一、rom的存储单元用什么表示？
rom的存储单元具有两个稳定状态，通常表示为0和1。另外还需要两个访问晶体管用于控制读或写操作过程中存储单元的访问。因此，一个存储位通常需要六个MOSFET。对称的电路结构使得SRAM的访问速度要快于DRAM。
SRAM比DRAM访问速度快的另外一个原因是SRAM可以一次接收所有的地址位，而DRAM则使用行地址和列地址复用的结构。
二、sram是什么电路？
SRAM存储元电路是由两个MOS反相器交叉耦合而成的触发器，一个存储元存储一位二进制代码。SRAM存储器的组成：存储体，存储单元的集合，通常用行线和列线的交叉来选择所需要的单元。存储元是组成存储器的基础和核心，它用来存储一位二进制信息0或1。
三、sram存储器的特点？
sram随机存储器最大的特点就是可以随时对它进行读写操作，但当电源断开时，存储信息便会消失。
sram随机存储器依照数据存储方式的不同，主要可以分为动态随机存储器（DRAM）与静态随机存储器（SRAM）两大类。DRAM 以电容上存储电荷数的多少来代表所存储的数据，电路结构十分简单（采用单管单电容1T-1C的电路形式），因此集成度很高，但是因为电容上的电荷会泄漏，为了能长期保存数据，它需要定期的刷新操作。这不但使DRAM 的读写控制变得复杂，而且也降低了它的读写速度。
四、SRAM和DRAM的结构原理是什么？
按照存储信息的不同，随机存储器分为静态随机存储器（Static RAM,SRAM)和动态随机存储器（Dynamic RAM,DRAM)。静态存储单元（SRAM） ●存储原理：由触发器存储数据●单元结构：六管NMOS或OS构成●优点：速度快、使用简单、不需刷新、静态功耗极低；常用作Cache●缺点：元件数多、集成度低、运行功耗大●常用的SRAM集成芯片：6116(2K×8位)，6264(8K×8位)，62256(32K×8位)，2114(1K×4位)动态存储单元（DRAM） ●存贮原理：利用MOS管栅极电容可以存储电荷的原理，需刷新（早期：三管基本单元；现在：单管基本单元）
●刷新(再生)：为及时补充漏掉的电荷以避免存储的信息丢失，必须定时给栅极电容补充电荷的操作●刷新时间：定期进行刷新操作的时间。该时间必须小于栅极电容自然保持信息的时间（小于2ms）。●优点： 集成度远高于SRAM、功耗低，价格也低●缺点：因需刷新而使外围电路复杂；刷新也使存取速度较DRAM慢，所以在计算机中，SRAM常用于作主存储器。尽管如此，由于DRAM[1]存储单元的结构简单，所用元件少，集成度高，功耗低，所以目前已成为大容量RAM的主流产品。
五、ram根据不同的存储电路结构可分为？
根据存储单元的工作原理不同， RAM分为静态RAM和动态RAM。
静态随机存储器(SRAM)
静态存储单元是在静态触发器的基础上附加门控管而构成的。因此，它是靠触发器的自保功能存储数据的。
动态随机存储器(DRAM)
动态RAM的存储矩阵由动态MOS存储单元组成。动态MOS存储单元利用MOS管的栅极电容来存储信息，但由于栅极电容的容量很小，而漏电流又不可能绝对等于0，所以电荷保存的时间有限。为了避免存储信息的丢失，必须定时地给电容补充漏掉的电荷。通常把这种操作称为“刷新”或“再生”，因此DRAM内部要有刷新控制电路，其操作也比静态RAM复杂。尽管如此，由于DRAM存储单元的结构能做得非常简单，所用元件少，功耗低，已成为大容量RAM的主流产品。