三极管门电压

海潮机械 2023-04-02 19:43 编辑:admin 267阅读

一、什么叫门极电压?

门极电压(gate voltage)是1998年经全国科学技术名词审定委员会审定发布的电气工程名词。

门极是阴极和阳极之外的第三极,用于控制晶闸管的通断,通常这个控制极的触发电压叫做门极电压。规格不同的可控硅其门极电压也不相同。一般在5V左右,功率小的电流也小。准确的叫门极电压,常用于驱动三极管,IGBT,GTO的半导体元件的驱动信号。一般是一种脉冲形式的电压,携带信号。

二、为什么三极管ce导通电压为0.3?

因为3V,这和实际情况基本一致。在实际电路中,虽然三极管参数存在有一定的离散性,基本不会大于这个值,有时还会小一点。

深度饱和时,发射结正偏,集电结也正偏,但此时Uce并不为0,一般最小在0.3V左右,即饱和管压降。至于为什么硅管是0.3V,锗管是0.1V

三、三极管门极电压最大为多少?

三极管可分为锗三极管和硅三极管。锗三极管的基极最大电压为0.25V左右。硅三极管的基极最大电压为0.55V左右。

四、三极管的导通电压多大?

情况如下:

硅管:NPN,基极大于发射极0.7V,但实际使用0.5V左右就导通了

PNP,发射极大于基极0.7V

锗管:NPN,基极大于发射极0.3V

PNP,发射基大于基极0.3V

硅材料的NPN三级管工作在饱和区时,集电极和发射极间也会存在0.3V左右的压差。

五、三极管与门原理?

三极管与门电路原理:

当输入1为高电平+5V,输入2也为高电平+5V时,Q11基极通过R24接到+5V,发射极接地,形成回路,Q11导通,Q9发射极接+5V,基极通过R19以及导通的Q11接地,形成回路,从而Q9导通,导通后Q9的发射极和集电极压降为0.3V,则输出点电压为+4.7V,即为数字量1;当输入1为低时,Q11集电极和发射极未导通,Q9的发射极和基极无法形成回路,则Q9的集电极和发射极不能导通,输出被拉到地端,即输出数字量0。

输入2为低时,则Q9的Ueb不可能大于0.7V,即Q9的发射极与集电极不能导通,输出点电平被钳位到地端,即低电平。

六、三极管的导通电压是多少?

三极管以前用的是锗材料,导通电压是0.2V,由于热稳定性差,已淘汰了。

现在普遍使用的三极管是硅材料,导通电压是0.7V,热稳定性比较好,工作可靠性也大大提升。

七、三极管的导通电压多大?三极管的导通电压多大?

三极管的导通电压是不确定的,因为它是电流控制元件。

对于硅三极管,集电极和发射极间的饱和导通电压为0.3V左右,对于锗三极管,集电极和发射极间的饱和导通电压为0.1V左右,但是如果不是处于饱和区而是出于放大区,就不确定了,只能确定集电极电流是基极电流的β倍。

八、三极管导通时,基极电压是0.7v一直不变吗?

有说npn三极管由0.2v基极电压开始渐通,到0.7v全通即饱和状态,基极电压变不变就视乎输入电压,基极输入电压过。上限就会损坏三极管。

九、三极管的开启电压和导通电压?

在半导体中导通电压与开启电压有啥区别:

(1)昌体管变改基极电压、电流可以改变集电极与发射极之间的电流变化。

(2)硅三极管的基极电压低于0.7V,晶体管趋于截止状态集电极与发射极之间的电阻保持无穷大。基极电压到0.7V,这时集电极与发射极开始导通,这基极这一电压特性叫晶体管的开启电压。

(3)晶体管从刚开始导通到全部导通之间还有一个工作三角处,模拟电路就是晶体工作在这一三角区域,晶体管要跨过三角工作处才是全导通。

(4)施加基极电压使晶体管跃过模拟特性三角处,使晶体管全部导通的基极电压,叫做导通电压。

十、三极管开启电压和导通电压?

普通三极管,导通电压0.5-0.7V,符合二极管的特性。 正向电压就是不超过二极管正向所能承受的最大电压值。