1. mos传输管
阈值电压（Threshold voltage）
通常将传输特性曲线中输出电流随输入电压改变而急剧变化转折区的中点对应的输入电压称为阈值电压。
MOS管，当器件由耗尽向反型转变时，要经历一个 Si 表面电子浓度等于空穴浓度的状态。此时器 件处于临界导通状态，器件的栅电压定义为阈值电压，它是MOSFET的重要参数之一 。
2. mos管的使用
判断电动车控制器MOS管好坏可以使用万用表欧姆档。用测电阻法去简单判断MOS好坏，就是用机械式万用表测量MOS管的源极与漏极、栅极与源极、栅极与漏极之间的电阻值与MOS管手册标明的电阻值是否相符去判别管的好坏。
具体方法：首先将万用表置于R×10或R×100档，红表笔（电池负）接MOS管源极S，黑表笔（电池正）漏极D，这时电阻应该无穷大，两表笔对调，它们之间有电阻，通常在几十欧到几千欧范围（因为MOS的S与D之间连接有保护管，各种不同型号的MOS管，其使用的保护管是不同的，有使用二极管、也有使用稳压管的各不是相同的），如果测得阻值大于正常值，可能是由于内部接触不良；如果测得阻值是无穷大，可能是内部断极。
然后把万用表置于R×10k档，再测栅极与源极、栅极与漏极之间的电阻值，当测得其各项电阻值均为无穷大，则说明管是正常的；若测得上述各阻值太小或为通路，则说明管是坏的。
3. mos管传输门
耦合阵列的每个线圈回路通过串联一个1:50的变压器对回路电流进行采样，经整流及电容平缓后用CPLD检测采样耦合电压来反映此线圈的发送功率，并输出控制信号调整线圈关断，从而使耦合效率达到最高。电磁耦合阵列可以为多个，不同的电磁耦合阵列按不同的高度设置，可增加用电设备获取电能的灵活性，即用电设备在不同的高度和不同的方向，都能最大限度地获取电能，提高了电能的利用效率。
驱动电路将方波信号送入由发送线圈、MOS管Q4、电容C2及变压器T1构成初级线圈，初级线圈把能量耦合发送给次级线圈，通过匝数比为1：500的变压器T1进行电压放大，后经二极管D3，D4、D5及D6构成桥式整流电路整流和C3平滑，所获得的直流电压送至供电设备。
4. mos管连接
这个电阻影响G极电流，即其大小影响MOS管开关速度。同时，此电阻阻值也与MOS管振铃现象有关。 再具体的，你可以查下MOS管驱动电路的资料
5. mos管交流
高压包相当于一个高频升压变压器，我们一般用的电频率达不到，或者是直流，无法驱动高压包，所以我们采用mos管自激产生高频交流驱动高压包。
高压包输出给高压电容充电，对着特斯拉线圈初级放点，次级就会产生超高压电弧。
6. MOS管输出
mos管坏了不可以直接短接，通过MOS管实现一定功能，比如稳压，通断功能，如果短接电源直接跨过MOS管，所有功能失效，会损坏设备。
mos管是由输出信号控制的开关管，启动稳压的作用，如果短接就没有反馈控制导致电路烧毁。
MOS管接法：NMOS管左边的电路中，控制端为0V时MOS管关断，S极的电平为0，当G极给一定电压U0时MOS管导通，这时候负载（R）有电流（I）通过，S极的电压为U1等于R I，
这时候G极和S极之间的压差为U2等于U0U1，当U2不能够将MOS管完全导通时流过负载的电流就会降低。
MOS管接法：当G极和S极之间的压差都是G极电压U0，只要U0能够将MOS管导通即可，不会出现左边电路的情况。建议使用右边的MOS管驱动电路。
7. mos传输管工作原理
1、当SDA1输出高电平时：MOS管Q1的Vgs = 0，MOS管关闭，SDA2被电阻R3上拉到5V。
2、当SDA1输出低电平时：MOS管Q1的Vgs = 3.3V，大于导通电压，MOS管导通，SDA2通过MOS管被拉到低电平。
3、当SDA2输出高电平时：MOS管Q1的Vgs不变，MOS维持关闭状态，SDA1被电阻R2上拉到3.3V。
4、当SDA2输出低电平时：MOS管不导通，但是它有体二极管！MOS管里的体二极管把SDA1拉低到低电平，此时Vgs约等于3.3V，MOS管导通，进一步拉低了SDA1的电压
8. mos管子
可能是管子本身制造质量问题，
或者主板设计时该MOS管的电流余量不够大,在大电流情况下容易烧毁。
与主板上高温元件(比如大电流的电感线圈)设际上靠得太近,管子本身的热量散发不出去,逐渐积累的高温使管子不稳定导致烧毁。
4.
供电质量差(比如使用低劣的电源),电流不稳