1. 集成电路芯片集成度约为多少亿个晶体管
大规模集成电路：LSI (Large Scale Integration )，通常指含逻辑门数为100门～9999门（或含元件数1000个～99999个），在一个芯片上集合有1000个以上电子元件的集成电路。集成电路（integrated circuit，港台称之为积体电路）是一种微型电子器件或部件。采用一定的工艺，把一个电路中所需的晶体管、二极管、电阻、电容和电感等元件及布线互连一起，制作在一小块或几小块半导体晶片或介质基片上，然后封装在一个管壳内，成为具有所需电路功能的微型结构；其中所有元件在结构上已组成一个整体。可用字母“IC”（也有用文字符号“N”等）表示。
2. 集成电路芯片上的晶体管数目
一般规模指的是晶体管的数量或者门的数目，基本的与非门也是有4个MOS管子构成。规模比较大的数字电路很容易就会用到几千万门。但是大部分芯片中，或多或少会有模拟电路，模拟电路管子少，但是面积大，在整个芯片中占比不一定小。所以默认是数字电路不太准确。
3. 超大规模集成电路晶体管数量
集成85亿只晶体管。
天机1000plus集成了69亿只晶体管。首先要纠正不是天机，而是联发科天玑1000plus芯片。在制作工艺上，天玑1000Plus采用了7nm工艺。其内部晶体管数量达到了85亿这个惊人的数字。而小小的芯片所能容纳的晶体管自然是有限的，在保持容积不变的情况下，改变芯片性能，唯一的办法就是将晶体管的尺寸进行不断压缩。
4. 数字芯片集成度是指每一芯片所包含的
硅（Si）比GaAs好，有三个主要理由。
第一，硅（Si）制程是大量生产且便宜的制程。且硅（Si）有较好的物理应力，所以可做成大尺寸的
晶圆
（现今，Si晶圆直径约为300 mm，而GaAs晶圆最大直径约只有150 mm）。在地球表面上有大量硅（Si）的原料：硅酸盐
矿。硅工业已发展到规模经济（透过高的产能以降低单位产品的成本）的情形了，更降低了工业界使用GaAs的意愿。第二个主要的优点是，硅（Si）很容易就会变成
二氧化硅
（在电子元件中，这是一种很好的绝缘体
）。二氧化硅可以轻易地被整合到硅（Si）电路中，且二氧化硅和硅（Si）拥有很好的界面特性。反观，GaAs不能产生一层稳定且附着在GaAs上的绝缘层。第三，大概也是最重要的优点，是硅（Si）拥有高很多的
空穴
移动率。在需要CMOS
逻辑时，高的空穴率可以做成高速的P-沟道场效应晶体管
。如果需要快速的CMOS结构时，虽然GaAs的电子迁移率快，但因为它的功率消耗高，所以使的GaAs电路无法被整合到Si逻辑电路中。直接搬一段wiki:砷化鎵
5. 芯片上集成的晶体管数目每3年翻两番
芯片上每平方单位晶体管数即晶体管密度，此处对比的是每平方毫米晶体管数量。
晶体管密度以MTr /mm²计算，代表每平方毫米数百万个晶体管。
晶体管是CPU和数字电路的基础，当我们以不同方式组合晶体管时，我们将获得AND，NOT或OR门之类的逻辑电路。然后，这些简单的门电路可用于组成加法器，乘法器和其他不同类型的复杂电路，现代处理器往往包含数十亿上百亿个晶体管。
随着对计算能力的要求提升，我们需要在单位面积上容纳原来越多的晶体管，所以我们需要缩小晶体管的尺寸，过去很多年因为制造技术的进步，集成电路中的晶体管数量每两年翻一番，这个就是我们很熟悉的摩尔定律。那么通过新工艺缩小晶体管尺寸有什么好处呢？
首先是性能的提升，单位面积的晶体管数量增加了，相当于干活的人多了，性能自然提升了，当然这里只是简单的打个比方，实际情况不是这么简单。其次是能效比提升，随着晶体管体积变小，其需要的能耗越低，因此可以减少发
6. 芯片中晶体管数量
80亿。天玑8100晶体管数量为80亿个，是一种固体半导体器件包括二极管、三极管、场效应管、晶闸管等，有时特指双极型器件。采用了八核CPU架构设计，天玑 8000搭载4个主频高达2.75GHz的Arm Cortex-A78核心和4个Arm Cortex-A55能效核心，系列同样搭载了在天玑9000上备受好评的全局能效优化技术，通过全方位覆盖芯片的不同IP模块，实现全场景功耗优化，为终端的持久续航和温控奠定了基础。
7. 芯片上能够集成的晶体管数量
5纳米芯片的尺寸其实跟以前的芯片尺寸是一样的，都是在一平方厘米左右。因为主板上设置植入芯片的尺寸是一样的，所以芯片的尺寸不管是几纳米，都是相同的。
只是纳米数越低，说明芯片的制程工艺越强，在单位面积内集成的晶体管数量就越多，所能提供计算能力也就越强
8. 集成电路芯片集成度约为多少亿个晶体管组成
按照集成度的水平可把IC分为：小规模集成电路（SSI）～集成元件数少于103个；中规模集成电路（MSI）～集成元件数在103～104个之间；大规模集成电路（LSI）～集成元件数在104～105个之间；超大规模集成电路（VLSI）～集成元件数在105～107个之间；特大规模集成电路（ULSI）～集成元件数在107～109个之间和极大规模集成电路（GLSI）～集成元件在109以上。
9. 在一个芯片中集成几十万到上百万个晶体管的工艺
85亿个晶体！
最新发布的 iPhone 11、iPhone 11 Pro 及 iPhone 11 Pro Max 均搭载苹果自研的 A13 仿生芯片，官方介绍称其内部集成了 85 亿个晶体管，作为对比，上一代 A12 仿生芯片集成有 69 亿个晶体管。
据悉，A13 仿生芯片采用台积电第二代 7nm 制程工艺，由 2 个高性能 CPU 核心、4 个 CPU 效能核心、4 核 GPU 及 8 核心神经网络引擎组成，每秒可完成一万亿次 CPU 运算，官方称其 CPU、GPU 及神经网络引擎运行速度最高均提升 20%，CPU 能耗降低 25% 至 40%，GPU 能耗降低 30%。
10. 晶体管集成数量
电子元器件中晶体管是一种半导体器件，常用的是放大器或电子控制开关。晶体管是调节计算机、移动电话和所有其他现代电子线路运行的基本构件。由于晶体管的快速响应和高精度，它可以用于各种数字和模拟功能，包括放大、开关、稳压、信号调制和振荡器。晶体管可以独立封装，也可以在很小的区域内封装，可以容纳1亿或更多晶体管集成电路的一部分。因此，本文将详细介绍CPU中有多少个晶体管？
历代CPU晶体管的数量
摩尔定律，也就是说，当价格保持不变时，集成电路上可容纳的晶体管数量每18个月增加一倍，性能提高一倍。当然，这只是一种推测性理论，而不是一种自然理论。但根据过去40年来CPU发展的历史，这一理论接近精确。
2000年，奔腾4威拉米特，生产工艺为180nm，cpu晶体管数量为4200万。
2010年推出的Corei7≤980X，制作工艺为32 nm，晶体管数量为11亿6999万9999个。
2013核心i7 4960X，制造工艺为22 nm，晶体管计数为18.6亿。
有关近年来CPU的详细数据
1999年2月：英特尔发布奔腾III处理器。Pentium III是一种1×1平方硅，有950万个晶体管，采用Intel 0.25微米工艺技术制造。
2002年1月：英特尔奔腾4处理器推出，高性能台式电脑可以实现每秒22亿次循环操作。它使用英特尔的0.13微米工艺技术生产，包含5500万晶体管。
2003年3月12日：英特尔Centrino移动技术平台诞生于笔记本电脑，包括英特尔最新的移动处理器英特尔奔腾M处理器。该处理器基于一种新的移动优化微体系结构，使用英特尔的0.13微米工艺技术生产，包含7700万个晶体管。
2005年5月26日：英特尔的第一个主流双核处理器，英特尔奔腾D处理器，诞生于使用英特尔领先的90 nm工艺技术生产的2亿2999万9999个晶体管。
2006年7月27日：英特尔酷睿2双核处理器诞生了。该处理器包含超过2.9亿个晶体管，采用英特尔65纳米制程技术，在世界上几个最先进的实验室中生产。
2007年1月8日：为了将四核PC的销售扩大到主流买家，英特尔发布了英特尔酷睿2四核处理器和另外两个四核服务器处理器，用于台式计算机，处理能力为65纳米。英特尔酷睿2四核处理器包含超过5.8亿个晶体管。