示波器量mos管电流(示波器量mos管电流怎么量)

海潮机械 2023-03-28 13:16 编辑:admin 300阅读

一、如何用示波器测试电流?

1、通常的测试电流的方法一般是利用欧姆定律,电流=电压/采样电阻,从而获得通过的电流值。

2、首先打开示波器,等待示波器自检完毕后,打开对应的通道,用两个探针放在采样电阻的两端(探针上可以看到对应的通道颜色),

3、然后设置示波器的触发类型、触发电平值、读取内容等,

4、接着截图分析,从示波器的屏幕上直接读取数值。代入公式计算。

二、示波器怎么测试mos管的vds电压?

答:

示波器测试mos管的vds电压的方法:

1.插好示波器的电源线,打开电源开关,电源指示灯亮,待出现扫描线后,调节亮度到适当的位置,调节聚焦控制,使扫描线最细。

  2.调节基线旋钮,使扫描线与水平刻度线平行。

  3.将微调/扩展控制开关旋钮顺时针旋到校准位置,为了避免测量误差,在测量前应将探极进行检查和校正。校正方法是:将探极接到示波器的校正方波输出端、调整探级上校正孔的补偿电容,直到屏幕上显示的方波为平顶。

  4.将伏/度选择开关、工作方式开关、扫描时间选择开关,根据被测信号的大小,需要和频率高低放在适当位置上。

  5.将输入耦合开关置于“GND”位置,确定零电平的位置。再置于“AC”位置,由探极输入被测信号,调节同步开关旋钮,使波形稳定,观察屏幕上信号波形在垂直方向显示的幅度,被测信号电压力V/DIV与显示度数的乘积;当使用10:1输入探极时,要将屏幕显示幅度值×10。

三、mos管示波器的检测方法?

电池或直流电压测量

测量直流电压要先保证通道的耦合方式处于直流状态,像电池电压的话因为比较低,探头衰减比一般1X即可,垂直档位设置1V或者500mv。然后确保示波器的触发模式处于自动状态。

确保电池有电或者直流电压有电压输出,将探针接到电池或者直流电正极,探头的夹子(也就是接地端)接到电池或者直流负极。

当然接反也没有影响,就是波形显示的时候,会在示波器零电平的下方。打开示波器测量项的平均值,就可以看到直流电压值。

晶振测量

晶振对电容负载较敏感,当使用×1挡时,探头电容相对较大,相当于一个很重的负载并联在晶振电路中,很容易使其停止振荡,因此我们使用10X档的探头更佳。

我们将示波器通道设置为交流耦合,10X档位。确保晶振主板上电运行后,拔掉探头的套子,露出探针。将探头夹子接到主板地线即供电负极端,探针针尖接触到晶振的其中一个引脚。

调节示波器的垂直档位和时基,使波形至少一个周期完整显示于屏幕中。另外,晶振的输出边沿一般比较陡,上升时间较短,因为晶振的输出中包含了较多的高频分量,因此应该将其当作高频信号来看待。

探头×1挡的带宽有限制,而探头×10挡是全带宽开启的,因此必须选用×10挡进行测量。

四、示波器怎么测试mosfet的开启电压?

1、用示波器测量峰到峰的电压,一般按以下步骤进行:

(1)连接示波器

(2) 按说明书接通示波器。

(3) 用校准信号校正Y轴增益。

(4) 输入选择在交流位置,将探头连接被测信号。

(5)调整X轴扫描信号,使显示屏上显示几个周期波形。

(6) 调节垂直位置:使波形最低点对齐显示屏一根坐标线上,使最高点调节到中心线上.

(7) 测量屏幕上波形的高度,用Y轴的校正值,即可计算出峰-峰电压。

2、示波器是一种用途十分广泛的电子测量仪器。它能把肉眼看不见的电信号变换成看得见的图象,便于人们研究各种电现象的变化过程。示波器利用狭窄的、由高速电子组成的电子束,打在涂有荧光物质的屏面上,就可产生细小的光点。在被测信号的作用下,电子束就好像一支笔的笔尖,可以在屏面上描绘出被测信号的瞬时值的变化曲线。利用示波器能观察各种不同信号幅度随时间变化的波形曲线,还可以用它测试各种不同的电量,如电压、电流、频率、相位差、调幅度等等

五、请问示波器TC3测mos管时显示个vF:vT是代表什么?

在示波器测量 MOSFET(金属氧化物半导体场效应管)时,常常会显示两个值,一个是VF(正向电压),另一个是VT(阈值电压)。

VF(正向电压)是指在 MOSFET 的漏极和源极之间施加正向偏置电压时,漏极和源极之间的电压。这个值通常很小,只有几百毫伏。在 N 沟道 MOSFET 中,当漏极为正极时,VF 通常是正值,而在 P 沟道 MOSFET 中,当漏极为负极时,VF 通常是负值。

VT(阈值电压)是指当 MOSFET 中的沟道处于截止状态时,需要在栅极和源极之间施加的电压。这个电压可以决定 MOSFET 在开启时的电流大小。在 N 沟道 MOSFET 中,VT 通常为正值,而在 P 沟道 MOSFET 中,VT 通常为负值。

因此,当示波器显示VF:VT时,它显示的是 MOSFET 在正向偏置下的漏极和源极之间的电压(VF)以及沟道截止时所需要的栅极和源极之间的电压(VT)。这些值对于确定 MOSFET 的工作状态以及进行电路分析都非常重要。

六、mos管的内阻怎么测量?

给mos管施加电流,用示波器测mos管SD之间电压,除以电流就是内阻。

七、mos管驱动电流怎么计算?

没法估算.

因为行业标准,就是用电流元,充电Qg电量后,MOS导通.

但人们用的是电压元.

所以Qg并没有意义.

你需要注意的是,电流不要超过driver的驱动能力.

那么剩下的,就是用示波器,才找到合适的参数.

需要指出的是,driver的输出电流,不是电流元.

八、mos管漏电流大小怎么测?

电阻法和电压法。

(1)电阻法电阻法是利用金属导体的电阻特性来测量的,它包括直流和交流两种方法。

1直流测量原理当mosfet的栅极接一个直流电源时,由于mos管在漏源之间存在电势差,因此通过电流的大小与栅-漏之间的电压成正比关系;反之当栅极断开电源时(相当于开路),此时由于mos管没有负载而处于静态状态(相当于开路)其输出端会呈现为高阻态,故可通过改变外接电路的阻抗或调节输入信号的高低来控制输出的高低。

2交流测量原理mosfet的漏极接一个交流信号源时,因为该信号的频率等于mos管的开关频率即k=ωfs,所以可以通过改变外部的阻抗值来控制输出的高低。

九、mos管在板上怎么测好坏?

1 需要通过测试来确定mos管的好坏。2 测试mos管的方法有很多种,常见的有静态参数测试和动态参数测试。静态参数测试包括测量mos管的电阻、电容、漏电流等参数,通过这些参数来判断mos管是否正常。动态参数测试则是通过施加不同的电压和电流来观察mos管的响应情况,例如观察mos管的输出波形和频率等。这些测试方法需要使用专业的测试仪器和设备。3 在进行mos管测试时,需要注意保护测试仪器和设备,避免过度电压和电流造成损坏。同时,需要根据实际情况选择合适的测试方法和参数,以便准确判断mos管的好坏。