一、3极管和集成运放的区别？
从元器件角度看，
三极管是一个单独的分立元件，集成运放是将许多三极管和电阻集成在一起形成一个器件；
从功用上看，各自也有许多不同。
二、mbr20200a三极管参数？
mbr20200a三极管参数:
封装：ITO-220AB；特性：低功耗、大电流和超高速；电性参数：20A 200V；芯片材质：si；正向电流(Io)：20A；芯片个数：2；正向电压(VF)：0.9V；芯片尺寸：102mil；浪涌电流Ifsm：200A；漏电流(Ir)：20mA；工作温度：-65~+175℃；恢复时间(Trr)：5ns；引线数量：3；MBR20200FCT的电性参数：正向平均电流20A；反向峰值电压200V。
三、三极管ap8003说明书？
ap8003是5ⅴ输出非隔离220v电源转换三极管。
AP8003集成PFM控制器及500V高可靠性MOSFET，用于外围元器件精简的小功率非隔离开关电源。AP8003内置500V高压启动，实现系统快速启动、待机功能。该芯片提供的智能化保护功能，包括过载保护，欠压保护，过温保护。另外AP8003具有优异的EMI特性。
四、三极管在集成电路中的形状？
三极管在IC中是小长方形，三个脚的位置如中文“品”的排法
五、谁能够告诉我一个芯片上是怎样集成上亿个三极管的？
芯片上为什么能集成上亿乃至于上百亿（定制的超大芯片有万亿级别）电子元件，简单来说就是在确保其性能的前提下，把每个元件尽量做小，这个方向大家肯定可以理解。
其中做的足够小目前最重要的一环是光刻技术，而确保其特性的前提是材料。
光刻就是把元件的电路图画到芯片上面，这一点在中兴华为事件后被提及很多，难点有两个：
首先是光源，光的波长就是刻刀的大小，太大的刀子自然无法刻出够小的图案，目前最先进的euv极紫外光（波长13nm）只有ASML一家，别无分号。然后就是DUV深紫外光（193nm）原本只能做到130nm工艺，但是因为EUV光刻机比原来预计的晚了10年，加上浸没事曝光和双重曝光技术等不断突破，硬生生支撑到了7nm。16年之后EUV机台正式出货，给了随后的5nm，3nm等等新的可能性。
其次光刻的另一个难点是对准，常常被大家忽略，把nm级别的图案准确投影到晶圆对应位置上，而且还要相对移动，这种难度大家可以类比战斗机空中加油（不完全正确，加油有他自己的技术障碍），但是单从精度来讲，就像两架超音速飞机飞行中，完美对接一个米粒大小的插孔。
至于其他的硅片，电浆蚀刻机，湿蚀刻的酸液，离子植入的靶材等等，每一项都是极大的技术难点，供应商屈指可数，甚至独一无二，所谓的相对于光刻容易突破只是相对。
而同时随着电子元件的不断缩小，新的材料才能确保其稳定性，130nm之前用氧化硅就可以作为via层，隔断金属导线，而现在则需要更低介电系数的才叫才可以实现，同样的前段工艺制造的电容，电阻等元器件要想不被击穿熔断，原先的许多材料参数都要几何级的提升，掺杂浓度差之毫厘就是功亏一篑。这方便个人了解很少，就不献丑了。