1. cmos集成电路制造工艺
die测试-减薄-划片-上芯-打线-塑封-锡化-激光打印。大概就这些。封装类型很多：SIP/QSP等等.还有先进的晶元扇入扇出级封装。
2. CMOS集成电路设计
CMOS集成电路的特点有哪些?
CMOS集成电路功耗低
CMOS集成电路采用场效应管,且都是互补结构,工作时两个串联的场效应管总是处于一个管导通,另一个管截止的状态,电路静态功耗理论上为零。实际上,由于存在漏电流,CMOS电路尚有微量静态功耗。
CMOS集成电路工作电压范围宽
CMOS集成电路供电简单,供电电源体积小,基本上不需稳压。
CMOS集成电路逻辑摆幅大。
CMOS集成电路的逻辑高电平“1”、逻辑低电平“0”分别接近于电源高电位VDD及电影低电位VSS。因此,CMOS集成电路的电压电压利用系数在各类集成电路中指标是较高的。
CMOS集成电路抗干扰能力强。
CMOS集成电路的电压噪声容限的典型值为电源电压的45%,保证值为电源电压的30%。随着电源电压的增加,噪声容限电压的绝对值将成比例增加。
CMOS集成电路输入阻抗高。
CMOS集成电路的输入端一般都是由保护二极管和串联电阻构成的保护网络,故比一般场效应管的输入电阻稍小,但在正常工作电压范围内,这些保护二极管均处于反向偏置状态,直流输入阻抗取决于这些二极管的泄露电流,通常情况下,等效输入阻抗高达103~1011Ω,因此CMOS集成电路几乎不消耗驱动电路的功率。
CMOS集成电路温度稳定性能好。
由于CMOS集成电路的功耗很低,内部发热量少,而且,CMOS电路线路结构和电气参数都具有对称性,在温度环境发生变化时,某些参数能起到自动补偿作用,因而CMOS集成电路的温度特性非常好。
CMOS集成电路扇出能力强。
扇出能力是用电路输出端所能带动的输入端数来表示的。由于CMOS集成电路的输入阻抗极高,因此电路的输出能力受输入电容的限制,但是,当CMOS集成电路用来驱动同类型,如不考虑速度,一般可以驱动50个以上的输入端。
CMOS集成电路抗辐射能力强。
CMOS集成电路中的基本器件是MOS晶体管,属于多数载流子导电器件。各种射线、辐射对其导电性能的影响都有限,因而特别适用于制作航天及核实验设备。
CMOS集成电路可控性好
CMOS集成电路输出波形的上升和下降时间可以控制,其输出的上升和下降时间的典型值为电路传输延迟时间的125%~140%。
CMOS集成电路接口方便
因为CMOS集成电路的输入阻抗高和输出摆幅大,所以易于被其他电路所驱动,也容易驱动其他类型的电路或器件。
3. cmos集成电路制造工艺介绍
CMOS 传输门从结构上看是由一个PMOS和一个NMOS管组成
先简单粗略讲讲PMOS管和NMOS管导通与截止吧
首先我们MOS管有三个极，源极（S：Source）、漏极（D：Drain）和栅极（G：Gate）
我们理解为NMOS它是高电压导通，PMOS为低电压导通
则当栅极g为0时，NMOS截止，PMOS导通
当栅极g为1时，NMOS导通，PMOS截止
回到CMOS传输门，C和 /C是互补控制信号，PMOS管和NMOS管的源极漏极相互连接，结构对称，则输入输出可互换使用
1.当C=VDD时，/C=0，输入u1从0-VDD变化时，至少有一管导通，PMOS的栅极g为低电压0，NMOS的栅极g为高电压1
当u1=0时，PMOS导通，
当u1=VDD时，NMOS导通
则输入输出导通，u1=uo，低电阻
2.当C=0时，/C=1，PMOS的栅极g为低电压1，NMOS的栅极g为高电压0，两管皆不导通，输入输出为高阻态
总结：当C=1时，/C=0，传输门导通，u1=uo
当C=0时，/C=1，传输门不导通，信号无法进行传输
4. cmos集成电路制造工艺有哪些
功耗低
CMOS集成电路采用场效应管，且都是互补结构，工作时两个串联的场效应管总是处于一个管导通，另一个管截止的状态，电路静态功耗理论上为零。实际上，由于存在漏电流，CMOS电路尚有微量静态功耗。单个门电路的功耗典型值仅为20mW，动态功耗（在1MHz工作频率时）也仅为几mW。
工作电压范围宽
CMOS集成电路供电简单，供电的限制，但是，当CMOS集成电路用来驱动同类型，如不考虑速度，一般可以驱动50个以上的输入端。
抗辐射能力强
CMOS集成电路中的基本器件是MOS晶体管，属于多数载流子导电器件。各种射线、辐射对其导电性能的影响都有限，因而特别适用于制作航天及核实验设备。
可控性好
CMOS集成电路输出波形的上升和下降时间可以控制，其输出的上升和下降时间的典型值为电路传输延迟时间的125%~140%。
接口方便
因为CMOS集成电路的输入阻抗高和输出摆幅大，所以易于被其他电路所驱动，也容易驱动其他类型的电路或器件。
5. cmos工艺芯片
cmos不是什么品牌，CMOS常指保存计算机基本启动信息（如日期、时间、启动设置等）的芯片。
有时人们会把CMOS和BIOS混称，其实CMOS是主板上的一块可读写的并行或串行FLASH芯片，是用来保存BIOS的硬件配置和用户对某些参数的设定。
在今日，CMOS制造工艺也被应用于制作数码影像器材的感光元件，尤其是片幅规格较大的单反数码相机。
另外，CMOS同时可指互补式金氧半元件及制程。
6. cmos集成电路制造工艺流程图
MOS 在器件结构上相比于Bipolar 跟容易实现，工艺步骤更加简单。MOS 工艺就是只能制作MOS 器件，不能制作bipolar 器件，相应的工艺步骤最简单，价格也最便宜。
CMOS工艺BCD工艺是在CMOS 工艺的基础上实现了bipolar 和DMOS 器件，能够将bandgap 之类的analog 模块和大功率模块一起集成在同一块芯片上。工艺步骤上会比CMOS 工艺复杂一点。
BCD工艺，从左到右分别是BJT器件，DMOS器件，CMOS器件双极型工艺就是纯BJT 电路（TTL），现在主要就是实现小规模高速逻辑门的时候用。功耗和集成度上比CMOS 差不少。
7. cmos集成电路设计基础
CMOS（Complementary Metal Oxide Semiconductor），互补金属氧化物半导体，电压控制的一种放大器件。是组成CMOS数字集成电路的基本单元。
在计算机领域，CMOS常指保存计算机基本启动信息(如日期、时间、启动设置等)的芯片。有时人们会把CMOS和BIOS混称，其实CMOS是主板上的一块可读写的RAM芯片，是用来保存BIOS的硬件配置和用户对某些参数的设定。CMOS可由主板的电池供电，即使系统掉电，信息也不会丢失。CMOS RAM本身只是一块存储器，只有数据保存功能。而对BIOS中各项参数的设定要通过专门的程序。BIOS设置程序一般都被厂商整合在芯片中，在开机时通过特定的按键就可进入BIOS设置程序，方便地对系统进行设置。因此BIOS设置有时也被叫做CMOS设置。
CMOS制造工艺也被应用于制作数码影像器材的感光元件（常见的有TTL和CMOS），尤其是片幅规格较大的单反数码相机。虽然在用途上与过去CMOS电路主要作为固件或计算工具的用途非常不同，但基本上它仍然是采取CMOS的工艺，只是将纯粹逻辑运算的功能转变成接收外界光线后转化为电能，再透过芯片上的模-数转换器（ADC）将获得的影像讯号转变为数字信号输出。
8. cmos集成电路制造工艺原理
CMOS常指保存计算机基本启动信息（日期、时间、启动设置等）的芯片。CMOS是主板上的一块可读写的并行或串行FLASH芯片，是用来保存BIOS的硬件配置和用户对某些参数的设定。
CMOS由PMOS管和NMOS管共同构成，它的工作特点是低功耗。由于CMOS中一对MOS组成的门电路在瞬间要么PMOS导通、要么NMOS导通、要么都截止，比线性的三极管(BJT）效率要高得多，因此功耗很低，因此，计算机里一个纽扣电池就可以给它长时间地提供电力。
CMOS的高低电平之间相差比较大、使得cmos在工作时能够非常的稳定。
9. cmos集成电路分析与设计
TTL集成电路使用TTL管，也就是PN结。功耗较大，驱动能力强，一般工作电压+5VCMOS集成电路使用MOS管，功耗小，工作电压范围很大，一般速度也低，但是技术在改进，这已经不是问题。
就TTL与CMOS电平来讲，前者属于双极型数字集成电路，其输入端与输出端均为三极管，因此它的阀值电压是<0.2V为输出低电平；>3.4V为输出高电平。而CMOS电平就不同了，他的阀值电压比TTL电平大很多。而串口的传输电压都是以COMS电压传输的。1，TTL电平：输出高电平>2.4V,输出低电平<0.4V。在室温下，一般输出高电平是3.5V，输出低电平是0.2V。最小输入高电平和低电平：输入高电平>=2.0V，输入低电平<=0.8V，噪声容限是0.4V。
2，CMOS电平：1逻辑电平电压接近于电源电压，0逻辑电平接近于0V。而且具有很宽的噪声容限。
3，电平转换电路：因为TTL和COMS的高低电平的值不一样（ttl5v<＝＝>cmos3.3v），所以互相连接时需要电平的转换：就是用两个电阻对电平分压，没有什么高深的东西。哈哈4，OC门，即集电极开路门电路，OD门，即漏极开路门电路，必须外界上拉电阻和电源才能将开关电平作为高低电平用。
否则它一般只作为开关大电压和大电流负载，所以又叫做驱动门电路。5，TTL和COMS电路比较：
1）TTL电路是电流控制器件，而coms电路是电压控制器件。
2）TTL电路的速度快，传输延迟时间短(5-10ns)，但是功耗大。COMS电路的速度慢，传输延迟时间长(25-50ns),但功耗低。
COMS电路本身的功耗与输入信号的脉冲频率有关，频率越高，芯片集越热，这是正常现象。
10. CMOS制造工艺
优点：
1、价格低廉，制造工艺简单。cmos可以利用普通半导体生产线生产，所以制造成本低。
2、耗电低。cmos的感光元件只有在感光成像时才会工作，所以更省电。
3、便于集成。
4、速度快。cmos在采集光信号的同时就可以取出电信号，还能同时处理各单元的图像信息。
缺点：
1、散热问题突出。
2、感光层不够厚，影响画质和色彩还原。
3、工艺还不是十分成熟。