一、k2625场效应管参数？
场效应管参数是:N一M0SFET/耐压600V/电流9A/功率50W/。
可以替换的如下：
K2645:600V,1.2Ω,9A,50W
K2141:600V,1.1Ω,6A,35W
K3326:500V,0.85Ω,10A,40W
K1388:30V,0.022Ω,35A,60W
K1101:450V,0.5Ω,10A,50W
二、三极管2SK3528电流电压参数多少？
vdss 600v;电源电压600伏
rds(on) 0.29ohm;电阻0.29欧姆
id +/-21a; 电流强度21安培
pd 160W/A; 电位差 160
vgs +/-30v ；栅极电压±30伏
型号/规格 2SK3528
种类 结型(JFET) 沟道类型 N沟道
导电方式 增强型 用途 L/功率放大
封装外形 CER-DIP/陶瓷直插 材料 MES金属半导体
三极管，全称应为半导体三极管，也称双极型晶体管、晶体三极管，是一种控制电流的半导体器件·其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号， 也用作无触点开关。晶体三极管，是半导体基本元器件之一，具有电流放大作用，是电子电路的核心元件。三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结，两个PN结把整块半导体分成三部分，中间部分是基区，两侧部分是发射区和集电区，排列方式有PNP和NPN两种。
原理理论
晶体三极管（以下简称三极管）按材料分有两种：锗管和硅管。而每一种又有NPN和PNP两种结构形式，但使用最多的是硅NPN和锗PNP两种三极管，（其中，N表示在高纯度硅中加入磷，是指取代一些硅原子，在电压刺激下产生自由电子导电，而p是加入硼取代硅，产生大量空穴利于导电）。两者除了电源极性不同外，其工作原理都是相同的，下面仅介绍NPN硅管的电流放大原理。
对于NPN管，它是由2块N型半导体中间夹着一块P型半导体所组成，发射区与基区之间形成的PN结称为发射结,而集电区与基区形成的PN结称为集电结,三条引线分别称为发射极e （Emitter）、基极b (Base)和集电极c (Collector)。
当b点电位高于e点电位零点几伏时，发射结处于正偏状态，而C点电位高于b点电位几伏时，集电结处于反偏状态，集电极电源Ec要高于基极电源Eb。
在制造三极管时，有意识地使发射区的多数载流子浓度大于基区的，同时基区做得很薄，而且，要严格控制杂质含量，这样，一旦接通电源后，由于发射结正偏，发射区的多数载流子（电子）及基区的多数载流子（空穴）很容易地越过发射结互相向对方扩散，但因前者的浓度基大于后者，所以通过发射结的电流基本上是电子流，这股电子流称为发射极电流了。
由于基区很薄,加上集电结的反偏，注入基区的电子大部分越过集电结进入集电区而形成集电极电流Ic，只剩下很少（1-10%）的电子在基区的空穴进行复合，被复合掉的基区空穴由基极电源Eb重新补给，从而形成了基极电流Ibo.根据电流连续性原理得：
Ie=Ib+Ic
这就是说，在基极补充一个很小的Ib，就可以在集电极上得到一个较大的Ic，这就是所谓电流放大作用，Ic与Ib是维持一定的比例关系，即：
β1=Ic/Ib
式中：β1--称为直流放大倍数，
集电极电流的变化量△Ic与基极电流的变化量△Ib之比为：
β= △Ic/△Ib
式中β--称为交流电流放大倍数，由于低频时β1和β的数值相差不大，所以有时为了方便起见，对两者不作严格区分，β值约为几十至一百多。
α1=Ic/Ie(Ic与Ie是直流通路中的电流大小)
式中：α1也称为直流放大倍数，一般在共基极组态放大电路中使用，描述了射极电流与集电极电流的关系。
α =△Ic/△Ie
表达式中的α为交流共基极电流放大倍数。同理α与α1在小信号输入时相差也不大。
对于两个描述电流关系的放大倍数有以下关系
三极管的电流放大作用实际上是利用基极电流的微小变化去控制集电极电流的巨大变化。
三极管是一种电流放大器件，但在实际使用中常常利用三极管的电流放大作用，通过电阻转变为电压放大作用。
分类
a.按材质分: 硅管、锗管；
b.按结构分: NPN 、 PNP。如图所示；
c.按功能分: 开关管、功率管、达林顿管、光敏管等.；
d. 按功率分：小功率管、中功率管、大功率管；
e.按工作频率分：低频管、高频管、超频管；
f.按结构工艺分：合金管、平面管；
g.按安装方式:插件三极管、贴片三极管。
三、k3326b用什么代换？
k3326b可以用参数和它相同、性能功率一样的三极管k3485来代换。
四、k3326场效应管参数？
K3326参数:N沟道开关功率MOS管,耐压500伏,电流10A,
五、K3326能用什么代替？
场效应管k2837。种类：结型(JFET)；沟道类型：N沟道；导电方式：耗尽型；用途：L/功率放大；材料：N-FET硅N沟道。
k2837参数为：20A50V150W；23N50E为23A500V的场效应管，两种管子参数差异较小，一般维修代替没问题。用IRFP460也可以替换。
场效应管是一种电压控制器件，其特性更象电子管，它具有很高的输入阻抗，较大的功率增益，由于是电压控制器件所以噪声小。它还具有高输入阻抗，较好的热稳定性、抗辐射性。现在越来越多的电子电路都在使用场效应管，特别是在音响领域更是如此?。
六、NEC场效应管K3326的参数和可替代品的型号？
NEC的2SK3326参数：N沟道开关功率MOS管，VDSS=500伏,VGSS=+ -30伏，ID=+ -10A,PT=40W TCH=150°C, RDS(ON)=0.65-0.85欧姆。 可以用IRFP450A代替，500伏14安。 再高一个档次的有SSH10N80A，800伏10安。SSH10N90A,900伏10安。