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CMOS称为互补式金属氧化物半导体（Complementary Metal-Oxide-Semiconductor，缩写作 CMOS），是一种集成电路的设计工艺，可以在硅质晶圆模板上制出NMOS（n-type MOSFET）和PMOS（p-type MOSFET）的基本元件，由于NMOS与PMOS在物理特性上为互补性，因此被称为CMOS（Complementary 的来历）。
此一般的工艺上，可用来制作电脑电器的静态随机存取内存、微控制器、微处理器与其他数字逻辑电路系统、以及除此之外比较特别的技术特性，使它可以用于光学仪器上，例如互补式金氧半图像传感装置在一些高级数码相机中变得很常见。
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集成电路是制造在半导体上的。是基于PN结理论，金属半导体接触理论，以及MIS结构等发展起来的。它的基本组成元器件是二极管，三极管，MOS管。目前的超大规模集成电路，绝大部分为CMOS集成电路。
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计算机领域，CMOS常指保存计算机基本启动信息(如日期、时间、启动设置等)的芯片。有时人们会把CMOS和BIOS混称，其实CMOS是主板上的一块可读写的RAM芯片，是用来保存BIOS的硬件配置和用户对某些参数的设定。CMOS可由主板的电池供电，即使系统掉电，信息也不会丢失。CMOS ROM本身只是一块存储器，只有数据保存功能。而对BIOS中各项参数的设定要通过专门的程序。BIOS设置程序一般都被厂商整合在芯片中，在开机时通过特定的按键就可进入BIOS设置程序，方便地对系统进行设置。因此BIOS设置有时也被叫做CMOS设置。
CMOS是Complementary Metal Oxide Semiconductor(互补金属氧化物半导体)的缩写。它是指制造大规模集成电路芯片用的一种技术或用这种技术制造出来的芯片。是电脑主板上的一块可读写的RAM芯片。因为可读写的特性，所以在电脑主板上用来保存BIOS设置完电脑硬件参数后的数据，这个芯片仅仅是用来存放数据的。
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由MOS型场效应管为基础构成
CMOS电路的特点是：
①静态功耗低,每门功耗为纳瓦级；
②逻辑摆幅大,近似等于电源电压;
③抗干扰能力强,直流噪声容限达逻辑摆幅的35%左右;
④可在较广泛的电源电压范围内工作,便于与其他电路接口；
⑤速度快，门延迟时间达纳秒级；
⑥在模拟电路中应用，其性能比NMOS电路好；
⑦与NMOS电路相比，集成度稍低；
⑧有“自锁效应”，影响电路正常工作。
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CMOS（全称：Complementary Metal Oxide Semiconductor，中文：互补金属氧化物半导体）是一种集成电路的设计工艺，可以在硅质晶圆模板上制出NMOS。
一是用于计算机信息保存，CMOS作为可擦写芯片使用，在这个领域，用户通常不会关心CMOS的硬件问题，而只关心写在CMOS上的信息，也就是BIOS的设置问题，其中提到最多的就是系统故障时拿掉主板上的电池，进行CMOS放电操作，从而还原BIOS设置。
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MOS
半导体或称MOS传感器是一种早期的和不是很贵的便携式测量仪器。它也可以检测大多数的化学物质。但他们的局限性还是限制了它们在应急事故中的广泛应用。
它们的灵敏度很差，一般的检出限度大约为10PPM。
它们的输出是非线性的，这样就会影响它们的精确度。MOS仅仅是一种各种有毒气体和蒸汽的粗略检测器，依据它们的非线性输出得到的可以或不可以进入的决定是很危险的，因为这种输出更像用一条米尺测量一张纸的厚度。
相对于PID，MOS的响应时间要慢一些。
MOS传感器更易受到温度和湿度的影响。
它们很容易被中毒并且不容易清洗。
MOS传感器是一种“宽带”检测器，它们会对各种不同类型的化合 CMOS（Complementary Metal Oxide Semiconductor），互补金属氧化物半导体，电压控制的一种放大器件。是组成CMOS数字集成电路的基本单元.相对于其他逻辑系列,CMOS逻辑电路具有一下优点: 1.允许的电源电压范围宽,方便电源电路的设计 2.逻辑摆幅大,使电路抗干扰能力强 3.静态功耗低 4.隔离栅结构使CMOS期间的输入电阻极大,从而使CMOS期间驱动同类逻辑门的能力比其他系列强得多 .
CMOS是主板上一块可读写的RAM芯片，用于保存当前系统的硬件配置信息和用户设定的某些参数。CMOSRAM由主板上的电池供电，即使系统掉电信息也不会丢失。对CMOS中各项参数的设定和更新可通过开机时特定的按键实现（一般是Del键）。进入BIOS设置程序可对CMOS进行设置。一般CMOS设置习惯上也被叫做BIOS设置。
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CMOS功耗模型：CMOS功耗分为静态损耗和动态损耗。
动态功耗是CMOS中传统的功耗机制。逻辑电路使用了它的大部分功能并改变了它的输出值。静态功耗是一种更为现代的功耗机制。通常由于集成电路芯片中的非常小规模的晶体管而受到的功耗，在使用大型晶体管的旧技术中不那么突出。其中泄漏造成了很大的损失，这是由于晶体管在关闭时也会产生电流。为了消除泄漏电流，必须真正地移除或断开电源。
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CMOS是指制造大规模集成电路芯片用的一种技术或用这种技术制造出来的芯片，是电脑主板上的一块可读写的RAM芯片。
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CCD（Charge Coupled Device）图像传感器（以下简称CCD）和CMOS图像传感器（CMOS Image Sensor以下简称CIS）的主要区别是由感光单元及读出电路结构不同而导致制造工艺的不同。
CCD感光单元实现光电转换后，以电荷的方式存贮并以电荷转移的方式顺序输出，需要专用的工艺制程实现；CIS图像感光单元为光电二极管，可在通用CMOS集成电路工艺制程中实现，除此之外还可将图像处理电路集成，实现更高的集成度和更低的功耗。
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CMOS电路由MOS型场效应管为基础构成，工作电压范围为3-18V，不必像TTL集成电路那样要用确定的5V电压。CMOS集成电路的输入阻抗很高，能耗很低。
放大电路是指以晶体管或场效应管为核心，能够将微弱的交流小信号放大为交流大信号输出的电路。放大电路实质上是一种能量控制电路，通过输入信号控制电源的能量，产生与输入信号波形一致且幅值大得多的信号，因此为了实现放大，必须给放大器提供能量。现代电子系统中，电信号的产生、发送、接收、变换和处理，几乎都以放大电路为基础。
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1、威廉?肖克莱(William Shockley)
1910年2月13日生于英国伦敦。美国物理学家，美国艺术与科学学院、电气与电子工程师协会高级会员。
2、约翰?巴丁（John Bardeen）
1908年5月23日，巴丁出生于威斯康星州麦迪逊城。巴丁的研究领域包括半导体器件、超导电性和复制技术。
3、沃尔特?布拉顿(Walter Houser Brattain)
1902年2月10日生于中国厦门市。美国物理学家,美国科学院院士。曾获巴伦坦奖章、约翰?斯可特奖章。布拉顿长期从事半导体物理学研究，发现半导体自由表面上的光电效应。
4、杰克?基尔比(Jack Kilby)
1923年生于美国密苏里州杰弗逊城。1958年9月12日，基尔比发明的微芯片成功地进行了演示，这是世界上第一块集成电路。
5、罗伯特?诺伊斯(Robert Noyce)
1927年12月，罗伯特?诺伊斯生于美国爱荷华州。他与同伴自行创办了仙童半导体公司，他担任总经理一职。肖克莱称他们为“八个天才的叛逆”。1968年8月，诺伊斯与戈登创办了著名的英特尔（Intel）公司，诺伊斯出任总经理。1970年，Intel推出世界上第一款DRAM（动态随机存储器）集成电路1103，实现了开门红。1971年，推出世界上第一款微处理器4004，揭开了基于微处理器的微型计算机的序幕。此后，Intel凭借技术创新的优势，成为全球最大的半导体厂商。
6、戈登?摩尔(Gordon Moore)
1929年1月3日生于旧金山佩斯卡迪诺，美国科学家，企业家，1965年，摩尔提出“摩尔定律”。1968年，摩尔和诺伊斯一起退出仙童公司，创办了Intel。他的定律不仅把英特尔带到了产业的顶峰，也指引着多年来IT产业的发展。
7、琼?霍尔尼(Jean Hoerni)
1924年生于瑞士，为“八个叛逆者”之一。1959年，他发明了平面工艺的一种叫做光学蚀刻的处理方法。霍尔尼创造了一个光罩，它就像一张底片，上面有一簇小孔，用来过滤掉不清洁的东西，然后让它在光线中翻动。在化学洗涤之后，金属板上只要是留下光阻剂的地方，杂质就不会散落到下面，以此来解决平面晶体管的可靠性问题，因而使半导体生产发生了革命性的变化，堪称“20世纪意义最重大的成就之一”，并且奠定了硅作为电子产业中关键材料的地位。
8、弗兰克·威纳尔斯（Frank M.Wanlass）
他曾获得美国盐湖城犹他大学的博士学位，在1963年的固态电路大会上，他提交了一份与Sah合著的关于CMOS的构想报告，同时还用了一些实验数据对CMOS技术进行了大概的解释，同时，关于CMOS的主要特征也基本确定：“静态电源功率密度低；工作电源功率密度高，能够形成高密度的场效应真空三极管逻辑电路。”简而言之，CMOS的最大特征就是低功耗。而今天，95%以上的集成电路芯片都是基于CMOS工艺。
9、张忠谋
1931年生于浙江。27岁那年，作为麻省理工学院毕业的硕士生，他与半导体开山鼻祖、英特尔公司创办人摩尔同时踏入半导体业，与集成电路发明人杰克?基尔比同时进入美国德州仪器公司。1972年，先后就任德州仪器公司副总裁和资深副总裁，是最早进入美国大型公司最高管理层的华人。1987年，创建了全球第一家专业代工公司——台湾积体电路制造股份有限公司（简称“台积电”）。 因在半导体业的突出贡献，他被美国媒体评为半导体业50年历史上最有贡献人士之一和全球最佳经理人之一。台湾人则尊他为“半导体教父”，因为是他开创了半导体专业代工的先河。
10、邓中翰
中星微集团创建人、董事长，“星光中国芯工程”总指挥。美国加州大学伯克利分校电子工程学博士、经济管理学硕士、物理学硕士。他是该校建校130年来第一位横跨理、工、商三学科的学者。1997年，邓中翰加入IBM公司，做高级研究员,负责超大规模CMOS集成电路设计研究，并申请多项发明专利，获“IBM发明创造奖”。一年后，邓中翰离开IBM回到硅谷，结合硅谷著名的风险投资基金，创建了集成电路公司PIXIM，INC.，市值很快达到了1.5亿美元。后在国家信息产业部的倡议下，邓中翰决定在国内组建中国本土的芯片设计公司。1999年10月，在中关村注册成立了“中星微电子有限公司”。 2001年3月11日，中星微“星光一号”研发成功。这是中国首枚具有自主知识产权、百万门级超大规模的数字多媒体芯片，同时结束了“中国硅谷”中关村无硅的历史。2001年5月，“星光一号”实现产业化。