1. 单片机驱动mos管电路图
应该要的，一般光耦驱动电流很小50mA MAX.如果你的驱动频率很高，因为S-D极电容比较大，电流小，一下子充不满，达不到驱动的电压的。
所以一般要采用电流比较大的驱动源，如三极管，MOS驱动器件
2. mosfet驱动电路图
、 一句话MOS管工作原理
NMOS的特性，Vgs大于一定的值就会导通，适合用于源极接地时的情况(低端驱动)，只要栅极电压达到一定电压（如4V或10V, 其他电压，看手册）就可以了。
PMOS的特性，Vgs小于一定的值就会导通，适合用于源极接VCC时的情况(高端驱动)。但是，虽然PMOS可以很方便地用作高端驱动，但由于导通电阻大，价格贵，替换种类少等原因，在高端驱动中，通常还是使用NMOS。
二、
在使用MOS管设计开关电源或者马达驱动电路的时候，大部分人都会考虑MOS的导通电阻，最大电压等，最大电流等，也有很多人仅仅考虑这些因素。这样的电路也许是可以工作的，但并不是优秀的，作为正式的产品设计也是不允许的。
1，MOS管种类和结构
MOSFET管是FET的一种（另一种是JFET），可以被制造成增强型或耗尽型，P沟道或N沟道共4种类型，但实际应用的只有增强型的N沟道MOS管和增强型的P沟道MOS管，所以通常提到NMOS，或者PMOS指的就是这两种。
至于为什么不使用耗尽型的MOS管，不建议刨根问底。
对于这两种增强型MOS管，比较常用的是NMOS。原因是导通电阻小，且容易制造。所以开关电源和马达驱动的应用中，一般都用NMOS。下面的介绍中，也多以NMOS为主。
MOS管的三个管脚之间有寄生电容存在，这不是我们需要的，而是由于制造工艺限制产生的。寄生电容的存在使得在设计或选择驱动电路的时候要麻烦一些，但没有办法避免，后边再详细介绍。
在MOS管原理图上可以看到，漏极和源极之间有一个寄生二极管。这个叫体二极管，在驱动感性负载（如马达、继电器），这个二极管很重要，用于保护回路。顺便说一句，体二极管只在单个的MOS管中存在，在集成电路芯片内部通常是没有的。
2，MOS开关管损失
不管是NMOS还是PMOS，导通后都有导通电阻存在，这样电流就会在这个电阻上消耗能量，这部分消耗的能量叫做导通损耗。选择导通电阻小的MOS管会减小导通损耗。现在的小功率MOS管导通电阻一般在几十毫欧左右，几毫欧的也有。
MOS在导通和截止的时候，一定不是在瞬间完成的。MOS两端的电压有一个下降的过程，流过的电流有一个上升的过程，在这段时间内，MOS管的损失是电压和电流的乘积，叫做开关损失。通常开关损失比导通损失大得多，而且开关频率越快，损失也越大。
导通瞬间电压和电流的乘积很大，造成的损失也就很大。缩短开关时间，可以减小每次导通时的损失；降低开关频率，可以减小单位时间内的开关次数。这两种办法都可以减小开关损失。
3，MOS管驱动
跟双极性晶体管相比，一般认为使MOS管导通不需要电流，只要GS电压高于一定的值，就可以了。这个很容易做到，但是，我们还需要速度。
在MOS管的结构中可以看到，在GS，GD之间存在寄生电容，而MOS管的驱动，实际上就是对电容的充放电。对电容的充电需要一个电流，因为对电容充电瞬间可以把电容看成短路，所以瞬间电流会比较大。选择/设计MOS管驱动时第一要注意的是可提供瞬间短路电流的大小。
第二注意的是，普遍用于高端驱动的NMOS，导通时需要是栅极电压大于源极电压。而高端驱动的MOS管导通时源极电压与漏极电压（VCC）相同，所以这时栅极电压要比VCC大4V或10V。如果在同一个系统里，要得到比VCC大的电压，就要专门的升压电路了。很多马达驱动器都集成了电荷泵，要注意的是应该选择合适的外接电容，以得到足够的短路电流去驱动MOS管。
上边说的4V或10V是常用的MOS管的导通电压，设计时当然需要有一定的余量。而且电压越高，导通速度越快，导通电阻也越小。现在也有导通电压更小的MOS管用在不同的领域里，但在12V汽车电子系统里，一般4V导通就够用了。
MOS管的驱动电路及其损失，可以参考Microchip公司的AN799 Matching MOSFET Drivers to MOSFETs。讲述得很详细，所以不打算多写了。
5，MOS管应用电路
MOS管最显著的特性是开关特性好，所以被广泛应用在需要电子开关的电路中，常见的如开关电源和马达驱动，也有照明调光。
3. mos管驱动电路详解
mos管坏了不可以直接短接，通过MOS管实现一定功能，比如稳压，通断功能，如果短接电源直接跨过MOS管，所有功能失效，会损坏设备。
mos管是由输出信号控制的开关管，启动稳压的作用，如果短接就没有反馈控制导致电路烧毁。
MOS管接法：NMOS管左边的电路中，控制端为0V时MOS管关断，S极的电平为0，当G极给一定电压U0时MOS管导通，这时候负载（R）有电流（I）通过，S极的电压为U1等于R I，
这时候G极和S极之间的压差为U2等于U0U1，当U2不能够将MOS管完全导通时流过负载的电流就会降低。
MOS管接法：当G极和S极之间的压差都是G极电压U0，只要U0能够将MOS管导通即可，不会出现左边电路的情况。建议使用右边的MOS管驱动电路。
4. 单片机驱动mos管电路图解
如果开关速度不高的话，单片机可以直接驱动MOS 管，速度高时加一级普通三极管放大。
因大功率场效应管栅极理论上不需要电流，但高速工作时，栅极电容（可达几千皮法）需快速充放电，因此会需消耗数毫安至几十毫安电流。
5. Mos管驱动电路
Q1加下拉电阻10K左右，7805改成7810-7815都可以，场效应管的是电压驱动的，必须要加下拉电阻，栅极不能悬空
6. 单片机驱动mos管电路图讲解
5V能驱动mos管，但大型的mos管不行。
如果开关速度不高的话，5V单片机可以直接驱动MOS 管，速度高时加一级普通三极管放大。因大功率场效应管栅极理论上不需要电流，但高速工作时，栅极电容（可达几千皮法）需快速充放电，因此会需消耗数毫安至几十毫安电流。
7. 单片机驱动MOS管
是P沟的好，这样控制可以共地，处理起来方便；IRF5305可以，不过却有20A电流的话，建议两个并一起使用，那样安全多了。
使用MOS管来控制恒流，MOS管上为了恒流，需要消耗功率，那么Ron很低的管反而不太合适，IRF9540是0.2欧姆，还是不错的，但是一定多个并联使用，然后加足够的散热片，必要时加风扇。做过恒流几个A的电子负载，用的方法是PWM控制导通，然后电流采样反馈，就是简单的：I ↗，PWM -- ，I ↘，PWM++，电流采样是采用一阶RC滤波，也就积分，稳定性还是不错的；对于软件的PID，觉得电流这个东西，响应速度比较快，使用PID的话，响应速度比较慢，导致较大的电流波动，也加重了单片机的负荷，因为经常运行极慢的浮点数。而硬件的PID，则可以考虑其1或2，不必P,I,D都考虑，否则电路设计起来很麻烦，难调试。
8. 单片机怎么驱动mos管
51单片机的拉电流能力100uA左右，MOS管是电压控制型，栅极电流很小，近乎于断路，所以IO口是可以直接驱动的； 如果只是控制MOS管，隔离就没必要了； 只要确保IO电流不超过20mA就不会烧坏
9. 单片机控制mos管电路图
1、51单片机输出高电平电流小，电压低；换用互补输出的stm8或stm32，输出能力会强很多。
2、负载接在发射极，会产生负反馈使三极管难以饱和（除非说对保护负载要求高才这样做），假如负载电流较大，负载应接在集电极。
3、三极管应添加基极限流电阻，该电阻要通过模电知识计算（PN压降近似为0.6~0.7V，放大倍数上网查，取最小值），以保证管子饱和。个人比较推荐使用MOS管（同理用漏极驱动负载），前后极隔离好，方便分开调试，可以省掉限流电阻（也就省掉一部分的计算了），而且单片机不需要输出静态电流，小功率的可以用SI2302、2N7002等，大功率可以用IRF540等（大功率的，假如用51驱动要加上拉电阻，否则栅极电压不够高）。
4、电感型负载要加反向的续流二极管。
5、在7805的压降白白消耗了能量，变成发热，当电流大时，7805的发热量很可观（假如单单驱动一个单片机倒没什么问题，假如还有驱动其它5V的大电流的器件，那7805的发热就不可忽略了）。
如果有条件可以弄个DC-DC开关电源变压。
6、单片机电源端要加电容滤波，单单一个7805是不够的，可以添加100u的电解电容和0.1u的陶瓷电容并联对电源进行滤波。
10. 单片机驱动mos管开关电路
很简单，图中二极管的作用是在三极管关断的时候，由于继电器的自感作用会产生高压，为防止这个高压将三极管激穿，加个二极管将三极管集电极的高压钳位在12.7V左右。37.5mA的电流，9014的三极管应该足够了，如果不够，你可以换一个P沟道的MOS管，一样的接在电路中就行了。