一、一般电容的击穿电压是多少？
要看电容的额定耐压，击穿电压通常是额定电压的两倍以上。
例如63V的电容击穿电压会在120V以上，100V的电容击穿电压会在200V以上。
两个相互靠近的导体，中间夹一层不导电的绝缘介质，这就构成了电容器。当电容器的两个极板之间加上电压时，电容器就会储存电荷。电容器的电容量在数值上等于一个导电极板上的电荷量与两个极板之间的电压之比。电容器的电容量的基本单位是法拉(F)。在电路图中通常用字母C表示电容元件。
二、MOS的电压幅度是什么意思？
Mosfet参数含义说明 Features:
1、Vds： DS击穿电压.当Vgs=0V时，MOS的DS所能承受的最大电压 Rds(on)：DS的导通电阻.当Vgs=10V时，MOS的DS之间的电阻 Id： 最大DS电流.会随温度的升高而降低 Vgs: 最大GS电压.一般为：-20V~+20V
2、Idm: 最大脉冲DS电流.会随温度的升高而降低，体现一个抗冲击能力，跟脉冲时间也有关系
3、Pd: 最大耗散功率
4、Tj: 最大工作结温，通常为150度和175度 Tstg: 最大存储温度 Iar: 雪崩电流
5、Ear: 重复雪崩击穿能量
6、Eas: 单次脉冲雪崩击穿能量 BVdss： DS击穿电压
7、Idss: 饱和DS电流，uA级的电流 Igss: GS驱动电流，nA级的电流. gfs: 跨导
8、Qg: G总充电电量 Qgs: GS充电电量 Qgd: GD充电电量
9、Td(on): 导通延迟时间，从有输入电压上升到10%开始到Vds下降到其幅值90%的时间 Tr: 上升时间，输出电压 VDS 从 90% 下降到其幅值 10% 的时间 Td(off): 关断延迟时间，输入电压下降到 90% 开始到 VDS 上升到其关断电压时 10% 的时间
10、Tf: 下降时间，输出电压 VDS 从 10% 上升到其幅值 90% 的时间 ( 参考图 4) 。 Ciss: 输入电容，Ciss=Cgd + Cgs. Coss: 输出电容，Coss=Cds +Cgd. Crss: 反向传输电容，Crss=Cgc.
三、nmos的击穿电压？
然而在不需要很高的电压的情况下，使用大面的LDMOS对项目的成本增加很多。
例如在非易失存储器中的MOS管承受的电压1V左右，而一般0.13um工艺下NMOS管的击穿电压大约为10V，因此电路设计需要击穿电压能够达到12V以上的MOS管，小幅度提高MOS管的击穿电压，增强电路的可靠性。
四、电容器被击穿的条件是什么？
电容器被击穿的条件达到击穿电压。击穿电压是电容器的极限电压，超过这个电压，电容器内的介质将被击穿．额定电压是电容器长期工作时所能承受的电压，它比击穿电压要低．电容器在不高于击穿电压下工作都是安全可靠的，不要误认为电容器只有在额定电压下工作才是正常的。定义 PN 结发生临界击穿对应的电压为 PN 结的击穿电压 BV，BV 是衡量 PN结可靠性与使用范围的一个重要参数，在 PN 结的其它性能参数不变的情况下，BV 的值越高越好。
五、电容器击穿电压定义是什么？
一般来说电容器击穿电压是电容器的极限电压，超过这个电压，电容器内的介质将被击穿。
电容器两极板间随着充电电荷的增加，极板间的电压差也在增大，极板间的电场强度增大，当极板间电压大到一定程度时，极板间的电场将极板间的电介质电离成导电离子，这样两极板间形成瞬时强大的电流，这时电容就被击穿了，这个电压叫击穿电压。