1. 肖特基二极管是全控型器件吗
不可控器件即电力二极管 。
不可控器件与半控、全控型电力电子器件的主要区别如下：
一、原理不同
1、电力二极管：
为一个由p型半导体和n型半导体形成的pn结，在其界面处两侧形成空间电荷层，并建有自建电场。
2、全控型器件：通过控制信号过可以控制其导通而不能控制其关断的电力电子器件。
3、半控型器件：通过控制信号既可以控制其导通，又可以控制其关断的电力电子器件。
二、特点不同
1、电力二极管：单方向导电性。在电路中，电流只能从二极管的正极流入，负极流出。
2、全控型器件：输入阻抗高，驱动电路简单，需要的驱动功率小；开关速度快，工作频率高；热稳定性优于GTR。
3、半控型器件：其伏安特性类似二极管的反向特性；晶闸管处于反向阻断状态时，只有极小的反向漏电流通过。
三、分类不同
1、电力二极管：有普通二极管、快恢复二极管、肖特基二极管。
2、全控型器件：门极可关断晶闸管（Gate-Turn-Off Thyristor—GTO），电力场效应晶体管（Power MOSFET），绝缘栅双极晶体管。
3、半控型器件：主要是晶闸管（Thyristor）及其大部分派生器件。 来源： -全控型器件 -半控型器件 -电力二极管
2. 肖特基二极管芯片
当输出电压因为负载重，或者其他电路原因，引发输出端电压升高，达到d6反向击穿电压后，二极管导通，限制输出电压，同时流过d6电流急剧增大，引起短路烧毁，电源短路保护动作，关停电源，这样负载（电器）就不会过压烧毁，从而保护好重要的电器。
3. 肖特基二极管是多子器件
肖特基二极管主要特点是正向导通压降小，反向恢复时间短和开关损耗小，是一种低功耗、超高速半导体器件。缺点是耐压比较低、反向漏电流比较大。
肖特基二极管的反向恢复时间只是肖特基势垒电容的充、放电时间，完全不同于PN结二极管反向恢复时间。因为反向恢复电荷少，肖特基二极管开关速度极快，开关损耗也极小，特别适合于高频应用。
所以，肖特基二极管一般都应用在高频的充电电路中及在变频器、开关电源、模块电源、驱动电路等场合，作为整流二极管、保护二极管、续流二极管等使用，在微波通信等电路中作为整流二极管。
4. 什么叫肖特基二极管
高速开关二极管。
拓展介绍：
高速开关二极管较普通开关二极管的反向恢复时间更短，开、关频率更快。
常用的国产高速开关二极管有2CK系列。
进口高速开关二极管有1N系列、1S系列、1SS系列（有引线塑封）和RLS系列（表面安装）。
高速开关二极管 - 特 征PN接合二极管由于利用了少数载子，因此导电调制效果虽然可以降低正向电压，但少数载子所带有的反向恢复特性会阻碍高速切换。FRD和HED虽然都是PN接合二极管的一咱，但是将白金等重金属加入Si单结晶中，增加电子和空穴的再结合中心，能迅速消灭关断后的少数载子。同时，肖特基势垒二极管主要是由多数载子在运动，因此不会出现反向恢复特性。因此，运行也更快速。
5. 肖特基二极管是不可控器件吗
肖特基二极管。
肖特基二极管是贵金属（金、银、铝、铂等）A为正极，以N型半导体B为负极，利用二者接触面上形成的势垒具有整流特性而制成的金属-半导体器件。
因为N型半导体中存在着大量的电子，贵金属中仅有极少量的自由电子，所以电子便从浓度高的B中向浓度低的A中扩散。显然，金属A中没有空穴，也就不存在空穴自A向B的扩散运动。
6. 肖特基二极管是全控型器件吗为什么
电力电子器件（Power Electronic Device）又称为功率半导体器件，主要用于电力设备的电能变换和控制电路方面大功率的电子器件（通常指电流为数十至数千安，电压为数百伏以上）。
1、按照电力电子器件能够被控制电路信号所控制的程度分类：半控型器件，例如晶闸管；全控型器件，例如GTO（门极可关断晶闸管）、GTR（电力晶体管），Power MOSFET（电力场效应晶体管）、IGBT（绝缘栅双极晶体管）；不可控器件，例如电力二极管。
2、按照驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间信号的性质分类：电压驱动型器件，例如IGBT、Power MOSFET、SITH（静电感应晶闸管）；电流驱动型器件，例如晶闸管、GTO、GTR。
3、根据驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间的有效信号波形分类：脉冲触发型，例如晶闸管、GTO；电子控制型，例如GTR、PowerMOSFET、IGBT。
4、按照电力电子器件内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况分类：双极型器件，例如电力二极管、晶闸管、GTO、GTR；单极型器件，例如PowerMOSFET、SIT、肖特基势垒二极管；复合型器件，例如MCT（MOS控制晶闸管）、IGBT、SITH和IGCT。
特点：
电力二极管：结构和原理简单，工作可靠。
晶闸管：承受电压和电流容量在所有器件中最高。
IGBT：开关速度高，开关损耗小，具有耐脉冲电流冲击的能力，通态压降较低，输入阻抗高，为电压驱动，驱动功率小；缺点：开关速度低于电力MOSFET,电压，电流容量不及GTO。
GTR：耐压高，电流大，开关特性好，通流能力强，饱和压降低；缺点：开关速度低，为电流驱动，所需驱动功率大，驱动电路复杂，存在二次击穿问题。
GTO：电压、电流容量大，适用于大功率场合，具有电导调制效应，其通流能力很强。
电流关断增益很小，关断时门极负脉冲电流大，开关速度低，驱动功率大，驱动电路复杂，开关频率低。
电力MOSFET：开关速度快，输入阻抗高，热稳定性好，所需驱动功率小且驱动电路简单，工作频率高，不存在二次击穿问题；缺点：电流容量小，耐压低，一般只适用于功率不超过10kW的电力电子装置。
制约因素：耐压，电流容量，开关的速度。
扩展资料
1、随着电力电子技术应用的不断发展，对电力电子器件性能指标和可靠性的要求也日益苛刻。具体而言，要求电力电子器件具有更大的电流密度、更高的工作温度、更强的散热能力、更高的工作电压、更低的通态压降、更快的开关时间，而对于航天和军事应用，还要求有更强的抗辐射能力和抗振动冲击能力。
特别是航天、航空、舰船、输变电、机车、装甲车辆等使用条件恶劣的应用领域，以上要求更为迫切。
2、未来几年中，尽管以硅为半导体材料的双极功率器件和场控功率器件已趋于成熟，但是各种新结构和新工艺的引入，仍可使其性能得到进一步提高和改善，Coolmos、各种改进型IGBT和IGCT均有相当的生命力和竞争力。
3、电力电子器件的智能化应用也在不断研究中取得了实质成果。一些国外制造企业已经开发出了相应的IPM智能化功率模块，结构简单、功能齐全、运行可靠性高，并具有自诊断和保护的功能。
4、新型高频器件碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)器件正在迅速发展，一些器件有望在不远的将来实现商品化，总部位于美国北卡罗来纳的CREE公司已经实现商用的SiC二极管和MOSFET。
但由于材料和制造工艺方面的问题，还需要大量的研究投入和时间才能逐步解决，北卡州立大学的FREEDM中心正在对此技术进行研究 。
参考资料来源：
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7. 常用的肖特基二极管
不属于肖特基，最普通的整流二极管，小电流情况下可以用，我一般用在RCD箝位电路里
二极管类型:小信号
电流, If 平均:150mA
电压, Vrrm:100V
正向电压 Vf 最大:1V
时间, trr 最大:4ns
电流, Ifs 最大:500mA
封装形式:DO-35
8. 生产肖特基二极管
HBR2200二极管是肖特基二极管，只要同型号的都可以代换，例如5295g、s5295g、zru3、z1883、zem01z、zeu1c、z1834、zrg2都可以代换，注意代换电流大于2A小于10A就好。
二极管的代换应遵循代换后的二极管反向电压、反向峰值电压、额定电流、瞬时浪涌电流等，要求大于、等于原来的二极管的参数，或者至少大于实际工作参数的原则。
9. 肖特基二极管百科
开关电源频率很高，整流时用普通二极管会造成二极管损耗增大发热，甚至完全不能工作（说通俗点就是普通二极管接电容过大跟不上开关电源频率的节奏）。
而肖特基二极管反向恢复时间短，速度快，常用来做开关电源整流。另外肖特基正向导通压降也小，发热小。它的缺点是耐压都比较低。