1. igbt绝缘栅双极晶体管
1、名称不同：晶闸管简称为SCR，IGBT的中文名称为绝缘栅双极型晶体管。
2、材料不同： IGBT为全控型器件，SCR为半控型器件。
3、控制方式不同： SCR是通过电流来控制，IGBT通过电压来控制。SCR需要电流脉冲驱动开通，一旦开通，通过门极无法关断。
4、开关频率不同： SCR的开关时间较长，所以频率不能太高，一般在3-5KHZ左右；IGBT的开关频率较高。IGBT模块可达30KHZ左右，IGBT单管开关频率更高，达50KHZ以上。
2. IGBT(绝缘栅双极型晶体管)
目前IGBT的主要品牌有，飞兆（又名仙童、快捷）三菱、富士、东芝、三社、三垦、西门康、英飞凌，IR。IGBT是绝缘栅双极型晶体管（Isolated Gate Bipolar Transistor），它是八十年代初诞生，九十年代迅速发展起来的新型复合电力电子器件。
IGBT将MOSFET与GTR的优点集于一身，既有输入阻抗高、速度快、热稳定性好、电压驱动型，又具有通态压降低、高电压、大电流的优点。
3. igbt集电极栅极发射极
1、 判断极性首先将万用表拨在 R×1K 挡，用万用表测量时，若某一极与其它两极阻值为无穷大，调换表笔后该极与其它两极的阻值仍为无穷大，则判断此极为栅极（ G ）。
2、 其余两极再用万用表测量，若测得阻值为无穷大，调换表笔后测量阻值较小。
3、 判断好坏将万用表拨在 R×10KQ 档，用黑表笔接 IGBT 的集电极（ C ) ，红表笔接 IGBT 的发射极 ( E ) ，此时万用表的指针在零位。
4、 用手指同时触及一下栅极（ G ）和集电极（ C ) ，这时工 GBT 被触发导通，万用表的指针摆向阻值较小的方向，并能站们指示在某一位置。
5、 然后再用手指同时触及一下栅极（ G ）和发射极（ E ) ，这时 IGBT 被阻断，万用表的指针 回零。此时即可判断 IGBT 是好的。
6、 注意判断IGBT 好坏时，一定要将万用表拨在 R×IOK挡，因 R×IKQ 档以下各档万用表内部电池电压太低，
7、 检测好坏时不能使IGBT 导通，而无法判断 IGBT 的好坏。此方法同样也可以用护检测功率场效应晶体管 ( P 一 MOSFET ）的好坏。
4. igbt绝缘栅双极晶体管特点
绝缘栅是一种由单极性的MOS和双极型晶体管复合而成的器件。绝缘栅双极晶体管综合了电力晶体管和电力场效应晶体管的优点，具有良好的特性，应用领域很广泛；IGBT也是三端器件：栅极，集电极和发射极。
绝缘栅双极晶体管综合了电力晶体管和电力场效应晶体管的优点，具有良好的特性，应用领域很广泛；IGBT也是三端器件：栅极，集电极和发射极。
5. IGBT栅极电阻
igbt三脚的符号分别是 :G 极(相当于三极管的基极)、E极(相当于普通三极管的发射极)、C 极(三极管的集电极)。
IGBT是“Insulated Gate Bipolar Transistor”的首字母缩写，中文名称是“绝缘栅双极晶体管”。通过结合MOSFET和双极晶体管，IGBT成为同时具备这两种器件优点的功率晶体管。
6. igbt栅极保护电路
IGBT是—种场控器件，它的开通和关断由栅极和发射极间电压UGE决定，当栅射电压UCE为正且大于开启电压UCE（th）时，MOSFET内形成沟道并为PNP型晶体管提供基极电流进而使IGBT导通，此时，从P+区注入N-的空穴（少数载流子）对N-区进行电导调制，减小N-区的电阻RN，使高耐压的IGBT也具有很小的通态压降。当栅射极间不加信号或加反向电压时，MOSFET内的沟道消失，PNP型晶体管的基极电流被切断，IGBT即关断。由此可知，IGBT的驱动原理与MOSFET基本相同。
①当UCE为负时：J3结处于反偏状态，器件呈反向阻断状态。
②当uCE为正时：UC< UTH，沟道不能形成，器件呈正向阻断状态；UG>UTH，绝缘门极下形成N沟道，由于载流子的相互作用，在N-区产生电导调制，使器件正向导通。
7. 绝缘栅双极型晶体管(IGBT)特性与驱动电路研究
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。
GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大；MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。
8. 绝缘栅双极晶体管 IGBT的主要参数有哪些?
电磁炉配件igbt的作用是 使直流电逆变 为高频交流电,以满足感应加热的要求。电压谐振变换器是低开关损耗的零电压. 型(ZVS)变换器,主开关元件是功率晶体管,常称为功率开关管。目前,采用 绝缘栅双极晶体管(IGBT)。功率开关管的开关动作是由 主控制器 控制，并通过为满足功率开关管驱动条件的驱动电路而完成的。
9. igbt绝缘栅双极晶体管包装
IGBT（绝缘栅双极型晶体管）的主要材料有：外部为封装用的陶瓷；内部件是银丝，黄金镀膜，和透明硅胶等。
IGBT，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大；MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。
10. IGBT 二极管
先说普通整流吧，一般是二极管整流或是可控硅整流，即使是用全波桥式整流，由于整流后面要加入大量的滤波电容，而二极管或可控硅都是在为后面的电容冲电提供服务，只有电容上的直流电低于二极管或可控硅送过来的整流后的电压值时，二极管或可控硅才导通，电容的冲放电的特性就决定了电源侧的电压与电流波形不能保持同步，从设计和使用角度，希望滤波电容越多越好，使直流电尽可能的平滑，但这样就造成大量谐波污染电网，设备的输入功率因数也非常低。
而IGBT整流，加入了复杂的控制电路，一般是用二极管全桥与IGBT相结合的主电路，通过对IGBT的控制，控制IGBT的导通与关闭，模拟出一个正弦交流电流的波形，而且与输入电压波形同相位，这样就把功率因数近似提高到1，大量降低了谐波的产生，所以被越来越多的使用。
11. 绝缘栅双极晶闸管
半控、全控型电力电子器件的主要区别如下：
一、原理不同
1、全控型器件：通过控制信号过可以控制其导通而不能控制其关断的电力电子器件。
2、半控型器件：通过控制信号既可以控制其导通，又可以控制其关断的电力电子器件。
二、特点不同
1、全控型器件：输入阻抗高，驱动电路简单，需要的驱动功率小；开关速度快，工作频率高；热稳定性优于GTR。
2、半控型器件：其伏安特性类似二极管的反向特性；晶闸管处于反向阻断状态时，只有极小的反向漏电流通过。
三、分类不同
1、全控型器件：门极可关断晶闸管（Gate-Turn-Off Thyristor—GTO），电力场效应晶体管（Power MOSFET），绝缘栅双极晶体管。
3、半控型器件：主要是晶闸管（Thyristor）及其大部分派生器件。