1. 深紫外光刻机与极紫外光刻机的区别
光刻机曝光系统最核心的部件之一是紫外光源。曝光光源波长分为紫外、深紫外和极紫外区域，光源有汞灯，准分子激光器等曝光系统最核心的部件之一是紫外光源。duv是指深紫外光。
2. 极紫外光刻机有什么用
光刻机是法国人Nicephore niepce（尼埃普斯）发明的，起初是Nicephore niepce发现了一种能够刻在油纸上的印痕，当其出现在了玻璃片上后，经过一段时间的暴晒，透光的部分就会变得很硬，但是在不透光的部分可以用松香和植物油将其洗掉。
光刻机（lithography）又名：掩模对准曝光机，曝光系统，光刻系统等，是制造芯片的核心装备。它采用类似照片冲印的技术，把掩膜版上的精细图形通过光线的曝光印制到硅片上。光刻机的主要性能指标有：支持基片的尺寸范围，分辨率、对准精度、曝光方式、光源波长、光强均匀性、生产效率等。分辨率是对光刻工艺加工可以达到的最细线条精度的一种描述方式。光刻的分辨率受受光源衍射的限制,所以与光源、光刻系统、光刻胶和工艺等各方面的限制。对准精度是在多层曝光时层间图案的定位精度。曝光方式分为接触接近式、投影式和直写式。曝光光源波长分为紫外、深紫外和极紫外区域，光源有汞灯，准分子激光器等。
3. 深紫外光刻机原理
十年。
一台光刻机的寿命也不仅仅在于一两代芯片，如果用193nm深紫外光刻机也是可以做到10nm乃至7nm芯片的生产的，只是工艺难度实现起来相对复杂，成本较高，比如采用自对准四次成型技术，就可以得到更加致密的结构，不过因为芯片层级的工艺变得复杂，需要更多掩模版和材料，所以用193nm光刻机生产7nm芯片非常不划算，所以到了这个程度必须上EUV光刻机。
4. 深紫外光刻技术
深亚微米，通常把0.8—0.35μm称为亚微米，0.25μm及其以下称为深亚微米，深亚微米制造的关键技术主要包括紫外光刻技术、等离子体刻蚀技术、离子注入技术、同互连技术等。
5. 深紫外光刻和极紫外光刻
用于大规模集成电路生产的主流光刻技术仍是光学光刻技术，下一代光刻技术的主要候选者是极紫外光刻技术、纳米压印技术和无掩模光刻技术。
1. 极紫外光刻技术
极紫外光刻技术一直是最受关注且最有可能达到量产化要求的光刻技术。极紫外光刻技术使用波长为13．5 nm的极紫外光，几乎所有的材料对这个波段的光都是强吸收的，因此极紫外光刻技术只能采用反射投影光学系统。
极紫外光线经过由80层Mo—Si结构多层膜反射镜组成的聚光系统聚光后，照明反射式掩模，经缩小反射投影光学系统，将反射掩模上的图形投影成像在硅片表面的光刻胶
6. 深紫外光刻机与极紫外光刻机的区别在哪
EUV极紫外光刻（Extreme Ultra-Violet）是一种使用极紫外（EUV）波长的新一代光刻技术，其波长为13.5纳米。由于光刻精度是几纳米，EUV对光的集中度要求极高，相当于拿个手电照到月球光斑不超过一枚硬币。反射的镜子要求长30cm起伏不到0.3nm，相当于北京到上海的铁轨起伏不超过1毫米。一台EUV光刻机重达180吨，超过10万个零件，需要40个集装箱运输，安装调试要超过一年时间。
7. 极紫外光刻机采用的紫外光波长
指的是14nm芯片量产。
光刻机14nm量产实际上指的是使用光刻机可以量产14nm的芯片，并不是14nm制程光刻机设备量产。目前最高端光刻机是13.5nm极紫外光光源波长的光刻机，没有14nm光源波长的光刻机。这种类型一般用于高端芯片，比如5nm、7nm。而14nm芯片量产指的是光源波长193nm的duv光刻机通过技术实现14nm芯片量产。
8. 光刻机的紫外光源
紫外光源曝光系统最核心的部件之一是紫外光源。常见光源分为:可见光：g线：436nm紫外光（UV），i线：365nm深紫外光（DUV）,KrF 准分子激光：248 nm, ArF 准分子激光：193 nm极紫外光（EUV），10 ~ 15 nm对光源系统的要求a.有适当的波长。波长越短，可曝光的特征尺寸就越小；[波长越短，就表示光刻的刀锋越锋利，刻蚀对于精度控制要求越高。]b.有足够的能量。能量越大，曝光时间就越短；c.曝光能量必须均匀地分布在曝光区。[一般采用光的均匀度 或者叫 不均匀度 光的平行度等概念来衡量光是否均匀分布]常用的紫外光光源是高压弧光灯（高压汞灯），高压汞灯有许多尖锐的光谱线，经过滤光后使用其中的g 线（436 nm）或i 线（365 nm）。对于波长更短的深紫外光光源，可以使用准分子激光。例如KrF 准分子激光（248 nm）、ArF 准分子激光（193 nm）和F2准分子激光（157 nm）等。曝光系统的功能主要有：平滑衍射效应、实现均匀照明、滤光和冷光处理、实现强光照明和光强调节等。
9. 极紫外光刻机研制究竟有多难
光刻机是制作芯片并不可少的重要工具，大家都知道，光刻机技术几乎被荷兰ASML所垄断，那么全球最先进的光刻机是多少nm的？中国现在又能够做出几nm的芯片呢？
目前全球最先进的光刻机已经可以实现5nm的工艺制程了，它是荷兰ASML公司的极紫外光刻机（EUV），是目前全球最顶尖的光刻机设备。
中国目前最先进的光刻机应该是22nm的，它的关键部件可以实现国产化了。但中国已经可以实现14nm芯片的量产了，这是中芯国际取得的一个重大成绩。
10. 光刻机 极紫外线
美国目前并不生产中高端光刻机。
全球能制造光刻机的国家为荷兰的阿斯麦尔，日本的尼康和佳能，中国的上海微电子。其中荷兰阿斯麦尔在45纳米以下高端光刻机市场占有率达80%，并且是唯一能够达到7纳米精度的光刻机提供商。美国虽然不生产光刻机，但生产光刻机中的一个重要部件既13.5纳米极紫外光光源。并且很多为阿斯麦尔提供零部件的公司都是美国资本在控股，也就是说美国有能力控制高端光刻机制造和销售。