1. 光刻有哪两种曝光方式
答：所谓刻蚀，实际上狭义理解就是光刻腐蚀，先通过光刻将光刻胶进行光刻曝光处理，然后通过其它方式实现腐蚀处理掉所需除去的部分。
刻蚀是用化学或物理方法有选择地从硅片表面去除不需要的材料的过程，其基本目标是在涂胶的硅片上正确地复制掩模图形。随着微制造工艺的发展，广义上来讲，刻蚀成了通过溶液、反应离子或其它机械方式来剥离、去除材料的一种统称，成为微加工制造的一种普适叫法。
2. 光刻机五种曝光模式
浸没式光刻机是采用折射和反射相结合的光路设计且曝光区域与光刻机透镜之间充满水的光刻设备。
浸没式光刻机是采用折射和反射相结合的光路设计可以减少投影系统光学元件的数目，控制像差和热效应，实现1.35的数值孔径NA。浸没式光刻机工作时并不是把晶圆完全浸没在水中，而只是在曝光区域与光刻机透镜之间充满水。光刻机的曝光头（exposure head）必须特殊设计，以保证：（1）水随着光刻机在晶圆表面做步进-扫描运动，没有泄露；（2）水中没有气泡和颗粒。在193nm波长下，水的折射率是1.44，可以实现NA大于1。
3. 光刻有哪两种曝光方式原理图
EL意思是有机发光的电子版。 只不过，有机EL的材质是复合材料，即多种材料薄膜有机EL的结构及发光原理化叠加在一起。 由于有机EL薄，轻的重要特点，决定了它的材料必须要通过薄膜处理附着在基板上。
4. 光刻机的曝光量怎么控制
对光源系统的要求
a.有适当的波长。波长越短，可曝光的特征尺寸就越小；[波长越短，就表示光刻的刀锋越锋利，刻蚀对于精度控制要求越高，因为衍射现象会更严重。]
b.有足够的能量。能量越大，曝光时间就越短；
c.曝光能量必须均匀地分布在曝光区。[一般采用光的均匀度 或者叫 不均匀度 光的平行度等概念来衡量光是否均匀分布]
常用的紫外光光源是高压弧光灯（高压汞灯），高压汞灯有许多尖锐的光谱线，经过滤光后使用其中的g 线（436 nm）或i 线（365 nm）。
对于波长更短的深紫外光光源，可以使用准分子激光。例如KrF 准分子激光（248 nm）、ArF 准分子激光（193 nm）和F2准分子激光（157 nm）等。
曝光系统的功能主要有：平滑衍射效应、实现均匀照明、滤光和冷光处理、实现强光照明和光强调节等。
5. 光刻的曝光方式
么是黄光区？简单来讲，黄光区是指TFT工厂或者半导体工厂中的光刻区。包含光刻胶涂布、曝光、显影及刻蚀工序
黄光制程为啥不叫红灯区？绿灯区？
因为此区域的照明采用黄色光源，远远望去一片金黄··· ···
为啥要使用黄光而不是其他颜色的光源照明？
在半导体工业普遍使用的光刻胶，类似于相机的胶片，在遭遇光线照射(特别是紫外线)即有曝光之效果, 因此在显影之前, 都要远离此光源。
因为黄光的波长较长, 不容易使得光刻胶曝光, 因此将黄光作为显影前最理想的照明光源。
6. 光刻工艺的几种曝光方式
1.显影液
正胶显影包含显影液与光刻胶之间的反应，从而溶解被曝光的光刻胶。显影液溶解光刻胶的速度称为显影速度，高的显影速度有助于生产效率的提高，但太高的显影速度又可能影响到光刻胶的特性。
2.显影方法
显影方法包括湿法显影和干法显影。
（1）湿法显影。光刻胶早期湿法显影的方式是将一盒晶圆片浸没在显影液中并进行一定幅度的振荡，随着晶圆尺寸的逐渐增大，此方法已经不再适用。固定浸没进行湿法显影的方式需要消耗大量的显影液，并且对于大尺寸的晶圆片来说，这种方法很难实现良好的显影均匀性。除了传统的浸没显影外，现在被广泛应用的湿法显影技术有连续喷雾显影和旋覆浸没显影。
3.显影参数
在显影过程中有一些关键参数是必须被关注的，这些参数包括显影温度、显影时间、显影液量、当量浓度、排风及清洗等。