1. 光mos继电器缺点
MOS管反并联二极管叫续流二极管，它的作用是保护MOS管，通常在MOS管驱动诸如变压器绕组、继电器或电机这类感性负载时才使用。
MOS管关断感性负载时，负载线圈会产生很高的反电动势，续流二极管是为这个反电动势提供泄放回路，从而保护MOS管不被其击穿。
2. 电力mosfet优缺点
一般应用在开关电源中
起快速开关作用，使初级电能量变成磁能量，再由磁能量转变为需要电压大小的电能量。
导通条件是：开启电压VT
开启电压：使得源极S和漏极D之间开始形成导电沟道所需的栅极电压
开启电压也可以理解为栅极相对于源极的一个电压。
3. 光耦继电器缺点
输出电流能达到1A的电耦是有的，大电流输出的话只能是非线性的光耦，并且是开关量的。
但如果强调必须是集电极电流Ic的话，则几乎没有。因为大电流输出的光耦内部的输出电路都是多管复合结构：前面的光电管主要保证信号质量，后面是功率输出管。
光耦的参数很多，最重要的是可靠性、寿命、传输效率等。如果光耦的功耗较大的话，会使温升较大，从而严重影响其可靠性、寿命和传输质量，比如会明显缩短内部LED的寿命、增加漏电流、降低绝缘及耐压等等。
内部为单管输出的光耦依型号不同，其最大输出电流一般在20mA～150mA范围，若要大电流输出的话，最好在光耦后面外加大功率三极管、MOSFET、VMOS、可控硅等。
内部为复合管输出的大电流光耦一般为晶闸管输出，体积也较大，以保证较小的功耗和较好的散热。下面列出几种大电流输出的光耦（或可称为固态继电器）型号供参考：
TLP350x系列，晶闸管输出，额定输出电流0.5A，1ms冲击电流1A；
TLP352x系列，晶闸管输出，额定输出电流1A，1ms冲击电流2A。
输出侧的通态压降2～3V，其功耗1～3W多，一定要考虑散热，
4. 光mos继电器和光耦
输入端不管了，说下输出端吧，如果是交流电，那么接6脚和4脚便可。 如果是直流电，可以选择 6+ 4-、4+ 6-、6+ 5-、4+ 5-，上面这4种是简单的只使用其中的一个MOS管（这个光耦输出端有两个MOS的）， 当然也可以采用并联接法，6和4连一起接 + 5脚接-。
5. 光MOS继电器
MOSFET的开关作用是针对MOS特性得出的，MOS管输出特性曲线有可变电阻区、夹断区和恒流区，当在可变电阻区和夹断区内工作时，MOS管相当于一个电子开关。MOS管驱动电路跟MOS本身没有必然联系，因为MOS管的控制比一般三极管麻烦一些，特别是关断的要求比较高，为了让MOS用起来更简单，就出现了驱动电路这类东西。MOS管当然不用驱动电路，也完全可以工作。简单的说，驱动电路类似MOSFET的服务电路。
6. mos管和继电器优缺点
1. 高可靠性
实测300米总线，实测几万报文不丢一包，有完整重发机制
2.高灵活性
超过400家制造商，提供数以万计的认证产品以完成多样化工程
3.高扩展性
几十家专业的KNX厂家的网关，提供成千上万的网关接口以供KNX延伸到各个控制领域（modbus、M-bus、bacnet等等）
4.高品质性
几乎每个经过认证的产品，都用料十足，一些高Bigger的物料如磁保持继电器、高性能的MOS管，广泛应用在KNX产品上。
5.高度一致性
所有贴上KNX标志（金字招牌）的产品，必定集互通性和CE（欧盟认证）为一体，它的含金量极高！
6.接入设备多
干线可通过干线耦合器(路由器)组成对个区域，一般情况下，一个KNX系统可接14400(15*15*64)个总线设备。一般KNX系统线路和干线都采用KNX通讯
7. 光mos固态继电器工作原理
1.光耦结构差异
光电耦合器和OCMOSFET的主要内部结构。
光电耦合器当发光二极管（LED）点亮光电晶体管时，光会产生从集电极流向光电晶体管基极的光电流。因此，当LED不点亮时，光电晶体管被切断，并且当LED强烈地点亮时，大的光电流从集电极流向基极，并且光电晶体管稳定地导通。与简单地使基极-集电极短路时不同，即使集电极-发射极电压小于晶体管的基极-发射极正向电压，光电流仍然流动并且光电晶体管导通。
OCMOSFET装有光伏电池，当LED点亮时，光伏电池对栅极电容充电以增加栅极-源极电压，从而导通了MOSFET中的MOSFET。接触式的情况。对于断开型触点，FET导通而没有栅源电压。但是，当LED点亮时，光伏电池会反向偏置栅极-源极电压，从而切断FET。当make-typeOCMOSFET关闭时，光伏电池不仅停止充电，而且内部放电器开关自动闭合，从而迫使栅极放电。结果，栅极-源极电压立即下降。
OCMOSFET中的两个FET反向串联在一起。因此，当OCMOSFET导通时，两个FET都是双向导通的。但是，当OCMOSFET不导通时，仅在施加电压被切断的正向FET上导通，而另一个FET的寄生二极管导通。
2.光耦特征差异
由于上述这些结构差异，光电耦合器和OCMOSFET具有以下特征差异：
1.尽管光耦合器在输出中仅传导DC（直流电），但OCMOSFET可以在FET中传导DC和AC（交流电）
2.通常，光耦合器的工作速度为微秒或更高，而OCMOSFET的工作速度为毫秒。
3.尽管光耦合器的输出传导特性随输入电流值而变化，但OCMOSFET的输出传导特性与输入电流值无关。
4.光耦合器对应于输入变为导电。但是，在施加输入时，有两种OCMOSFET：一种导电（a触点：闭合型触点）和一种断开（b触点：断开型触点）。因此，尽管OCMOSFET不能期望像光电耦合器这样的高速操作，但是OCMOSFET可以在很小的输入电流（小至几毫安）的情况下切换交流电以及在安培范围内的大电流。
3.应用差异
通常，光耦合器仅用于传输直流信号。它的应用包括：
1.脉冲传输（在常规数字电路中）另一方面，由于OCMOSFET的工作速度比光电耦合器的工作速度慢，因此很少用于信号传输。但是，由于MOSFET的双向传导和低导通电阻特性，它主要用作中断AC信号的“电子开关”。因此，OCMOSFET也被称为SSR（固态继电器）。
8. mos和继电器哪个稳定
1、首先,检查一下plc的内型参数一般有npn,pnp,晶闸管,mos管和继电器等,其中又以npn,pnp,继电器居多可以参见plc的参数.
2、其次,根据不同类型的plc查看输出坏的电气气件的位置.
3、最后,选用同种类型的器件更换,
更换时须注意,
1元气件要选用相同型号,或者功能相同,功率相等的类似元件.
2不要损坏电路基板的电路结构,保持基板的清洁,不可以短路,3注意引脚焊接时是否牢固,不可虚焊、错焊。
9. mos与继电器的优缺点
电磁铁工作用继电器控制通断较好，实用经得起冲击及反电势电流，价廉物美。
MOS驱动不实用且易损坏，价格也不菲，不建议采用。10. 光mos固态继电器
其基本原理为：将一个控制装置连接到光伏二极管阵列与输出金属氧化物场效应管的栅极之间，从而使控制装置在光伏输出时处于高阻状态，在光伏输出消失时处于低阻状态，以便光伏二极管阵列产生的充电电流流向输出端，金属氧化物场效应管的栅极。
专利中提到的所有元器件均采用V型槽隔离的方法，实现了单片集成，很好的实现了固体继电器的控制功能，类似的专利还包括：美国专利号5151602、美国专利号5278422和公开号CN1728553A等等，上述专利还有一个共同点是都是采用V型槽隔离方式将光伏二极管阵列与控制电路单片集成，控制电路的输出端口再外接单片功率MOS元件的栅源端，最终将继电器的各个部分进行共同封装，这种封装方式不仅会增加封装的难度，同时由于多片封装寄生效应比较大，降低了整个继电器的可靠性，而且某些固体继电器的输出端采用了横向功率器件，由于横向功率器件的漂移区长度较大，且作用只是用来承受耐压，增加了整个芯片的面积，影响了整个芯片的集成度。此外，在这些专利中所述的光伏二电池大都采用单晶硅光伏电池制作，其制作难度和成本较高。