mos驱动隔离变压器用什么磁芯？

一、mos驱动隔离变压器用什么磁芯？

变压器用什么磁芯并不决定于用什么驱动。

二、mos管驱动变压器如何选择？

　　mos管变压器驱动搞定方案的优点是延迟非常低，可以在很高的压差下工作。缺点是需要很多的元件并且对变压器的运行有比较深入的认识。初次级不少于20T，使初次级信号很好的耦合。高频信号选择铁氧体带气隙的磁芯，避免饱和。

　　必须在源边电路加隔直电容，起到的作用是提供重新启动电压，如果没有该电容，变压器的磁化电压和占空比相关，变压器磁性可能饱和。

三、mos管驱动变压器绕制方法？

MOS管驱动器变压器的绕组越接近磁心表面漏感越小，绕组匝数越少，越容易作到这点；另外磁心的电感系数越高、磁导率越高，导磁能力越好，漏感越小。所以大多驱动变压器、网络变压器都用高导材料来做。

另外在一个变压器中分布电容和漏感是两个矛盾的参数，但是通过绕制方法可以折中处理。对于上升沿的时间和下降沿的时间，磁心材料尤其是绕制工艺是非常关键的。

四、MOS管驱动电阻的选择？

选择MOS管的驱动电阻应考虑以下因素：

1.根据MOS管的额定电流和工作电压选择合适的功率电阻；

2.根据MOS管的输入电容和驱动电路的频率选择合适的阻值以确保迅速充放电；

3.根据MOS管的开关速度和驱动要求选择低电阻值以降低功耗和热量；

4.确保电阻的功率额定值大于所需功率来避免过载。最好参考MOS管的数据手册和相关驱动电路设计指南进行选择。

五、mos管驱动电阻大小的影响？

MOS管驱动电阻的大小对其性能和工作特性有着重要影响。下面是一些相关影响：

1. 开关速度：较小的驱动电阻可以提供更高的开关速度，因为它能够更快地充放电MOS管的栅极电荷。这可以减少开关过程中的延迟时间，提高系统的响应速度。

2. 功耗：较小的驱动电阻可以减少功耗。当驱动电阻较大时，为了充放电MOS管的栅极电荷，需要更多的能量。而较小的驱动电阻可以更有效地利用能量，减少功耗。

3. 热稳定性：较小的驱动电阻可以提高MOS管的热稳定性。较大的驱动电阻会导致在高负载或高工作温度下产生较大的功耗，可能引起过热问题。较小的驱动电阻可以减少功耗和热量，提高系统的热稳定性。

4. 噪声容忍度：较小的驱动电阻可以提高系统对噪声的容忍度。较大的驱动电阻会增加系统对外部噪声的敏感性，可能导致误触发或不稳定的开关行为。较小的驱动电阻可以减少这种影响，提高系统的可靠性。

需要注意的是，驱动电阻的选择也需要考虑其他因素，如驱动电流的要求、电压峰值的限制等。因此，在具体的应用中，需要根据实际情况综合考虑和选择合适的驱动电阻大小。

六、用光耦驱动MOS管，控制电机的时候，MOS管持续导通是什么原因(附电路图)？

Q1加下拉电阻10K左右，7805改成7810-7815都可以，场效应管的是电压驱动的，必须要加下拉电阻，栅极不能悬空

七、三极管驱动mos管的原理？

1.符号MOS管一般可以简化为三个极,分别是栅极(G)源极(S)和漏极(D),MOS器件是...

2.截止区NMOS管的如果栅压小于阈值电压,MOS管相当于两个背靠背的二极管,不导通;

3.线性区NMOS如果栅上加正电压,就会在其下感应出相反极性的负电荷,从而产生N型沟道,

4.饱和区NMOS在漏极电压比较高时,会使沟道夹断,之后即使电压升高,电流不会再升高,

八、MOS管驱动芯片的供电电流如何算？

导通内阻用工具无法测量，但是可以根据以下公式判断：R=U/I。也即，导通时候电流I可以测量，MOS管压降U可以测量（供电电压减去负载电压）。这个方法是我们曾经做电机驱动时候的计算方式，但是，导通内阻跟Vgs有一定关系，也就是说MOS没有完全导通时候内阻会大，毕竟MOS是电压驱动型器件。

另外手册上的Rds（on）基本上就是该元件典型的内阻，只要完全导通，误差不很大。

九、mos管驱动芯片负压怎么产生的？

MOS管驱动芯片负压是通过MOS管驱动芯片内部电路产生的。MOS管驱动芯片内部电路由多个场效应晶体管组成，当工作电压施加到MOS管驱动芯片时，场效应晶体管将电流增强并反向驱动MOS管的栅极，从而使MOS管导通。在MOS管切换的过程中，由于电感、电容等元件的存在，将产生浪涌电压，此时场效应晶体管工作在反向区，导致场效应晶体管的漏极与源极之间的电子受到强烈的反向电压作用，并产生“反向漏”电流，最终产生负压。MOS管驱动芯片负压产生的原因可能非常复杂，在实际应用中需要根据电路的具体情况进行综合分析和设计。

十、怎么用5v单片机驱动mos管，图腾柱，还是驱动ic电路图的最后？

如果开关速度不高的话，单片机可以直接驱动MOS 管，速度高时加一级普通三极管放大。

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