1. 简单金属探测器电路图
大功率金属探测器：大功率金属探测器的工作原理是基于 金属在交变磁场中会产生涡流，从而使线圈的损耗增加，电感量变化的原理制成的。
因而大功率金属探测器的电路组成为：一个空心线圈与电容器构成的高频振荡器，加一个选频放大器，输出指示电表等构成。
2. 简易金属探测器电路图
刻蚀机和光刻机的区别：光刻机把图案印上去，然后刻蚀机根据印上去的图案刻蚀掉有图案（或者没有图案）的部分，留下剩余的部分。
刻蚀相对光刻要容易。如果把在硅晶体上的施工比成木匠活的话，光刻机的作用相当于木匠在木料上用墨斗划线，刻蚀机的作用相当于木匠在木料上用锯子、凿子、斧子、刨子等施工。蚀刻机和光刻机性质一样，但精度要求是天壤之别。木匠做细活，一般精确到毫米就行。做芯片用的刻蚀机和光刻机，要精确到纳米。
现在的手机芯片，如海思麒麟970，高通骁龙845都是台积电的10纳米技术。10纳米有多小呢？
打个比方。如果把一根直径是0.05毫米头发丝，按轴向平均剖成5000片，每片的厚度大约就是10纳米。现在世界上最先进的光刻机是荷兰的ASML公司，最小到10纳米。台积电买的都是它的光刻机。
ASML公司实际上是美国、荷兰、德国等多个国家技术合作的结果。因为这方面的研究难度太大，单个国家完成不了。除了ASML，世界上只有我们还在高端光刻机上努力研发。
我们是受到技术禁运的，不能买他最先进的产品，国内上海量产的是90纳米的光刻机。技术上有差距。2017年，长春光机所“极紫外光”技术获得突破，预计能达到22-32纳米，技术差距缩小了。
我相信，不久的将来，我们的科技人员一定能研制出世界一流的光刻机，不再被卡脖子。核心技术、关键技术、国之重器必须立足于自己。科技的攻关要摒弃幻想，靠我们自己。
我们刻蚀机技术已经突破，5纳米的刻蚀机我们也能自主生产，现在卡脖子的是光刻机。在芯片加工过程中，光刻机放样，刻蚀机施工，清洗机清洗。然后反复循环几十次，一般要500道左右的工序，芯片——也就是晶体管的集成电路才能完成。放样达不到精度，刻蚀机就失去用武之地了。
什么是光刻机
光刻机（Mask Aligner） 又名：掩模对准曝光机，曝光系统，光刻系统等。一般的光刻工艺要经历硅片表面清洗烘干、涂底、旋涂光刻胶、软烘、对准曝光、后烘、显影、硬烘、刻蚀等工序。
Photolithography（光刻）意思是用光来制作一个图形（工艺）；在硅片表面匀胶，然后将掩模版上的图形转移光刻胶上的过程将器件或电路结构临时“复制”到硅片上的过程。
光刻的目的
使表面具有疏水性，增强基底表面与光刻胶的黏附性。
光刻机工作原理
测量台、曝光台：承载硅片的工作台，也就是本次所说的双工作台。
光束矫正器：矫正光束入射方向，让激光束尽量平行。
能量控制器：控制最终照射到硅片上的能量，曝光不足或过足都会严重影响成像质量。
光束形状设置：设置光束为圆型、环型等不同形状，不同的光束状态有不同的光学特性。
遮光器：在不需要曝光的时候，阻止光束照射到硅片。
能量探测器：检测光束最终入射能量是否符合曝光要求，并反馈给能量控制器进行调整。
掩模版：一块在内部刻着线路设计图的玻璃板，贵的要数十万美元。
掩膜台：承载掩模版运动的设备，运动控制精度是nm级的。
物镜：物镜由20多块镜片组成，主要作用是把掩膜版上的电路图按比例缩小，再被激光映射的硅片上，并且物镜还要补偿各种光学误差。技术难度就在于物镜的设计难度大，精度的要求高。
硅片：用硅晶制成的圆片。硅片有多种尺寸，尺寸越大，产率越高。题外话，由于硅片是圆的，所以需要在硅片上剪一个缺口来确认硅片的坐标系，根据缺口的形状不同分为两种，分别叫flat、notch。
内部封闭框架、减振器：将工作台与外部环境隔离，保持水平，减少外界振动干扰，并维持稳定的温度、压力。
光刻机分类
光刻机一般根据操作的简便性分为三种，手动、半自动、全自动。
A 手动：指的是对准的调节方式，是通过手调旋钮改变它的X轴，Y轴和thita角度来完成对准，对准精度可想而知不高了；
B 半自动：指的是对准可以通过电动轴根据CCD的进行定位调谐；
C自动：指的是从基板的上载下载，曝光时长和循环都是通过程序控制，自动光刻机主要是满足工厂对于处理量的需要。
光刻机可以分为接近接触式光刻、直写式光刻、以及投影式光刻三大类。接近接触式通过无限靠近，复制掩模板上的图案；投影式光刻采用投影物镜，将掩模板上的结构投影到基片表面；而直写，则将光束聚焦为一点，通过运动工件台或镜头扫描实现任意图形加工。光学投影式光刻凭借其高效率、无损伤的优点，一直是集成电路主流光刻技术。
光刻机应用
光刻机可广泛应用于微纳流控晶片加工、微纳光学元件、微纳光栅、ＮＭＥＭＳ器件等微纳结构器件的制备。
刻蚀机是什么
实际上狭义理解就是光刻腐蚀，先通过光刻将光刻胶进行光刻曝光处理，然后通过其它方式实现腐蚀处理掉所需除去的部分。随着微制造工艺的发展；广义上来讲，刻蚀成了通过溶液、反应离子或其它机械方式来剥离、去除材料的一种统称，成为微加工制造的一种普适叫法。
刻蚀机的原理
感应耦合等离子体刻蚀法（InducTIvely CoupledPlasma Etch，简称ICPE）是化学过程和物理过程共同作用的结果。它的基本原理是在真空低气压下，ICP 射频电源产生的射频输出到环形耦合线圈，以一定比例的混合刻蚀气体经耦合辉光放电，产生高密度的等离子体，在下电极的RF 射频作用下，这些等离子体对基片表面进行轰击，基片图形区域的半导体材料的化学键被打断，与刻蚀气体生成挥发性物质，以气体形式脱离基片，然后从真空管路被抽走。
3. 金属探测电路图原理图
金属探测仪由两部分组成，即金属探测仪与自动剔除装置，其中检测器为核心部分。系统可以利用该报警信号驱动自动剔除装置等，从而把金属杂质排除生产线以外。 通常金属探测仪由两部分组成，即金属探测仪与自动剔除装置，其中检测器为核心部分。检测器内部分布着三组线圈，即中央发射线圈和两个对等的接收线圈，通过中间的发射线圈所连接的振荡器来产生高频可变磁场，空闲状态时两侧接收线圈的感应电压在磁场未受干扰前相互抵消而达到平衡状态。一旦金属杂质进入磁场区域，磁场受到干扰，这种平衡就被打破，两个接收线圈的感应电压就无法抵消，未被抵消的感应电压经由控制系统放大处理，并产生报警信号（检测到金属杂质）。系统可以利用该报警信号驱动自动剔除装置等，从而把金属杂质排除生产线以外。 金属探测仪使用的元件从电子管、晶体管乃至集成电路，有了更新换代的发展，其应用范围几乎扩大到各个领域，对产业出产及人身安全起着重要的作用。
4. 金属探测器原理图以及电路分析
金属探测仪的原理是电磁感应定律——导体切割磁感线产生感应电动势，这个过程中金属探测仪施加的探测磁场被外来导体扰乱从而被金属探测仪的感应到，通过信号放大发出警报。
金属探测仪的中央发射线圈产生高频可变磁场，两侧对等接受线圈产生保持平衡的感应电压，一旦磁场内出现异物，则两接收线圈之间的平衡被打破，检测系统随即放大两者电压差距信号，使得金属探测仪的报警装置运作发出警报。
在实际应用中，金属探测仪遇到的足以触发警报的导体一般都是金属（天然的优良导体）物品，比如刀剑、金属枪械、金属材质的古物等等，而水、石墨等导电能力差，不足以引发警报
5. 金属探测器电路原理详解
门式金属探测仪的原理是：
门式金属探测器主要是用来检查运行通道中的物流、人流中是否混有金属物质的仪器。广泛用于海关、机场、车站、码头的安检部门以及工厂生产线中非导电材料物流检测。现有的门式金属探测器主要由探测头和控制电路构成。
其工作原理是发射线圈在振荡器高频电流驱动下，在物流通道的槽口内形成高频交变电磁场，在槽口内无金属物存在的理想条件下，两组技术参数相同，反向联接的接收线圈的感应电动势互相抵消，无信号输出。当被检测的物流中混有金属杂质进入探测头槽口时，就破坏了发射线圈两侧交变电磁场的对称性，出现不平衡，这时接收线圈便产生一个高频调幅信号输出，其中，振荡器的振荡频率为载波、金属信号为调制波，该混合波经过选频放大、检波，取出金属信号，送至低频放大器放大，用以推动单稳态触发器控制报警、指示和执行机构动作。
6. 金属探测器电路原理图
由金属探测器的电路框图可以看出，本金属探测器由高频振荡器、振荡检测器、音频振荡器和功率放大器等组成。