1. 肖特基二极管生产厂家
1、Motorola--摩托罗拉公司（Motorola Inc ）。原名：Galvin Manufacturing Corporation，成立于1928年。1947年，改名为Motorola，从1930年代开始作为商标使用。总部设在美国伊利诺伊州绍姆堡，位于芝加哥市郊。世界财富百强企业之一，是全球芯片制造、电子通讯的领导者。 2、National Semiconductor(NS)--美国国家半导体。公司将真实世界的模拟技术和完美工艺的数字技术相结合，专注基于模拟技术的半导体产品，包括电源管理、图像技术、显示驱动器、音频、放大器和数据转换等领域的独立元件和子系统。 3、ST Microelectronics--意法半导体。是全球最大的半导体公司之一，2010 年净收入 103.5 亿美元，2011 年第二季度净收入 25.7亿美元。 以业内最广泛的产品组合著称，凭借多元化的技术、尖端的设计能力、知识产权组合、合作伙伴战略和高效的制造能力，意法半导体以创新的半导体解决方案为不同的电子应用领域的客户提供服务。 4、Siemens--西门子。德国西门子股份公司创立于1847年，是全球电子电气工程领域的领先企业。 5、Microsemi,Microsemi Corporation，总部设于加利福尼亚州尔湾市，是一家领先的高性能模拟和混合信号集成电路及高可靠性半导体设计商、制造商和营销商。 6、SGS Thomson Microelectronics--汤姆森微电子。汤姆逊是法国最大的国家企业集团，位居全球第四大的消费类电子生产商。 汤姆逊为全球四大消费电子类生产商之一。 7、ON Semiconductor--安森美半导体，主要生产宽带数据应用IC、电源管理模拟IC、低压功率晶体管等。 8、Central Semiconducto--美国中央半导体。公司成立于1974年，主要提供多种超小型贴片封装和低功耗 的分立半导体器件。将推出一系列超小封装二极管，晶体管，肖特基整流器，新一代小信号场效应管低，全新400V晶闸管 (SCR)。Central还将推出SOT-883L 和SOT-923封装的小信号晶体管。
2. 肖特基二极管模块
二极管的工作原理(正向导电，反向不导电)
晶体二极管是一个由p型半导体和n型半导体形成的p-n结，在其界面处两侧形成了空间电荷层，并且建有自建电场，当不存在外加电压时，因为p-n结两边载流子浓度差引起的扩散电流和自建电场引起的漂移电流相等而处于电平衡状态。 当产生正向电压偏置时，外界电场与自建电场的互相抑消作用使载流子的扩散电流增加引起了正向电流。(也就是导电的原因) 当产生反向电压偏置时，外界电场与自建电场进一步加强，形成在一定反向电压范围中与反向偏置电压值无关的反向饱和电流。(这也就是不导电的原因) 晶体二极管为一个由p型半导体和n型半导体形成的p-n结，在其界面处两侧形成空间电荷层，并建有自建电场当不存在外加电压时，由于p-n结两边载流子浓度差引起的扩散电流和自建电场引起的漂移电流相等而处于电平衡状态。 当外界有正向电压偏置时，外界电场和自建电场的互相抑消作用使载流子的扩散电流增加引起了正向电流。
当外界有反向电压偏置时，外界电场和自建电场进一步加强，形成在一定反向电压范围内与反向偏置电压值无关的反向饱和电流I0。
当外加的反向电压高到一定程度时，p-n结空间电荷层中的电场强度达到临界值产生载流子的倍增过程，产生大量电子空穴对，产生了数值很大的反向击穿电流，称为二极管的击穿现象。
3. 国产肖特基二极管
b14二极管是肖特基二极管。肖特基二极管是以其发明人肖特基博士（Schottky）命名的，SBD是肖特基势垒二极管（SchottkyBarrierDiode,缩写成SBD）的简称。
SBD不是利用P型半导体与N型半导体接触形成PN结原理制作的，而是利用金属与半导体接触形成的金属－半导体结原理制作的。因此，SBD也称为金属－半导体（接触）二极管或表面势垒二极管，它是一种热载流子二极管。
4. 肖特基二极管芯片
肖特基二极管(SBD)是利用金属-半导体整流接触特性制成的二极管，且SBD通过肖特基接触势垒进行整流的多数载流子器件，其反向恢复特性良好，并不存在类似PiN的少数截流子注入，无需考虑少数载流子注入的问题，具有极好的开关速度。
近年来随着需求增长肖特基二极管具有更高的工作频率、更小的元胞尺寸和更低功耗。肖特基二极管应用范围不断扩大，可作快速、大功率、低功耗、高耐压整流器、保护电路的功率器件使用，肖特基二极管还经常在集成电路中使用。SBD的反向恢复时间是肖特基接触中多数截流子耗尽的过程，肖特基二极管恢复时间比快恢复二极管还要小，正向恢复过程中也不会有明显的电压过冲，开关转换时间短，反向恢复电荷。
5. 二极管肖特基是干什么的
LM2596是开关稳压集成电路，电路中的那个肖特基二极管是用来保护LM2596的。因为工作时电路中那个线圈会产生感生电压，该电压可能会损坏LM2596。这个肖特基二极管不能省略。
6. 肖特基二极管 mosfet
所用的材质不同。
碳化硅是第三代半导体材料，作为宽禁带半导体材料的一种，与硅的主要差别在禁带宽度上，这让同性能的碳化硅器件尺寸缩小到硅基的十分之一，能量损失减少了四分之三，成为制备高压及高频器件新的衬底材料。
碳化硅器件具备广阔的应用领域和市场空间，未来几年市场规模年化复合增速约 30%，乐观预计复合增速达35%，未来1~2恰处于爆兵期。
这里先引入一个区分，碳化硅衬底分为导电型与半绝缘型。通过在导电型碳化硅衬底上生长碳化硅外延层，制得碳化硅同质外延片，可进一步制成肖特基二极管、MOSFET、IGBT 等功率器件，主要应用领域包括电动汽车、光伏、轨道交通、智能电网等。通过在半绝缘型碳化硅衬底上生长氮化镓外延层，制得碳化硅基氮化镓外延片，可进一步制成微波射频器件，主要应用在通讯等领域。
7. 肖特基二极管电路
1、用快速恢复二极管可以代替肖特二极管。
2、快恢复二极管（简称FRD）是一种具有开关特性好、反向恢复时间短特点的半导体二极管，主要应用于开关电源、PWM脉宽调制器、变频器等电子电路中，作为高频整流二极管、续流二极管或阻尼二极管使用。
快恢复二极管的内部结构与普通PN结二极管不同，它属于PIN结型二极管，即在P型硅材料与N型硅材料中间增加了基区I，构成PIN硅片。
因基区很薄，反向恢复电荷很小，所以快恢复二极管的反向恢复时间较短，正向压降较低，反向击穿电压（耐压值）较高。
3、肖特基二极管是以其发明人肖特基博士（Schottky）命名的，SBD是肖特基势垒二极管（SchottkyBarrierDiode,缩写成SBD）的简称。SBD不是利用P型半导体与N型半导体接触形成PN结原理制作的，而是利用金属与半导体接触形成的金属－半导体结原理制作的。
因此，SBD也称为金属－半导体（接触）二极管或表面势垒二极管，它是一种热载流子二极管。
8. 肖特基二极管厂商
sunmate森美特是二极管牌子。
SUNMATE（森美特）电子有限公司成立于2010年，公司占地面积3000平方米，注册资金5000万元。拥有400多家公司的员工。是一家集二极管研发、生产、销售为一体的专业高新技术企业。公司引进了国外一流的生产检测设备。产品性能稳定，严格执行ISO9001国际质量标准。
产品：稳压二极管稳,瞬态抑制二极管,UFRD超快速恢复二极管,肖特基二极管,快恢复二极管,整流二极管,高频开关,放电管等等。它涵盖了汽车、计算机、电器、电子通信等领域。