一、b882三极管参数？
b882是高反压中功率晶体三极管，广泛应用于高品质节能灯、电子镇流器、开关电源和电子充电器等领域。
b882三极管参数：
极性：NPN
集电极-发射极击穿电压（BVceo）：600V
集电极电流（Ic）：3A
集电极耗散功率（Pc）：750mW
截止频率（ft）：15Mhz
储存温度（Tj）：-55℃～+150℃
产品封装：TO-126
二、3dg182b三极管参数？
3dg182b是NPN三极管，集电极最大耗散功率（PCM）：0.7 W，集电极最大允许电流（ICM）：0.3 A集电极与基极反向击穿电压（BVCBO）：100 V集电极与发射极反向击穿电压（BVCEO）：100 V集电极与基极反向漏电流（ICBO）：1 μA集电极与发射极反向漏电流（ICEO）：2 μA，特征频率（fT）：50 MHz，直流放大系数（hFE）：≥10，芯片材质：硅
三、b834三极管应用参数？
三极管应用参数输出电压32v，输入电压220v
b834三极管是半导体基本元器件之一，具有电流放大作用，是电子电路的核心元件。三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结，两个PN结把整块半导体分成三部分，中间部分是基区，两侧部分是发射区和集电区，排列方式有PNP和NPN两种。
四、b1370三极管参数？
b1370三极管参数:电压是60V，电流是3A，功率是30W。
三极管B1370 从它的电压，电流，功率来看的话，可以用B1274进行替换，而B834这个的功率就比B1370大10W。
其他的也有，只是不同类型型号，比如D313，D1912的电压，电流，功率和B1370的一样。
而B1274和B1370的一样B834的电压是60V，电流是3A，功率是40W。
五、3dg6b三极管参数？
3DG6按型号后缀不同分为四个档次，其参数如下：
耗散总功率Ptot=100mW (Tamb=25℃)
最大集电极电流ICM=20mA
最高结温TJM=175℃
集电极-基极反向击穿电压BVCBO： (IC=100μA)
3DG6A≥30V; 3DG6B≥45V; 3DG6C≥45V; 3DG6D≥45V
集电极-发射极反向击穿电压BVCEO： (IC=100μA)
3DG6A≥20V; 3DG6B≥30V; 3DG6C≥30V; 3DG6D≥40V
发射极-基极反向击穿电压BVEBO≥4V (IE=100μA)
集电极-发射极饱和压降VCE(sat)≤0.35V (IC=10mA; IB=1mA)
基极-发射极饱和压降VBE(sat)≤1.1V (IC=10mA; IB=1mA)
集电极-基极反向漏电流ICBO≤10nA (VCB=10V)
集电极-发射极反向漏电流ICEO≤10nA (VCE=10V)
发射极-基极反向漏电流IEBO≤10nA (VEB=2V)
直流电流放大倍数HFE≥30
特性频率fT：
3DG6A≥100MHz; 3DG6B≥150MHz; 3DG6C≥250MHz; 3DG6D≥150MHz
标签： 3DG6, 三极管
六、三极管b1243参数？
三极管b1243的参数
型号：C4123
类型：NPN三极管（带阻尼）
总耗散功率（Ptot）：60 W
集电极电流（IC）：7 A
集电极与基极反向击穿电压（BVCBO）：1500 V
芯片材质：硅
七、3dd102b三极管参数？
3DD102b是硅NPN低频大功率晶体管。主要参数，Pcm＝50瓦，Icm＝5A，
Bvcbo＝200v，Bvceo＝150v，Bvebo＝4v，特征频率＝1Mhz，Hfe＝＞20
八、b716三极管参数？
b716三极管是硅PNP型高频三极管，主要参数，集电极电流10mA，集电极与基极，发射极耐压140v，集电极与基极反向电流
0.5uA，特征频率150MHz，直流放大系
数250~500倍。