1. 电子束焊接的优缺点
1、直线形运条法 焊条不做横向摆动，沿焊接方向做直线移动。常用于Ⅰ形坡口的对接平焊，多层焊的第一层焊或多层多道焊。 2、直线往复运条法 焊条末端沿焊缝的纵向做来回摆动。特点是焊接速度快，焊缝窄，散热快。适用于薄板和接头间隙较大的多层焊的第一层焊。 3、锯齿形运条法。 焊条末端做锯齿形连续摆动及向前移动，并在两边稍停片刻。摆动的目的是为了控制熔化金属的流动和得到必要的焊缝宽度，以获得较好的焊缝成形。这种运条方法在生产中应用较广，多用于厚钢板的焊接，平焊、仰焊、立焊的对接接头和立焊的角接接头。 4、月牙形运条法。 焊条的末端沿着焊接方向做月牙形的左右摆动。摆动的速度要根据焊缝的位置、接头形式、焊缝宽度和焊接电流值来决定。同时需在接头两边停留片刻，这是为了使焊缝边缘有足够的熔深，防止咬边。 5、三角形运条法 焊条末端做连续三角形运动，并不断向前移动。按照摆动形式的不同，可分为斜三角形和正三角形两种，斜三角形运条法适用于焊接平焊和仰焊位置的T形接头焊缝和有坡口的横焊缝，其优点是能够借焊条的摆动来控制熔化金属，促使焊缝成形良好。 6、圆圈形运条法 焊条末端连续做正圆圈或斜圆圈形运动，并不断前移。正圆圈形运条法适用于焊接较厚焊件的平焊缝，其优点是熔池存在时间长，熔池金属温度高，有利于溶解在熔池中的氧、氮等气体的析出，便于熔渣上浮。 焊接方法根据焊接时加热和加压情况的不同，通常分熔焊、压焊和钎焊三类。 熔焊是在焊接过程中将焊件接缝处金属加热到熔化状态，一般不加压力而完成焊接的方法。熔焊时，热源将焊件接缝处的金属和必要时添加的填充金属迅速熔化形成熔池，熔池随热源的移动而延伸，冷却后形成焊缝。 利用电能的熔焊，根据电加热的方法不同，分为电弧焊、电渣焊、电子束焊和激光焊几种。熔焊的适用面很广，在各种焊接方法中用得最普遍，尤其是其中的电弧焊。 ：-电焊
2. 激光焊与电子束焊的特点
焊接，也称作熔接、镕接，是一种以加热、高温或者高压的方式接合金属或其他热塑性材料如塑料的制造工艺及技术。
根据焊接过程中加热程度和工艺特点的不同，焊接方法可以分为三大类。
（1）熔焊
将工件焊接处局部加热到熔化状态，形成熔池（通常还加入填充金属），冷却结晶后形成焊缝，被焊工件结合为不可分离的整体。常见的熔焊方法有气焊、电弧焊、电渣焊、等离子弧焊、电子束焊、激光焊等。
（2）压焊
在焊接过程中无论加热与否，均需要加压的焊接方法。常见的压焊有电阻焊、摩擦焊、冷压焊、扩散焊、爆炸焊等。
（3）钎焊
采用熔点低于被焊金属的钎料（填充金属）熔化之后，填充接头间隙，并与被焊金属相互扩散实现连接。钎焊过程中被焊工件不熔化，且一般没有塑性变形。
3. 电子束焊在实际应用中以真空电子束焊接居多对还是错
1、直线形运条法。
用直线运条法焊接时候，焊条应保持一定的弧长，沿焊接方向只作直线于东，不作横摆动，由于焊条不做横向摆动，能获得较大的熔深，多层焊打底及多层多道焊。
2、往复直线运条法。
焊条末端沿焊缝方向作来回直线形摆动，其特点是焊接速度快，焊缝窄，散热快，所以适用于薄板焊接及厚板接头间隙较大的打底焊。
3、锯齿形运条法。
此法是将焊条末端作锯齿形连续摆动而向前移动，并在焊缝两边停留片刻，使焊缝与母材得到良好的熔核，以防产生咬边。
4. 电子束焊接的焊接速度较低不如
铜线用锡焊接对导电有影响。技术要求主要为纹波系数和稳定度，纹波系数要求小于1%，稳定度为±1%，几乎所有的电子束焊机制造商都提出这样要求。
其中德国PTR公司还提出了中压型的技术要求，它要求相对纹波系数小于0.5%，稳定度为±0.5%，同时还提出了重复性要求小于0.5%。以上要求均根据电子束斑和焊接工艺所决定。
另外，德国Pro-beam 集团提出了电子束硬化所作的钢含碳 量必须大于0.18%,真空的优势是退火后无颜色变化，无氢脆，深度在0.1-1.7mm之间，无表面溶解。
5. 电子束焊接的缺陷
不包括A.可焊性材料较少。
电子束焊的优点：
1)电子束穿透能力强,焊缝深宽比大。
2)焊接速度快,热影响区小,焊接变形小。对精加工的工件可用作最后连接工序,焊后工件仍保持足够高的精度。
3)真空电子束焊接不仅可以防止熔化金属受到氧、氮等有害气体的污染,而且有利于焊缝金属的除气和净化,因而特别适于活泼金属的焊接。
4)电子束在真空中可以对较远的位置进行焊接,因而也可以焊 接难以接近部位的接缝。
5)通过控制电子束的偏移,可以实现复杂焊缝的自动焊接。也 可以通过电子束扫描熔池来消除缺陷,提高接头质量。
6. 离子束焊接优缺点
(1)掺杂温度低。离子注入是在高真空中、在室温或低温下进行的，可以避见高温扩散中所引进的热缺陷或基片的热变形。
(2)易于控制杂质的浓度分布知。适当控制注入剂量和能量．可能得到理论设计中所要求的理想杂质分布。
(3)可控性好。掺杂浓度、结深和杂质分布都能技预定的要求通过调节注入离子的束流、能量和注入时间得到精确控制。
(4)侧向扩散小。在热扩散中，窗口边缘处的横向扩展范围基本上等于纵向扩散深度。在离子注入时，道只有当离子质量较轻或入射能员较高时，才有比较明显的侧向扩散，一般悄况下。横向扩展与纵向深度相比是很小的、常常可以忽略，这对提高IC集成密度十分重要。
(5)具有“直接写入”功能，可以不回要掩模。低温掺杂和“直接写入”是离子注入技术与激光掺杂技术所共有的优势。与激光掺杂技术相比，离子注入掺杂技术还存在一定的缺点。离子注入掺杂的最大缺点是离子注入时会在晶体内产生大量的晶格缺陷，虽然这些缺陷的大部分可以通过答退火来消除，但残留的二次缺陷和晶格畸变往往会给器件的电特性带来很坏的影响。此外，离子注入设备庞大、复杂、价格高昂，这也在一定程度上绍其应用带来限制或困难。