1. 中国能生产多少纳米的光刻机
上海微电子装备有限公司：生产出90纳米的光刻机设备，这也是生产国产光刻机的最高技术水平，比ASML公司差不多有10年的差距。
中科院光电所：中科院光电所研发出365纳米波长，曝光分辨率达到22纳米的光刻机，是近紫外的光线，离极紫外还有一点差距。
合肥芯硕半导体有限公司、无锡影速半导体科技有限公司、先腾光电科技有限公司、中微公司。
2. 中国制造光刻机多少纳米
众所周知，全球制造芯片最厉害的当属台积电，目前已经是5nm，使用台积电5nm工艺术的苹果A14就已经发布了。但是对于我国来说，5nm显然是很遥远的存在。
目前我国在相关技术上的掌握其实还远远不够，芯片制造本身需要脚踏实地的试验和研究，虽然理论上不存在问题，但技术和经验往往是决定成功与否的最重要标准。此前中科院发布的相关技术完全可以说是5nm芯片的相关技术，但距离掌握芯片制造的全工业流程还远远不足。必须明确的是，由于起步晚，中国在芯片领域急于赶上，但目前只有180nm技术水平。
从全球半导体的工艺制程来看，28nm以上算是成熟工艺，而14nm及以下都算是先进工艺，而7nm或以下工艺的芯片产能占了全球总产能的90%以上，目前基本上也就只有几款手机芯片才使用5nm工艺。我们知道芯片制造需要数十百种设备、数百种工序，非常复杂。同时，芯片制造遵循短板理论。那是最高技术，取决于最落后的项目，即最短的板。
虽然理由很多，但其实说白了还是时间的问题，Intel从起家都干了多少年了?当时1968年我们在干啥;三星(1978年)和台积电(1987年)入行也相对较早，而当时我们才刚刚从传统产业中挣脱出来，还在艰难地摸索适合中国发展的模式。
从目前的垄断情况看，没有个数年甚至十年以上可能都是做不到的，但中国的科研团队向来耐得住寂寞。在当前国家越发重视科研的大背景下，资金和人员的投入不断加大，对普通人来说可能无法忍受，但对年轻或者年长的科学家们而言，距离研究出结果不过是又一个“十年”而已。
我们在追赶，ASML的EUV4nm制程曝光机设备据说已被允许卖给中国，标志着设备方面我们不再成为关键的研发瓶颈。但长远来看，如果国内现在最先进都是14nm，买了曝光机直接进入4nm制程，随着摩尔定律的突破，可能跳级的结果是带来严重的不适症状，也就是项目难产。因此，首先提到的技术时间积累储备，有长期的学习曲线，这是一条坚硬而困难的山路，我们可能需要很长时间来实现真正的超越。
等到我国不依赖国外的设备、材料，尤其是光刻机，能制造出10nm以内的芯片出来，才是算是真正的崛起，这时候再进行赶超就没那困难了。
3. 中国现在能生产多少纳米的光刻机
现在能做十四纳米，如果单纯是芯片的话，中国目前最高可以生产7纳米芯片。目前有能力生产7纳米芯片的是中芯国际，其使用n+1、n+2技术，用duv光刻机对芯片通过多次曝光，使芯片的工艺制程可以提升到7纳米，但是良品率非常低，还要继续改良工艺以提高良品率
4. 光刻机中国能造多少纳米
理论上可以生产7nm芯片。
国产28nm光刻机可以生产7nm芯片。28nm光刻机也就是duv深紫外光光源波长的光刻机，目前该类型光刻机最高制程就是7nm。能够达到duv光刻机7nm芯片量产的有台积电和三星两家，而中芯国际也能制造7nm芯片，只不过良品率没到量产阶段，其7nm芯片晶体管密度能达到台积电10nm水平。
5. 中国能造出多少纳米光刻机
中国没有自主研发的2纳米光刻机。
全球只有四家公司能制造光刻机，分别是荷兰阿斯麦尔全球唯一高端euv光刻机，日本尼康佳能duv光刻机，中国上海微电子的duv光刻机。但是目前没有任何一家能制造2纳米光刻机。荷兰的是13.5纳米极紫外光光源的euv光刻机，三星通过技术手段使其加工芯片制程达到4纳米精度，目前为全球最高。