1. 单晶硅清洗机
玉石加工工具主要有以下类型：
金刚石单晶、花岗石锯片、金刚石刀头、金刚石磨轮、金刚石钻头、金刚石异型、金刚石钻头、玉石锯片、角磨机、打磨机、抛光机、金钢砂钻头、砂纸、布轮、牛皮轮、金钢砂锉等。
2、玉石加工设备有一下几种： 超声波打孔雕刻机、切粒机、打角机、中盘机、沃珠机、手工打孔机、抛光机、清洗机、定型机、冲胚机等宝石机械及其相应配件、玉石雕刻机、数码超声波清洗机等。
玉石加工工具功能 玉石加工工具功能主要有以下： (1)、铡铊：当于圆形锯，安装于磨玉机上，转起来带动金刚砂，用于铡去墨线以外的无用部分。工艺上又分 为摽、抠、划。摽是切棱挂角；抠是指两个角度歪线切割，剜取中间部分；划是切和抠的反复运用。这些均用于造型出坯工艺。
(2)、錾铊：是小型铡铊或钻石粉錾铊，可用于出坯，以及根据凸凹深度进一步錾去无用部分。
(3)、碗铊：用于旋碗。
(4)、冲铊：用于冲磨大的平面。 (5)、磨铊：用于大小不同的磨铊磨出大样，如手、人头等等，使作品出具较致细模样。
(6)、轧铊：有平口轧铊、快口轧铊、膛铊等，主要用于造型进一步加细，有推搬、叠挖、顶撞等功能。
(7)、勾铊：用于勾出更细致的文饰。 (8)、钉铊：功能较多，它的快口既切割又碾轧，用平面还可以顶撞，向里面掏掖。 (9)、擦条：用于磨孔眼不平处。钻石粉工具，就是琢玉工具表层有钻石粉，其功能与铁工具相仿，有切铡用的，也有碾轧磨的，由于钻石硬度最大，用于琢玉，功率为提高。钻孔工具有钻弓、钻杆、管钻等，可用硬质合金铜或色镶钻石作工具头。抛光工具有胶铊、木铊、葫芦铊、皮铊、刷铊、皮带子等。
除了磨玉机和工具外，琢玉还必须有辅助材料，其主要是磨料和抛光粉。磨料起切削作用，有天然的石英砂，石榴子石砂、刚玉砂，也有人工合成的碳化硅、碳化硼、钻石粉等。目前用人工合成的磨料，天然磨料已不使用。抛光粉种类很多，多是各种氧化物。
2. 全自动硅片腐蚀清洗机
一、如何选择超声波清洗机的功率。
超声波清洗机的功率大时，声强会变大，空化泡的半径与起始半径会变大，空化强度增强。即声强越高，空化越强，有利于清洗作用。但并不是功率越大，对清洗效果越好，而是正确合理的选择超声波功率。声功率越高，空化效果越明显，会产生大量的无用的汽泡，增加衍射衰减，形成声屏障。同时声强越大增加非线性衰减，会影响远离声源的待清洗部件的清洗效果。并且，清洗振板的空化腐蚀更加严重，造成设备寿命变短。超声波的清洗功率选择偏小，则影响工件清洗的时间，造成清洗时间偏长或清洗效果偏差。因此，一般我们在选择超声波清洗设备的时候，工件一般高度在30cm以内的话，那么选择的超声波清洗设备的内槽高度在40cm左右时，选择底部单块振板即可，功率保持在0.3~0.5W每平方厘米。如果工件偏大，或者每次清洗的量偏多时，我们选择的槽体高度在40cm以上，一般会按照升功率来算，一般选择在11w/L。二、如何选择超声波清洗机的频率。超声波空化阀值与频率有密切关系。频率越高，空化阀值越高。频率低，空化阀值越低，越容易产生空化。在低频情况下，液体受到压缩与稀疏作用的时间间隔更长。使气泡能生长到更大尺寸，增强空化强度，有利于清洗作用。所以低频超声波清洗一般在大型部件表面或者污物与工件表面粘合度高的情况下使用。但易损伤腐蚀工件表面。所以对工件表面要求较高的零件不适合选择较低的频率。而且频率低，产生的噪音也相应偏大。高频率的超声波穿透力较强，宜清洗清洗表面光洁度要求较高或表面复杂、盲孔较多的部件。另一方面高频超声波的噪音也偏小，适合于清洗一些精密零件，如一些电子零件、小型轴承加工、磁性材料等。而对于一些特殊工件如集成电路芯片、硅片镀膜的清清则选则更高频率的超声波来进行清洗为宜。而对于一些大的工件如汽车发动机、阀门等大型工件应选择低频的超声波进行清洗。另一方面超声波清洗效果及经济性来考虑，一般选取频率在20~130KHz。具体选择频率应做相应的实验来确定。
3. 硅片自动清洗机
rca清洗全称是工业标准湿法清洗工艺。RCA是一种典型的、普遍使用的湿式化学清洗法，该清洗法主要包括以下几种清洗液：
（1）SPM：H2SO4 /H2O2 120～150℃ SPM具有很高的氧化能力，可将金属氧化后溶于清洗液中，并能把有机物氧化生成CO 2和H2O。用SPM清洗硅片可去除硅片表面的重有机沾污和部分金属，但是当有机物沾污特别严重时会使有机物碳化而难以去除。
（2）HF(DHF)：HF(DHF) 20～25℃ DHF可以去除硅片表面的自然氧化膜，因此，附着在自然氧化膜上的金属将被溶解到清洗液中，同时DHF抑制了氧化膜的形成。因此可以很容易地去除硅片表面的Al，Fe，Zn，Ni等金属，DHF也可以去除附着在自然氧化膜上的金属氢氧化物。用DHF清洗时，在自然氧化膜被腐蚀掉时，硅片表面的硅几乎不被腐蚀。
（3）APM (SC-1）：NH4OH/H2O2 /H2O 30～80℃ 由于H2O2的作用，硅片表面有一层自然氧化膜(SiO2)，呈亲水性，硅片表面和粒子之间可被清洗液浸透。由于硅片表面的自然氧化层与硅片表面的Si被NH 4OH腐蚀，因此附着在硅片表面的颗粒便落入清洗液中，从而达到去除粒子的目的。在 NH4OH腐蚀硅片表面的同时，H2O 2又在氧化硅片表面形成新的氧化膜。
（4）HPM (SC-2)：HCl/H2O2/H2 O 65～85℃ 用于去除硅片表面的钠、铁、镁等金属沾污。在室温下HPM就能除去Fe和Zn。
4. 硅片清洗机 苏州
1、硅片晶圆超声波清洗机能清洗硅片。
2、硅片晶圆生产清洗工艺中，使用超声波清洗机有效去除硅片晶圆表面的有机物、颗粒、金属杂质、自然氧化层及石英、塑料等附件器皿的污染物，且不破坏晶片表面特性。根据不同清洗工艺配置相应的清洗单元，各部分有独立控制，随意组合。
3、硅片的清洗在半导体制作过程中十分重要，而磨片的清洗是所有清洗工序中最困难的。由于使用了硅片超声波清洗机，通过物理渗透作用，使污染颗粒脱离硅片表面，再通过超声波清洗的机械作用和化学腐蚀作用，最终去除污染颗粒，达到了清洗硅片的目的。
5. 硅片清洗机操作说明
清洗机上部通风口是危险源，假如不通风有剧烈爆燃的可能，其他假如有危险化学品也算