1. n+1芯片工艺
最高可以生产7纳米芯片。
首先要纠正不是dv光刻机，是duv深紫外线光光源光刻机。duv光刻机通常采用波长为193纳米的深紫外光光源，通过提高分辨率等技术手段使光刻机分辨率最高达到28纳米，然后再用多次曝光等技术手段，使其加工芯片的工艺制程达到7纳米。目前台积电和三星两个顶级代工厂掌握该技术，而中芯国际可以用duv光刻机做到14纳米，最高可以到接近7纳米，不过良品率还需要提升。
2. 中芯n+1是什么工艺
原理是多次曝光。
对于中芯国际而言，7nm芯片技术，也并不遥远，只是中芯国际并没有称之为7nm工艺，而是叫做N+1。N+1是中芯国际为其第二代先进工艺设计的代号，但并没有明确的数字节点。具体原理就是用光刻机多次曝光技术，分不同批次投影后蚀刻、离子注入等工序得到更高制程的芯片。
3. n+2芯片工艺
我觉得没什么区别，甚至单卡双芯还不如SLI，因为SLI可以每个核心各自独享x16通道，总共就是32条PCI-E2.0通道，而单卡双芯只插在一个插槽上，两个核心共用x16通道，即使通过NF200桥接芯片把一个x16拆成了两个x16，但是总的带宽还是x16，带宽总量就不如SLI，而且由于单卡双芯引入了NF200芯片，使数据流多了一个环节，可能提高延迟，最终结果也许还不如SLI好，我感觉单卡双芯的意义就是为了制造最强的单卡，让我等屌丝可以YY四个单卡双芯SLI总共8核心的这种变态配置
4. n加1芯片技术
当SD=1时，即允许使能IR2104芯片时，其输出端信号 Ho=IN，Lo=IN'；即是说，Ho的波形与IN波形相同，Lo波形与IN波形则是反相的关系。
Ho是高电平时，Lo就是低电平，反之Ho是低电平时，Lo就是高电平；IR2104芯片比L298N芯片控制起来更简单，而且将半桥电路功率管独立出来，适应性更大；
BYPASS（旁通）3.VDD（电源正）7.Vo1（输出1）6：SD是待机关机脚。功能：.-IN（负输入）5.GND（地）8.SHOTDOWN（关机）2：+IN（正输入）4，功放方可正常工作。
5. n1芯片工艺
不能的，芯片不支持可以外接硬盘不过2.0的USB 接口…
6. n+1芯片量产
骁龙480于今年1月发布，基于8mm制程工艺，这个工艺并不算低，毕竟骁龙870也就7nm工艺。骁龙480采用Kryo460 CPU和Adreno 619 GPU，最高主频2.0GHz，相比上一代骁龙4系芯片，骁龙480的CPU和GPU性能均有100%的提升，AI性能提升70%。
5G网络上，骁龙480采用X51基带，支持毫米波和全球5G频段。目前尚不确定的是，华为手机搭载骁龙480芯片后是否支持5G，是不是和近期上市的4G版机型一样，虽然用的是5G芯片，但只能使用4G网络。
从目前的情况分析，搭载骁龙480芯片的华为新机，大概率还是会支持5G的，否则引入这款芯片的意义就不是很大，性能非常一般、又无法开启5G，还不如用库存的麒麟芯片。
若消息属实，对于华为手机业务来说是一个重大利好，高通芯片的大批量供应肯定不是问题，华为的这款低端机将不会再进行限售，实现开放供货。在华为手机市场份额逐渐走低的不利局面下，若能上市不限购的骁龙480新机，简直就是“久旱逢甘雨”。
与此同时，华为也可以为这款机型匹配鸿蒙系统，拉高鸿蒙OS的市场份额，可谓是一举两得。因为华为今年要完成3.6亿设备升级鸿蒙，压力还是不小的。若华为这款骁龙480新机出厂就能内置鸿蒙系统，效果就更好了，产品也多了一个卖点。
早在今年的年初，就有媒体表示高通拿到了向华为出口4G产品的许可，已经可以向华为供货芯片，但无论是高通还是华为，都未对此事做出官方回复。毕竟华为一向使用自研的麒麟芯片，对高通芯片进行适配和优化还需要一定的时间。
按照之前的芯片出口规则，高通只能向华为供应4G芯片，以及采用成熟工艺（28nm及以下）的芯片。华为新款平板电脑可以使用骁龙870芯片、但无法使用移动数据功能，说明就算是5G芯片，只要不使用移动数据，也是满足这项要求的。
在5nm成为旗舰芯片的标配，下半年甚至可能进化到4nm之时，若华为真的能推出搭载骁龙480芯片的新机，也就表明8nm工艺也算是“成熟工艺”了，比28nm这个门槛，有了极大的提升。市场反馈良好的话，或许接下来高通可以为华为定制性能更强的8nm芯片，甚至7系列都有可能。
华为在芯片断供时就曾表示，愿意使用高通的芯片，现在真的是“高梦成真”。骁龙480性能虽差，至少帮助华为迈出了外购芯片的第一步。
最近有投资者向中兴国际求证下一代芯片量产的消息，官方明确表示第二代FinFET技术平台已进入客户导入阶段，同时官方还透露在同步研发下一代工艺技术，而第二代FinFET技术则被业内人士解读为8nm工艺。
具体来说，按照官方此前公布的消息可以知道，N+1工艺相比目前中芯国际掌握的14nm工艺性能提升了20%，功耗降低了7%，面积缩小了63%，按照这个数据可知，第二代FinFET技术相当于8nm工艺，也就是说，中芯国际最早能在年底前进入到8nm芯片小批量生产。
可能很少有人听说过8nm芯片，但它与7nm芯片几乎可以说是同一个制程，在各方面的表现都非常出色，更厉害的是在工艺水平上将能够更上一层楼，因为根据官方的介绍来看，不需要EUV光刻机就能生产出来，大大降低了中芯国际对进口光刻机的依赖。
如果中芯国际真的能够如期推出8nm芯片，并减少对光刻机的依赖，那么这对于大陆半导体产业自主研发将起到至关重要的作用。进入到8nm也意味着更加接近旗舰主流的7nm，再进一步甚至可以做到5nm，到这个时候中芯国际将成为全球第三大晶圆代工厂。
由此可以看出，中芯国际8nm工艺的到来确实是意义巨大的，它的意义在于强化实力，在国际上获取更大的话语权，同时还能够拿到更多订单，当然最主要的意义就是能够摆脱海外企业的技术封锁，这对于中国科技企业来说无疑是一个天大的好消息。
不过目前只知道中芯国际的8nm工艺已进入客户导入阶段，最快会在年底前小批量生产，至于何时大规模生产还不好说，可能短则一两年，长则需要等到2023年以后。但现在只要能够达到这个目标，就值得我们每个人耐心的去等待。
至于光刻机的问题，中芯国际8nm芯片不再需要EUV光刻机就能生产，看似让人瞠目咋舌，但我觉得只要是科技存在就有可能发生，因为科技的进步往往是令人惊讶的。另外即使未来的先进工艺需要EUV光刻机，我们也有理由相信国内的供应链一定够在这块实现突破！
7. n+1工艺是什么意思
“N+1”是中芯国际对其第二代先进工艺的代号。
其与现有的14nm工艺相比，性能提升了20%，功耗降低了57%，逻辑面积缩小了63%，SoC面积减少了55%，也被称为“国产版”的7nm芯片技术。
n+1的代表中芯国际是中国内地规模最大、技术最先进的集成电路芯片制造企业。
8. 1nm工艺芯片
不是。
1.现在芯片的特征尺寸就是一个代号，只要密度、性能有30%-50%的提升就能出现新一代工艺，1nm之后还能出0.7nm、0.5nm、 0.3nm等。
现在的科技越来越发达，芯片设计也会随着科技的发展而不断创新与突破，因此1nm芯片不是极限，未来还会有更高的成就。
9. 中芯国际n+1工艺芯片
中芯国际去美化后的设备可以为华为生产芯片的，荷兰阿斯麦公司表示了DUV光刻机不含美国技术，可以向中国出口。
制程越小并不一定最好。就像摄像头的像素一样，像素越大不代表画质越好。芯片有一个重要的指标是密度，抛开密度谈制程都是耍流氓。制程越小，固体扩散现象越严重，寿命越短。目前肯定不止是差一台光刻机的事，技术也差很多。但是说实话，如果不是光刻机被卡脖子，中国芯片企业不至于技术发展这么慢，很简单的道理，没有光刻机来进行芯片生产实践，这样的情况下技术进步的难度比不为光刻机发愁的台积电三星高了N个档次。
7nm制成，只是耗电小，发热还要高于14nm,只是相同体量下，容纳更多二极管，所以芯片做大一倍，真的不是问题。实际上现在手机芯片内存能力过剩，7nm和5nm对大多数人来说无多大区别。未来12g闪存绝对够用，至少几nm无所谓，同等价位快慢主要看网速。最大的差距是，台积电是ASML的股东，可以优先购买ASML的最新产品。而中芯国际不但不能享受订单优先，还被美国列入禁售名单而拿不到设备。
7nm和5nm实际上没有太大普遍，都是商业宣传和竞争的噱头，现在手机技术是过剩的，服务商的网络信号还是最重要的，信号跟不上，你就是1nm又怎么样。28nm已经堪用，16nm基本够用，7nm好用，再往下性能提升有限，效费比低，摩尔定律基本也就到头来。三星和台积电的进步速度会越来越慢，中芯国际还是很有希望追上的。
中国人真累，我们的光刻机才28纳米，离最先进的技术差了足足两代半，但往后一看，实际上90%的国家是产不了光刻机的，即使是最先进的ASML也只是组装，组装精度确实秒杀所有人，不过大部分零件他也都是产不了的。
我一直在想，为什么我们老是在抱怨别人封锁呢？我们就不能在科技的大部分领域走在顶端，去封锁别人？况且人类进化中我们中国人还处在前面，中华文明一直都没有间断，中国人的聪明才智也是最高的。中国真的要奋发图强了，近几百年来一直在瞎折腾加内耗，就是没有一心发展科技，我们加油努力吧，争取再过几十年对不听话的国家或组织有能力轻松使用封锁或制裁的手段，让他们去抱怨被封锁去吧。
能耗和成品频率都是性能，这两个性能指标14nm芯片是不可能做到7nm芯片水平的。你的结论错误。你的成本计算也有问题。制程提高一代，芯片生产线建设成本至少增加一倍，多数生产原材料成本也大大增加，比如光刻胶等等。而且集成度越高，芯片布图越复杂，需要的工序步骤越多，这也增加成本。因此，制程提高一代，单颗芯片的成本（你说的一次成本）是增加而不是降低。先进制程使芯片成本降低指的是按照单个晶体管计算，先进制程因为单位面积晶体管数增加而降低。
台积电第一代的7nm工艺也没有用到EUV光刻工艺，和中芯国际的这个N+1代N+2代工艺其实是一回事，台积电第二代7nm工艺也只是用了4层的EUV光刻，7nm工艺需要三十多到光刻工序，台积电只用了八分之一而已。
围堵的的结果是逼中国趟出一条血路，美国才不管荷兰企业的死活，中国技术突破一点美国就放开一点，反正就是增加中国的成本推迟中国发展的速度，给美企赢时间。
14nm工艺目前够用了，芯片大点没有关系，只要性能跟上就行，我们可以把手机屏幕做大点，原来是6吋的屏现在做成7吋的，就可以多出来空间来放芯片和电池，目前的问题不就可以解决了吗，我们再抓紧时间研发，过不了5年我们就可以掌握更先的技术了。
就加大手机厚度，扩展内部空间，芯片位置设置散热孔。加大电池容量。现在这个情况没得改还有什么办法？再慢慢提升光刻机性能。总有一天是可以做到和外国一样的，现在不是没办法这么快改观嘛！
其实不用分析大家都明白，在此领域我们相差的不仅很多而且差距很大，这是事实，但差距这么大我们又能怎么办，除了卧薪尝胆奋起直追没有第二条道可走。两弹一星也是从无到有发展起来了，我想困难是有的，而且很大，研制发展道路也会很长，而且很艰巨，但我们已别无选择，撸起袖子加油干吧。
10. 什么是n+1芯片制造工艺
华为选择合作联发科。
华为选择合作联发科，究其原因，川财证券称，是因联发科可帮华为避开美国5-10%的技术标准封锁线。科技博弈正在成为长期议题，国产替代始终为半导体行业发展主线。
联发科目前在华为的供应链中主要供货于低端产品，早在1月，联发科推出的中端5G Soc天玑800芯片就获得了华为大量订单。
Digitimes Research指出，自2020年第二季度以来，华为已增加了5G Soc天玑800芯片的购买，以生产其畅享和荣耀系列手机。截至目前，华为已成为联发科天玑800系列5G芯片出货量最高的手机厂商，2020年2月业内消息称，华为将首次把部分手机“麒麟”芯片转到中芯国际代工，选择中芯国际最新研发的 N+1 制程技术。这是华为首次将这么重要的芯片转交大陆晶圆厂。
华创证券指出，中芯国际12nm已成功量产，N+1和N+2代制程将会相当于台积电7nm效能。华为芯片转单中芯国际，一是可以以工促技，提升国内芯片代工厂的技术实力，二是中芯国际产业链相关公司将直接受益。