一、c4106参数性能？
C4106的参数是：硅、 NPN、 500V、 10A、 80W。 由以上参数可知：KSH13007可以用C4106代换。其实，象KSH13007这样参数的管子很容易买到，买时只需说要“13007”就行了。（C5027的参数是：硅 、NPN 、1100V/800V 、3A 、50W）
二、c5027f三极管详细参数？
c5027f电子管是交流三极管，其参数输入电压52伏，输出电压12伏，输入功率82瓦，输出功率22瓦。交流三极管是半导体基本元器件之一，具有电流放大作用，是电子电路的核心元件。三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结，两个PN结把整块半导体分...
三、C5027三极管的作用是什么？
三极管一般在电路中用作信号放大或做开关器件 三极管，全称应为半导体三极管，也称双极型晶体管、晶体三极管，是一种控制电流的半导体器件·其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号， 也用作无触点开关。
晶体三极管，是半导体基本元器件之一，具有电流放大作用，是电子电路的核心元件。三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结，两个PN结把整块半导体分成三部分，中间部分是基区，两侧部分是发射区和集电区，排列方式有PNP和NPN两种。 放大原理1、发射区向基区发射电子 电源Ub经过电阻Rb加在发射结上，发射结正偏，发射区的多数载流子(自由电子）不断地越过发射结进入基区，形成发射极电流Ie。同时基区多数载流子也向发射区扩散，但由于多数载流子浓度远低于发射区载流子浓度，可以不考虑这个电流，因此可以认为发射结主要是电子流。
2、基区中电子的扩散与复合 电子进入基区后，先在靠近发射结的附近密集，渐渐形成电子浓度差，在浓度差的作用下，促使电子流在基区中向集电结扩散，被集电结电场拉入集电区形成集电极电流Ic。也有很小一部分电子（因为基区很薄）与基区的空穴复合，扩散的电子流与复合电子流之比例决定了三极管的放大能力。
3、集电区收集电子 由于集电结外加反向电压很大，这个反向电压产生的电场力将阻止集电区电子向基区扩散，同时将扩散到集电结附近的电子拉入集电区从而形成集电极主电流Icn。另外集电区的少数载流子（空穴）也会产生漂移运动，流向基区形成反向饱和电流，用Icbo来表示，其数值很小，但对温度却异常敏感。
四、c5027参数及代换型号？
东芝和UTC都生产，东芝的参数：300V 100mA 1.3W。就是彩电的HORIZONTAL DRIVER 2-8M1A封装
UTC参数：800V 3A 50W TO220封
五、有可以替代C5027-R的管子吗？
2SC5027-R:Vceo 800V Ic 3A Pw 50W 放大倍数15-30 可以用2SD1710 2SD1545
2SD1547代替
六、c5027-R是什么元件啊？
去购买的时候只需说“C5027”就行了，它是高速、高压开关管。
它的参数是：NPN、1100V/800V、3A、50W。
可用BU3150、KSC5027、KSC5027R来代换。
七、ksh13007的参数？
KSH13007是：高压开关管。KSH13007的参数是：硅、 NPN、 700V/450V、 8A、 80W。C4106是：高压开关管。C4106的参数是：硅、 NPN、 500V、 10A、 80W。 由以上参数可知：KSH13007可以用C4106代换。其实，象KSH13007这样参数的管子很容易买到，买时只需说要“13007”就行了。（C5027的参数是：硅 、NPN 、1100V/800V 、3A 、50W）
八、c5027-r参数？
c5027-r是普通的大功率NPN型硅管，用于大功率放大器等电路。
c5027-r参数：
极性：NPN
PCN(mw)功率：50W
lc(mA)电流：3A
BVCBO(V)集电极-基极电压：1100V
BVCEO(V)集电极-发射极电压：800V
BVEBO(V)发射极-基极电压：7V
hFE（min）最小放大倍数：10
hFE（max）最大放大倍数：40
九、三极管C5027是多少A多少W瓦耐压多少呢？
Vcbo 1100V
Vceo 800V
Vebo 7V
Ic 3A
Ib 1.5A
Pc 50W
希望这些参数对你有用。