1. mosfet的开关特性英文资料
MOS管的开关特性：
MOS管最显著的特点也是具有放大能力。不过它是通过栅极电压uGS控制其工作状态的，是一种具有放大特性的由电压uGS控制的开关元件。
1、静态特性
MOS管作为开关元件，同样是工作在截止或导通两种状态。由于MOS管是电压控制元件，所以主要由栅源电压uGS决定其工作状态。
2、 漏极特性
反映漏极电流iD和漏极-源极间电压uDS之间关系的曲线族叫做漏极特性曲线，简称为漏极特性，也就是表示函数 iD=f(uDS)|uGS的几何图形，当uGS为零或很小时，由于漏极D和源极S之间是两个背靠背的PN结，即使在漏极加上正电压（uDS>0V），MOS管中也不会有电流，也即管子处在截止状态。
3、转移特性
反映漏极电流iD和栅源电压uGS关系的曲线叫做转移特性曲线，简称为转移特性，也就是表示函数 iD=f(uGS)|uDS的几何图形。当uGS<UTN时，MOS管是截止的。当uGS>UTN之后，只要在恒流区，转移特性曲线基本上是重合在一起的。曲线越陡，表示uGS对iD的控制作用越强，也即放大作用越强，且常用转移特性曲线的斜率跨导gm来表示。
2. mosfet
电力MOSFET并联运行时注意：
1、Ron具有正温度系数，具有电流自动均衡的能力，容易并联。
2、 注意选用Ron、UT、Gfs和Ciss尽量相近的器件并联。
3、 电路走线和布局应尽量对称。
4、可在源极电路中串入小电感,起到均流电抗器的作用。 IGBT并联运行时注意： 1、 在1/2或1/3额定电流以下的区段，通态压降具有负温度系数。 2、在以上的区段则具有正温度系数。 3、并联使用时也具有电流的自动均衡能力，易于并联。 MOSFET是金属-氧化物半导体场效应晶体管，简称金氧半场效晶体管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管（field-effect transistor）。MOSFET依照其“通道”（工作载流子）的极性不同，可分为“N型”与“P型” 的两种类型，通常又称为NMOSFET与PMOSFET，其他简称尚包括NMOS、PMOS等。 IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大；MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。
3. mosfet的关断条件
晶闸管导通的条件是，晶闸管承受正向阳极电压时，仅在门极承受正向电压的情况下晶闸管才导通。 维持晶闸管导通的条件是，晶闸管在导通情况下，只要有一定的正向阳极电压，不论门极电压如何，晶闸管保持导通，即晶闸管导通后，门极失去作用。 晶闸管在导通情况下，当主回路电压（或电流）减小到接近于零时，晶闸管关断。
4. MOSFET的开关特性
IGBT与MOSFET结构上的差别只是IGBT在VDMOS的背面增加了一个P型层。但就是增加了这么一个P型层，导致IGBT和MOSFET具有不同的工作机理和特性。
由于IGBT背面有一个P型层，IGBT在开通状态时，其N-漂移区能会发生强烈的电导调制效应，就是因为这个电导调制效应，导致IGBT的导通电阻约是MOSFET的1/3，其导通损耗较MOSFET小。但又就是因为电导调制效应，导致IGBT在关断时会存在拖尾电流，使IGBT的关断时间变长，关断损耗变大。
5. mosfet器件电路符号
MOSFET是一个四端器件，衬底是第四端，用B表示。由于在大多数电路中NMOS管和 PMOS管的衬底分别接地和VDD。所以我们在画MOS管的符号时，经常省略这一连接。
全称是金属氧化物半导体场效应管(Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor)这是MOSFET的简易符号，表示了三个端子：栅(G)、源(S)和漏(D)。因为这种器件是对称的，因而可以源漏互换。大家都知道，在数字电路中，MOS管作为开关的作用时，栅极电压VG是高电平，晶体管把源极和漏极连接在一起；如果VG是低电平，则源漏断开。
6. MOSFET英文全称
MOSFET 是英文MetalOxide SEMIcoductor FiELD Effect Transistor的缩写，译成中文是“金属氧化物半导体场效应管 ”。它是由金属、氧化物（SiO2或SiN）及半导体三种材料制成的器件。所谓 功率 MOSFET（Power MOSFET）是指它能输出较大的工作电流（几安到几十安），用于功率输出级的器件