1. 200A二极管
miC20a二极管参数是它的电压为200V，工作电流是3A，最大功率是50W，工作频率5KHz。
2. 20A二极管
B20200G 肖特基二极管 ，电流20A，电压200V ，TO - 220封装。三极管，全称应为半导体三极管，也称双极型晶体管、晶体三极管，是一种控制电流的半导体器件其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号， 也用作无触点开关。晶体三极管，是半导体基本元器件之一，具有电流放大作用，是电子电路的核心元件。三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结，两个PN结把整块半导体分成三部分，中间部分是基区，两侧部分是发射区和集电区，排列方式有PNP和NPN两种。
3. 200a整流二极管
1n400系列整流二极管是低频整流二极管，型号仅耐压不同，其它参数基本相同。型号分为1n4001（反向峰值电压50v），1n4002（反向峰值电压100V），1n4003（反向峰值电压200V），1n4004（反向峰值电压400V），1n4005（反向峰值电压600v），1n4006（反向峰值电压800V），1n4007（反向峰值电压1000v），其它参数最大正向整流电流1A，最大峰值浪涌电流30A，最大反向漏电流5uA，正向压降1V。
4. 200a二极管多少钱
en220a是一种高电压肖特基势垒二极管，具有漏电流低等特点，应用于DC-DC转换器、AC适配器、高频整流等电路中。
en220a二极管参数：
峰值反向电压（Vrm）：100V
正向电压降（Vf）：0.85V
平均正向电流（If）：20A
峰值正向浪涌电流（Ifsm）：120A
反向漏电流（Ir）：200µA
结温（Tj）：-40℃～+150℃
储存温度（T）：-40℃～+150℃
封装：TO-220F
5. 200a二极管参数
P6KE200是TVS二极管。 具体参数：功率 600W、工作电压 200V、嵌位电压 344V、最大电流 1.7A、封装、DO-15 P6KE200的主要作用：保护线路中的重要器件，主要是防静电，是普遍使用的一种新型高效电路保护器件，它具有极快的响应时间（亚纳秒级）和相当高的浪涌吸收能力。
6. 200a二极管可以用50a的代替吗
不能代替，耐压不够。肖基特二极管SB3200 电流3A ，耐压200V. SR5100 电流5A 耐压100V.
7. 200a二极管作用
没有p6k1200a 这个二极管。有p6ke200a . 这是瞬态抑制二极管。瞬态可承受600W，可控制电压是190V~210V，当瞬态超过这个电压时，它会导通，泄放电流。从而保护电路不被这瞬态高电压所损坏。
8. b2200二极管
ss210二极管可以用SK210 SR210 2A,100V这些型号的二极管代替，SS210是肖特基整流二极管。
肖特基二极管是以其发明人肖特基博士（Schottky）命名的，SBD是肖特基势垒二极管（SchottkyBarrierDiode,缩写成SBD）的简称。SBD不是利用P型半导体与N型半导体接触形成PN结原理制作的，而是利用金属与半导体接触形成的金属－半导体结原理制作的。因此，SBD也称为金属－半导体（接触）二极管或表面势垒二极管，它是一种热载流子二极管。
SBD的主要优点包括两个方面：
1）由于肖特基势垒高度低于PN结势垒高度，故其正向导通门限电压和正向压降都比PN结二极管低（约低0.2V）。
2）由于SBD是一种多数载流子导电器件，不存在少数载流子寿命和反向恢复问题。SBD的反向恢复时间只是肖特基势垒电容的充、放电时间，完全不同于PN结二极管的反向恢复时间。由于SBD的反向恢复电荷非常少，故开关速度非常快，开关损耗也特别小，尤其适合于高频应用。但是，由于SBD的反向势垒较薄，并且在其表面极易发生击穿，所以反向击穿电压比较低。由于SBD比PN结二极管更容易受热击穿，反向漏电流比PN结二极管大
9. 二极管100A
二极管分大小，区别是从武器上进行区分，比如100A、200A大小是不一样的。大的可通过较大的电流。二极管电子元件当中，一种具有两个电极的装置，只允许电流由单一方向流过，许多的使用是应用其整流的功能。而变容二极管（Varicap Diode）则用来当作电子式的可调电容器。
大部分二极管所具备的电流方向性我们通常称之为“整流（Rectifying）”功能。二极管最普遍的功能就是只允许电流由单一方向通过（称为顺向偏压），反向时阻断 （称为逆向偏压）。因此，二极管可以想成电子版的逆止阀。