驱动NPN型三极管导通（低电平时不导通）；基极除限流电阻外，更优的设计是，接下拉电阻10-20k到GND；优点是，①使基极控制电平由高变低时，基极能够更快被拉低，NPN型三极管能够更快更可靠地截止；②系统刚上电时，基极是确定的低电平。
四、三极管特性和原理？
三极管是一种控制元件,主要用来控制电流的大小,以共发射极接法为例(信号从基极输入,从集电极输出,发射极接地),当基极电压UB有一个微小的变化时,基极电流IB也会随之有一小的变化,受基极电流IB的控制,集电极电流IC会有一个很大的变化,基极电流IB越大,集电极电流IC也越大。
五、一句话总结三极管特性？
三极管电流放大特性只要有一个很小的基极电流，三极管就会有一个很大的集电极电流和发射极电流，这是由三极管特性所决定的，不同的三极管有不同的电流放大倍数，所以不同三极管对基极电流的放大能力是不同的。三极管在正常工作时，它的基极电流、集电极电流和发射极电流同时存在，同时消失。
六、三极管主要特性？
第一个特性，流控特性。我们把BE之间流过的电流称之为，为基极电流，在C极(集电极)处，CE之间的电流称之为。也就是说，有电流的时候，也是有电流的;
没有电流，也是没有电流的。也就是用的电流来控制的电流。
第二个特性，三极管具有放大功能。比如上流过1mA的电流，那么在流过的电流的大小是成倍于上的电流放大，而且放大倍数是90～100倍，即=100。这是由三极管自身的特性所决定的。
第三个特性，当E极接地，如果足够大，那么就更加的大，这就预示着之间的电阻就更加的小。因为电流越大，电阻就越小。小到我们近似的认为CE之间是短路的。电流大到什么时候，我们认为CE之间的电流是短路的呢?我们一般认为是为1mA的时候。就是说，当>=1mA的时候，≈0，≈0.3V。
第四个特性，当>=1mA，=0.7V。这时候，我们认为，这个三极管是完全打开的。它就是起一个开关作用，=100mA，≈0，0.3V，=0.7V。
第五个特性，要想让三极管完全导通，必须要让两端加一个大于0.7V的电压，三极管才完全导通。如果两端的电压小于0.7V，那么三极管就没能完全导通，的电流也就不会最大，上就有电阻，而在上就会产生一个分压。这个分压值就等效为一个电阻，随着的增大，就会越来越小。
晶体三极管(以下简称三极管)按材料分有两种：锗管和硅管。而每一种又有NPN和PNP两种结构形式，但使用最多的是硅NPN和锗PNP两种三极管，(其中，N是负极的意思(代表英文中Negative)，N型半导体在高纯度硅中加入磷取代一些硅原子，在电压刺激下产生自由电子导电，而P是正极的意思(Positive)是加入硼取代硅，产生大量空穴利于导电)。两者除了电源极性不同外，其工作原理都是相同的。
七、三极管有什么外部特性？
1。放大特性，指控制电流的能力。当加在基极的电流或电压作很小波动时，其集电极电流或电压会出现很大变动。即相当于“信号”被放大了。
2。开关特性，指具有类似开关的控制电路接通与断开的能力。当基极无电流或电压时，其集电极和发射极间电阻无穷大，相当于电路“断开”，而当基极加超过死区的电压（0点几伏）或流过很小的电流时，其集电极和发射极间电阻很小，相当于电路“接通”。
八、13007t三极管参数？
13007t三极管的主要技术参数如下:
集电极-基极最高耐压VCBO=500伏特，
集电极-发射极最高耐压VCEO=400伏特，
发射极-基极最高耐压VEBO=9伏特，
集电极电流IC=0.3安培，
耗散功率PC=7瓦特，
结温Tj=150摄氏度，
贮藏温度TSTG=-50~150摄氏度，
直流放大系数HFE=8~40倍。
九、三极管外部特性？
三极管的特性：
1、发射区向基区发射电子电源Ub经过电阻Rb加在发射结上，发射结正偏，发射区的多数载流子(自由电子）不断地越过发射结进入基区，形成发射极电流Ie。同时基区多数载流子也向发射区扩散，但由于多数载流子浓度远低于发射区载流子浓度，可以不考虑这个电流，因此可以认为发射结主要是电子流。
2、基区中电子的扩散与复合电子进入基区后，先在靠近发射结的附近密集，渐渐形成电子浓度差，在浓度差的作用下，促使电子流在基区中向集电结扩散，被集电结电场拉入集电区形成集电极电流Ic。也有很小一部分电子（因为基区很薄）与基区的空穴复合，扩散的电子流与复合电子流之比例决定了三极管的放大能力。
3、集电区收集电子由于集电结外加反向电压很大，这个反向电压产生的电场力将阻止集电区电子向基区扩散，同时将扩散到集电结附近的电子拉入集电区从而形成集电极主电流Icn。另外集电区的少数载流子（空穴）也会产生漂移运动，流向基区形成反向饱和电流，用Icbo来表示，其数值很小，但对温度却异常敏感。