1. 光刻机的光学镜头有什么用
光刻机的高端镜头需要人工打磨
2. 光刻机的光学镜头有什么用处
主要是光电、化工、机械等高端技术。
euv光刻机核心系统涉及很多的高端技术，比如euv光源是13.5纳米极紫外光光源，是由激光轰击锡滴雾化微粒产生的，目前只有美国一家公司能够提供。再比如德国蔡司光学镜头组，其镜头平整度为全球最顶级的。还有超高精度双工件台技术、光刻胶技术、金属化工气象离子沉积技术等等。
3. 光刻机的光学镜头有什么用途
光刻机有三大核心部件，EUV光源、双工件台、光学镜头。EUV光刻机零部件高达十万个，涉及面广，28纳米以下制程的EUV光刻机至少需要3至10的攻关突破。衡量指标就是数值孔径（NA），一般透镜数值孔径越大，收光能力越大、分辨率越高。因为EUV的镜头与上一代DUV光学系统完全不同，所以数值孔径大大降低。
4. 光刻机是用来做什么的
一、用途
光刻机是芯片制造的核心设备之一，按照用途可以分为好几种：有用于生产芯片的光刻机；有用于封装的光刻机；还有用于LED制造领域的投影光刻机。
用于生产芯片的光刻机是中国在半导体设备制造上最大的短板，国内晶圆厂所需的高端光刻机完全依赖进口，本次厦门企业从荷兰进口的光刻机就是用于芯片生产的设备。
二、工作原理
在加工芯片的过程中，光刻机通过一系列的光源能量、形状控制手段，将光束透射过画着线路图的掩模，经物镜补偿各种光学误差，将线路图成比例缩小后映射到硅片上，然后使用化学方法显影，得到刻在硅片上的电路图。
一般的光刻工艺要经历硅片表面清洗烘干、涂底、旋涂光刻胶、软烘、对准曝光、后烘、显影、硬烘、激光刻蚀等工序。经过一次光刻的芯片可以继续涂胶、曝光。越复杂的芯片，线路图的层数越多，也需要更精密的曝光控制过程。
5. 光刻机有啥用
光刻机（Mask Aligner）又名：掩模对准曝光机，曝光系统，光刻系统等，是制造芯片的核心装备。它采用类似照片冲印的技术，把掩膜版上的精细图形通过光线的曝光印制到硅片上。光刻机的种类可分为：接触式曝光、接近式曝光、投影式曝光。
光刻机的工作原理是通过一系列的光源能量、形状控制手段，将光束透射过画着线路图的掩模，经物镜补偿各种光学误差，将线路图成比例缩小后映射到硅片上。然后使用化学方法显影，得到刻在硅片上的电路图。一般的光刻工艺要经历硅片表面清洗烘干、涂底、旋涂光刻胶、软烘、对准曝光、后烘、显影、硬烘、激光刻蚀等工序。光刻机的制造和维护需要高度的光学和电子工业基础，因此，世界上只有少数厂家掌握。
6. 光刻机的光源和镜头
光刻用极紫外光是目前最好的光源。
EUV光刻机光源通常指荷兰阿斯麦尔的13.5纳米极紫外光光源，又称极端紫外线辐射，是指电磁波谱中波长从121 纳米到10 纳米的电磁辐射。自然现象，如太阳日冕等高温天体，可以产生极紫外光；人工方法，包括：等离子体和同步辐射光源等。单个皮秒激光脉冲产生140万亿个光子，成为具有极高的亮度且波长完全可调的极紫外自由电子激光光源。目前来说这是能量最高波长最小的纳米级光源。
7. 光刻机 光学镜头
首先，二者发光原理不同。
DUV光刻机光源为准分子激光，而EUV光刻机则是激光激发等离子来发射EUV光子。通过不同方式，二者发出的光源也不同。其中，DUV光刻机的波长能达到193纳米，而EUV光源的波长则为13.5纳米。
二者之间的差距十分明显，波长越短，所能实现的分辨率越高。这让EUV光刻机能够承担高精度芯片的生产任务。
其次，二者的光路系统有着明显的差异。
DUV光路主要利用光的折射原理。其中，浸没式光刻机会在投影透镜与晶圆之间，填入去离子水，使得193nm的光波等效至134nm；而干法光刻机则不会如此，其介质为空气。
而EUV光刻机则是利用的光的反射原理，内部必须为真空操作。这是因为，EUV光刻机的光源极易被介质吸收，只要真空才能最大程度保证光源能量不被损失。
最后，EUV光刻机镜头难度更大。
目前，ASML的EUV光刻机的光学模组，需要依赖于德国蔡司，其他供应商难以担起此重任。为尽可能保证EUV光源能量不被损失，反射透镜对光学精度的要求极高，并且反射透镜表面还要镀有采用Mo/Si的多层膜结构。
8. 光刻机的光线
有轻微辐射。光刻分为曝光和涂布，曝光有辐射，但是没有想象的那么恐怖，没太大影响，涂布没有辐射但是会碰到一些化学品如显影液，光刻胶等。光刻工艺中最危险的不是辐射，而是一些化学品，如光刻胶。光刻机不用x射线是因为x射线的穿透力太强，所以他不能够与光刻的材料发生作用就穿透过去了，所以不能用做光刻机的光线。