1. 光敏电阻的特性
光敏电阻（photoresistor or light-dependent resistor，后者缩写为ldr）或光导管（photoconductor），常用的制作材料为硫化镉，另外还有硒、硫化铝、硫化铅和硫化铋等材料。这些制作材料具有在特定波长的光照射下，其阻值迅速减小的特性。这是由于光照产生的载流子都参与导电，在外加电场的作用下作漂移运动，电子奔向电源的正极，空穴奔向电源的负极，从而使光敏电阻器的阻值迅速下降。
光敏电阻是用硫化镉或硒化镉等半导体材料制成的特殊电阻器，其工作原理是基于内光电效应。光照愈强，阻值就愈低，随着光照强度的升高，电阻值迅速降低，亮电阻值可小至1KΩ以下。光敏电阻对光线十分敏感，其在无光照时，呈高阻状态，暗电阻一般可达1.5MΩ。光敏电阻的特殊性能，随着科技的发展将得到极其广泛应用。
2. 光敏电阻的特性是有光时量电阻很大
光敏电阻是一种特殊的电阻，简称光电阻，又名光导管。它的电阻和光线的强弱有直接关系。光强度增加，则电阻减小；光强度减小，则电阻增大。 原理当有光线照射时，电阻内原本处于稳定状态的电子受到激发，成为自由电子。所以光线越强，产生的自由电子也就越多，电阻就会越小。
3. 光敏电阻的特性参数
光敏性是电阻由于光照导致其自身电阻阻值改变的性质。光敏性应该是电阻由于光照导致其自身电阻阻值改变的性质。
测定光敏性的试验是将不同强度的光照射到导体电阻上，然后利用电流表和电压表近似的测出电阻的相应阻值，并纪录下试验数据（包括光强和阻值），然后利用公式计算出光敏系数。
4. 光敏电阻的特性实验报告
1、伏安特性曲线。伏安特性曲线用来描述光敏电阻的外加电压与光电流的关系，对于光敏器件来说，其光电流随外加电压的增大而增大。
2、光照特性。光照特性指光敏电阻输出的电信号随光照度而变化的特性。随着的光照强度的增加，光敏电阻的阻值开始迅速下降。若进一步增大光照强度，则电阻值变化减小，然后逐渐趋向平缓。在大多数情况下，该特性为非线性。
5. 光敏电阻的特性是
光敏电阻的主要参数：
光电流、亮电阻--光敏电阻器在一定的外加电压下，当有光照射时，流过的电流称为光电流，外加电压与光电流之比称为亮电阻，常用“100LX”表示。
暗电流、暗电阻--光敏电阻在一定的外加电压下，当没有光照射的时候，流过的电流称为暗电流。外加电压与暗电流之比称为暗电阻，常用“0LX”表示(用照度计测量光的强弱，其单位为拉克斯lx)。
灵敏度--灵敏度是指光敏电阻不受光照射时的电阻值（暗电阻）与受光照射时的电阻值（亮电阻）的相对变化值。
光谱响应--光谱响应又称光谱灵敏度，是指光敏电阻在不同波长的单色光照射下的灵敏度。若将不同波长下的灵敏度画成曲线，就可以得到光谱响应的曲线。
光照特性--光照特性指光敏电阻输出的电信号随光照度而变化的特性。从光敏电阻的光照特性曲线可以看出，随着的光照强度的增加，光敏电阻的阻值开始迅速下降。若进一步增大光照强度，则电阻值变化减小，然后逐渐趋向平缓。在大多数情况下，该特性为非线性。
伏安特性曲线--在一定照度下，加在光敏电阻两端的电压与电流之间的关系称为伏安特性。在给定偏压下,光照度较大，光电流也越大。在一定的光照度下，所加的电压越大，光电流越大，而且无饱和现象。但是电压不能无限地增大，因为任何光敏电阻都受额定功率、最高工作电压和额定电流的限制。超过最高工作电压和最大额定电流，可能导致光敏电阻永久性损坏。
温度系数--光敏电阻的光电效应受温度影响较大，部分光敏电阻在低温下的光电灵敏较高，而在高温下的灵敏度则较低。
额定功率--额定功率是指光敏电阻用于某种线路中所允许消耗的功率，当温度升高时，其消耗的功率就降低。
6. 光敏电阻的特性实验
一。系统误差：
(1).电流表与电压表内阻以及导线内阻接触电阻对实验的影响；
(2).最小二乘法拟合中对I0的忽略导致的误差；
(3).因为导线的接入导致遮光罩没有完全密封；
(4).万用表及变阻箱造成的误差. (5).导线的接入电阻.
二。随机误差
7. 光敏电阻的特性是光照度越大,则它的电阻值越大
光敏电阻的阻值随着入射光的强弱而改变通过实验测得光敏电阻R1的阻值与光强E之间的关系：
由表中数据可知，光强E与光敏电阻R的乘积是定值，即 ExR=18cdxΩ，
当光敏电阻受光照射时，其阻值将发生变化。光照越强，它的电阻值越低。这情况下电压与勒克斯就可以有关连。
而一般光敏电阻参数是以某一个光照度lux对应一个光敏电阻阻值