1. 国产光刻机镜头研发
背景技术：
镜头是将拍摄景物在传感器上成像的器件，相当于相机的“眼睛”，通常由几片透镜组成，光线通过时，镜片们会层层过滤杂光(红外线等)，所以，镜头片数越多，成像就越真实。目前对焦镜头里，都是使用凸透镜和凹透镜的组合，利用光的折射原理，把光导到传感器的成像面上。为了更加镜头解析力与对比度并保证画面质量，给镜头的片数和结构带来了一定的限制，导致镜头的厚度无法做薄，不满足当前设备的轻薄要求。
技术实现要素：
有鉴于此，本发明实施例为解决现有技术中存在的问题而提供一种光刻镜片的制作方法和镜头。
本发明实施例的技术方案是这样实现的：
一方面，本发明实施例提供一种光刻镜片的制作方法，所述方法包括：
在基材的表面上涂覆光刻材料；
利用光刻掩膜板对光刻材料进行刻蚀；其中，所述光刻掩膜板上具有多个具有预设的形状的掩膜图形，在每一所述掩膜图形上不同位置的透光率不同；
对刻蚀后的光刻材料进行固化处理，得到光刻镜片。
另一方面，本发明实施例提供一种镜头，所述镜头至少包括沿物方到镜方共轴设置的第一镜片、第二镜片和第三镜片，其中：
第一镜片用于将入射光线进行聚光；
第二镜片用于将经过所述第一镜片的入射光进行均匀发散，形成平行于轴向的光；
第三镜片用于将经过第二镜片的入射光进行聚光，使得聚光后的光线照射到感光芯片。
本发明实施例提供一种光刻镜片的制作方法和镜头，其中，首先在基材的表面上涂覆光刻材料；利用光刻掩膜板对光刻材料进行刻蚀；其中，所述光刻掩膜板上具有多个具有预设的形状的掩膜图形，在每一所述掩膜图形上不同位置的透光率不同；对刻蚀后的光刻材料进行固化处理，得到光刻镜片；如此，能够利用光刻技术做出具有一个个小槽的光刻镜片，从而利用小槽引导光路，进而能够减少镜头中镜片的片数，降低镜头的高度。
2. 国产光刻机光学镜头
光刻机最大噱头是光源为13.5纳米的ASML光刻机，台积电用这型号光刻机，实现了5纳米制程，而英特公司和三星公司没有做到，特别要注意这里不是五纳米线宽，而是制程。线宽是光刻机的性能指标，是长度单位，极限值是衍射极限值，一般接近波长值，大于波长值，所以很容易有这样的错误想法：
注意台积电实现了5纳米制程，而不是ASML光刻机实现的，三星也用了，它至今没有达到5纳米制程，特别要注意不是达到了5纳米线宽。但是，很多人在混淆这个概念，直接就说ASML光刻机是5纳米光刻机，国产只能实现90纳米。如果理解成线宽，都接近或微微超过半宽度，如果这样理解，国内又无法开发出13.5纳米光源，赶上和超越ASML光刻机，只能是水中捞月的空幻。
所以，一定要注意线宽和制程的区别！ASML的光刻机只能接近衍射极限，台积电的制程是台积电的说法，只说明用的比三星英特好，制程不是长度概念。第二，衍射极限接近波长不准确，应该是衍射极限值=波长/Na，Na值在0.05到0.75之间。13.5纳米光源由于只能采用离轴光路，这是致命的，又只能采用反射式光路，球差和平场两个要求难保证，所以一般Na值0.05。而193纳米光源水浸润后相当于132纳米光源，Na值一般0.5。所以两种光源几乎无差异。而193纳米光源特殊设计镜头， 使Na值达0.75，就有可能达到比13.5纳米更好的效果。
第三，那么台积电的制程比三星和英特更好又是什么回事？使用光刻机还有几个因素：一，光刻胶，布胶是有讲究的，它也决定最后刻线宽度。二，电路的掩膜制造，也决定最终线宽。三，五纳米制程的真实的线宽是，每平方毫米5000万只晶体管，每平方微米50只，单个晶体管占20000平方纳米，也就是平均140纳米的见方。比起13.5纳米波长，相差十倍多，所以对193纳米浸润后的光源相当于132纳米，都在衍射极限以内。
我最近关于麦氏方程组的研究，发现这个衍射极限值是否是它，我已经怀疑，这是以后的事。第四，刻线宽度是否可以突破上述这个值，不完全取决于这个值，还和光刻机的使用有关系，这个可以用衍射理论说清楚的，这里我不讲。第五，本来光刻机和它的应用，已经触及衍射极限，本该有一个基础理论的重大突破，它的意义远远大于光刻机的极限线宽。
3. 国产低端光刻机
不先进，为低端制程光刻机。
四川京元集成电路有限公司发过视频宣传其光刻机，但搜索不到有用信息。其公司规模不大，基本上可以确定京元光刻机属于低端制程光刻机，应该属于是i线、g线光刻机，是365、436纳米以上的老式低端制程光刻机，肯定不是duv中高端制程光刻机。
4. 国产光刻机镜片
光刻机精读。是纳米级的。是超级紫外光源使用的
5. 光刻机 研发
光刻机技术是法国人Nicephore Niepce发明的。
在早期阶段其功能简单，而且使用的材料也是较为粗糙的，通过材料光照实验发现能够复制一种刻着在油纸上的印痕，而在其出现在玻璃片上后，经过一段时间的日晒，其透光部分的沥青就会变得很硬，但在不透光部分则可以用松香和植物油将其洗掉。
尽管光刻机发明的时间较早，不过在其发明之后，并没有在各行业领域之中被使用，直到第2次世界大战时，该技术应用于印刷电路板，所使用的材料和早期发明时使用的材料也已经有了极大区别。
6. 国产光刻机产业链
中国首台光刻机是中科院设计制造的。
我国最早在1977年就开始研究国产光刻机设备，并且当时还制造出了我国最早的光刻机-GK-3型半自动光刻机诞生，这是一台接触式光刻机。1978年再次改进研发了GK-4型号的光刻机设备，直接将加工圆片直径从50毫米提高到75毫米，在1981年，中国科学院半导体所开始研制JK-1型半自动接近式光刻机，并在1981年研制成功两台样机，但由于我国没有顶层的芯片能产业链设计，即便当时中国的集成电路在科研上可以达到世界顶尖水准，但最终这些世界顶尖水准的光刻机设备，因为限制而成为了废铁，后续也没有传来关于国产光刻机更多的消息。
7. 国产光刻机技术
国产光刻机可以生产国产芯片，我们的芯片被外国卡脖子，我们自己能生产就不会受制于人，台积电使用的光刻机比较先进，能生产五纳米以下的芯片，我们自己掌握了22纳米的光刻机，可以生产对体积要求没有那么敏感的芯片，比如说汽车上的芯片，大型设备上的芯片。
8. 国产光刻机量产
2007年。
早在2007年的时候，上海微电子就已经造出了90nm的光刻机样机，但是足足用了9年才将其量产。
国内最大的光刻机设备商是上海微电子，现在量产了的是90nm的光刻机，而ASML的EUV光刻机已经能够制造3nm制程的芯片。
这中间隔了90纳米、65纳米、45纳米、32纳米、22纳米、14纳米、10纳米，7纳米，5纳米等9个芯片工艺世代。