一、该选择什么蕊片，升压电感，开关MOS管。谢谢？
UC3854驱动，IRF460 管子，铁硅铝磁芯即可。网上有资料的，电源论坛可以去看看。
二、mos管的寿命？
大功率MOS管一般是十万小时以上(每天工作6-7小时可用30年).运放数字稳压IC,核心元器件（CPU、MCU、DSP）属多种元件混合,里面单个元件也是十万小时以上,厂家出厂时也只能保正万分之一的损坏率,使用当中最多也只能保5年,一般是1-3年
三、MOS管过大电流时关断为什么会出现尖峰电压？
MOS管在承受过大电流时，由于电流过载，导致芯片内部的温度急剧升高，使得芯片内部的结构和联系因热应力而出现微小的损坏，这些微小的损坏会使得MOS管的电压突然反转，出现尖峰电压。
另外，在MOS管关断时，由于管子内部的电荷和电感的存在，电流并不会立即停止流动，而是会产生过渡过程，这个过渡过程就是电流快速变化，从而导致尖峰电压的问题。
尖峰电压一般会对MOS管产生较大的冲击，对于一些灵敏的电子元件会产生瞬间的损坏，因此，在使用MOS管的过程中，需要注意控制电压和电流，以避免MOS管因为电流过载而导致尖峰电压的问题。同时也要注意在设计电路时，为MOS管添加合适的保护电路，以减小尖峰电压对电路的损害。
四、mos管漏极电容的作用？
这是用来起阻尼作用的！对MOS起保护作用！同时还有均压的作用，可以保证串联的管子的工作电压。实在不行换一个 或者在硬之城上面找找这个型号的资料。
尖峰吸收电路，用来吸收mos管开关瞬间电感产生的高压避免损坏mos管的，同时消耗谐波能量降低辐射。
五、mos管的电容是指？
寄生电容是指电感，电阻，芯片引脚等在高频情况下表现出来的电容特性。实际上，一个电阻等效于一个电容，一个电感，一个电阻的串联，低频情况下表现不明显，而高频情况下，等效值会增大。在计算中我们要考虑进去。
ESL就是等效电感，ESR就是等效电阻。不管是电阻，电容，电感，还是二极管，三极管，MOS管，还有IC，在高频情况下要考虑到等效电容值，电感值。
我们可看做是我们的各个管脚之间都是串接了一个电容在其旁边，由于MOS管背部存在寄生电容，这会影响到我们的MOS管的开关断的时间。
故此，如果MOS的开关速度很快的情况下，建议选型优先考虑到本身MOS管器件的内部的寄生电容的影响。
电容随着VDS电压的增加而减小，尤其是输出电容和反向传输电容。当电压增加时，和VDS相关电容的减小来源于耗尽层电容减小，耗尽层区域扩大。然而相对于CGD，CGS受电压的影响非常小，CGD受电压影响程度是CGS的100倍以上。
六、主板mos和电感谁温度更高？
主板mos温度高。
因为开关电源中电容，电阻损耗小，热量小，而mos这种关键元器件，具有开关损耗的，且mos具有一定的内阻，这两个损耗加起来会导致mos温升很高，一般半导体要求结温控制在150°以内，外表温度最好不要超过130° 温度越低寿命越长，所以需要散热，一般就PCB大面积敷铜，或者开天窗，有条件就用铝散热片 其实电感也有一定的损耗，虽然它是无功耗原件，但是它有阻抗的，也会产生不小的热量
七、电感的时间常数？
在看精通开关电源时，发现老外对待知识的态度，基础而研究。再讲开关电源的电感特性时，他从电容的特性入手，以电容的电压特性阐释了电感的电流特性，当电感回路中没有电阻时，电流会一直存在下去，电压为零。感觉对一阶电路 二阶电路的知识需要了解，巩固一下。做了一下总结。
开关电源(2)--电容与电感时间常数
对于电容有公式一，根据公式可以得出公式二，
根据一阶电路的解法，一阶电路包含特接与自由解，解得公式三：
开关电源(2)--电容与电感时间常数
电容的充电速度只于RC有关，RC为充电时间常数，时间常数越大充电时间越长，时间常数为0.3 ，05. 08
开关电源(2)--电容与电感时间常数
电容的电压与电感的电流十分相似，都不能突变
电感在上电瞬间电流变化与电容的电压波形相似，但是电感的时间常数为i=L/R，当R越小时，时间常数越大。原因是在不存在R时，L*di/dt=u。u为电源电压定值，电流的斜率为定值，电流直线上升，斜率为定值；随着R的存在，随着电流变大，R的分压变大，斜率变小，逐渐为零，R越大时间常数越小。
在开关电源中，电源的电阻比较小，mos开关的内阻都比较小，所以电感的电流可以看成直线锯齿波，上升下降，不断循环
L、C元件称为“惯性元件”，即电感中的电流、电容器两端的电压，都有一定的“电惯性”，不能突然变化。充放电时间，不光与L、C的容量有关，还与充/放电电路中的电阻R有关。“1UF电容它的充放电时间是多长？”，不讲电阻，就不能回答。
RC电路的时间常数：τ=RC
充电时，uc=U×[1-e(-t/τ)] U是电源电压，uc为电容两端电压
放电时，uc=Uo×e(-t/τ) Uo是放电前电容上电压
RL电路的时间常数：τ=L/R
LC电路接直流，i=Io[1-e(-t/τ)] Io是最终稳定电流
LC电路的短路，i=Io×e(-t/τ)] Io是短路前L中电流
设V0 为电容上的初始电压值；V1 为电容最终可充到或放到的电压值；Vt 为t时刻电容上的电压值。则:
Vt=V0 +（V1-V0）× [1-e(-t/RC)]
或
t = RC × Ln[(V1 - V0)/(V1 - Vt)]
例如，电压为E的电池通过R向初值为0的电容C充电,V0=0，V1=E，故充到t时刻电容上的电压为：
Vt=E × [1-e(-t/RC)]
再如，初始电压为E的电容C通过R放电 , V0=E，V1=0，故放到t时刻电容上的电压为：
Vt=E × e(-t/RC)
又如，初值为1/3Vcc的电容C通过R充电，充电终值为Vcc，问充到2/3Vcc需要的时间是多少？
V0=Vcc/3，V1=Vcc,Vt=2*Vcc/3，故 t=RC × Ln[(1-1/3)/(1-2/3)]=RC × Ln2 =0.693RC
八、mos并联驱动电路详解？
关于这个问题，MOS并联驱动电路是一种电路拓扑结构，它由多个MOS管并联组成，用于驱动大功率负载的电路。该电路的特点是输出电流大、输出电压低、响应快、能够适应不同的负载。
MOS并联驱动电路的基本原理是利用多个MOS管并联，将输入信号分配到各个MOS管上，从而达到增大输出电流的目的。由于MOS管具有低电阻、高可靠性、高速开关等特点，因此能够满足高速、高精度的驱动要求。
MOS并联驱动电路的结构一般由输入端、并联MOS管、输出端和电源组成。输入端接受控制信号，经过信号处理后通过驱动电路输入到并联MOS管中。输出端接受并联MOS管的输出信号，将其输出到负载中。电源为整个电路提供工作电压和电流。
在MOS并联驱动电路中，每个MOS管都有其独立的驱动电路。当输入信号到达时，各个驱动电路将其分配到各个MOS管上，同时控制各个MOS管的开关动作，从而产生输出信号。由于多个MOS管并联，因此输出电流可以相应地增大，同时输出电压可以降低，从而适应不同的负载。
总之，MOS并联驱动电路是一种高速、高精度、高可靠性的电路拓扑结构，能够满足驱动大功率负载的要求。其主要优点包括输出电流大、输出电压低、响应快、能够适应不同的负载等。对于需要驱动大功率负载的应用场合，MOS并联驱动电路是一种很好的选择。
九、mos管EAS怎么理解？
EAS是单脉冲雪崩击穿能量，它标定了器件可以安全吸收反向雪崩击穿能量的高低。如果电压过冲值（通常由于漏电流和杂散电感造成）未超过击穿电压，那器件不会发生雪崩击穿，因此也就不需要消散雪崩击穿的能力。
雪崩击穿能量标定了器件可以容忍的瞬时过充电压的安全值，其依赖于雪崩击穿需要消散的能量。
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