匀胶机设备介绍(匀胶机设备介绍图片)

海潮机械 2023-02-06 04:30 编辑:admin 246阅读

1. 匀胶机设备介绍图片

硅锭就是硅料定向凝固做成的产品。其化学成分为单晶硅。是由单晶硅组成的具有固定外形的工业产品。

制作工艺

硅料定向凝固做成的产品。一般来说,硅料包括原生多晶硅料和单晶硅回用料,原生多晶硅一般称为正料,其纯度较高,价格亦不菲;单晶硅回用料如单晶硅棒头尾料、边皮料、埚底料、电池片经过清洗处理后得到的原料等等。将硅料在单晶炉(在太阳能级单晶硅的生产工艺中以直拉炉较常见)中融化后再经过一系列工序可生长成单晶硅棒子,对单晶硅棒子进行后续机加工,得到单晶硅锭,再使用切片机器对硅锭进行切片加工,则得到硅片。

2. 匀胶机设备介绍图片大全

1、接触式曝光(Contact Printing)

掩膜板直接与光刻胶层接触。曝光出来的图形与掩膜板上的图形分辨率相当,设备简单。接触式,根据施加力量的方式不同又分为:软接触,硬接触和真空接触。

(1)软接触:就是把基片通过托盘吸附住(类似于匀胶机的基片放置方式),掩膜盖在基片上面。

(2)硬接触:是将基片通过一个气压(氮气),往上顶,使之与掩膜接触。

(3)真空接触:是在掩膜和基片中间抽气,使之更加好的贴合(想一想把被子抽真空放置的方式)。

缺点:光刻胶污染掩膜板;掩膜板的磨损,容易损坏,寿命很低(只能使用5~25次);容易累积缺陷;上个世纪七十年代的工业水准,已经逐渐被接近式曝光方式所淘汰了,国产光刻机均为接触式曝光,国产光刻机的开发机构无法提供工艺要求更高的非接触式曝光的产品化。

2、接近式曝光(Proximity Printing)

掩膜板与光刻胶基底层保留一个微小的缝隙(Gap),Gap大约为0~200μm。可以有效避免与光刻胶直接接触而引起的掩膜板损伤,使掩膜和光刻胶基底能耐久使用;掩模寿命长(可提高10倍以上),图形缺陷少。接近式在现代光刻工艺中应用最为广泛。

3、投影式曝光(Projection Printing)

在掩膜板与光刻胶之间使用光学系统聚集光实现曝光。一般掩膜板的尺寸会以需要转移图形的4倍制作。

优点:提高了分辨率;掩膜板的制作更加容易;掩膜板上的缺陷影响减小。

3. 匀胶机说明书

一、表面处理

将待粘部位用砂纸,钢丝刷或有关公具进行打磨,对于铸件伤痕,裂缝较小时,因难以施胶,则可采取适当扩宽的方法,对太小麻坑,缩孔应适当扩孔并除去氧化层;对于有些目不可观而有微小渗漏情况,可采取整件处理并施胶的方法,以内涂为佳,(厚度小于1mm)对于处理后的粘接面可用工具将剩余垃圾吹干净,然后用汽油或挥发性有机溶剂(甲苯,丙酮)等清洗,待完全挥发干后施胶。

二、调胶

根据需量将A,B组份按规定的比例,取出放在干净的玻璃或硬滑纸上用棒调匀,越匀越好,若调胶不匀将影响粘接力或固化胶层变软,胶层不固化等现象。

三、涂胶

将调匀,注意用于填补缩孔,气孔时,防止孔内间隙及固化后收缩率,一般涂胶层应高于被粘物表面1-2mm,另外胶层不宜过厚或过薄,若涂层需较厚时采取一次或多次施胶,当等一次初固后,再涂第二层。粘接工件必须对定位置,防止粘接面错位或涂胶层外溢等现象。

四、活性使用期

混匀后的胶液必须在30分钟内用完,如超过使用期再使用将影响粘接效果。

五、为达到理想的面及尺寸,固化多余的胶层可精加工处理。

六、储存

使用完后将A,B盖紧,存放阴凉通风处,若A,B组份超过保质期仍未硬化,可继续使用,不影响粘接效果。

4. 匀胶机企业

用大胶槽跑电泳时,出现胶块(或泳道)的边缘溴酚蓝比胶块中间的跑得快的现象。

根据本人跑胶的经验,我觉得出现这种问题可能原因有:

1、制胶的梳子用久了已出现变型,使得加样孔不处于同一平行,那么跑胶时溴酚蓝就会出现不一样快。

2、制胶后加电泳缓冲液时,注意不能让缓冲液跑到胶底下,根据我以往的经验,液体最容易跑到胶的底下两侧,使胶的边缘与中间跑胶速度不一样。

3、可能电泳仪出现了问题,不过这种可能比较小,建议使用其他电泳仪试一试。

4、溶胶的时间长一些,但是不能太长,以免胶被烧干了。溶胶如果不能混匀的话,那么的话就很有可能出现边缘效应。

5、电泳槽中的缓冲液最好超过胶1CM左右,否则缓冲液像中间泳,两边的电泳缓冲液就不均匀了。

6、溴酚兰的量不要超过样品的5分之一,溴酚兰过量后跑的速度不一致

7、建议你MAKER跑中间的空,尽量不要点边缘的孔。

8、晾胶时一定使其自然冷却,不要冷却的不均匀,会出现月牙型的图形

5. 匀胶机结构

光刻机(Mask Aligner) 又名:掩模对准曝光机,曝光系统,光刻系统等。常用的光刻机是掩膜对准光刻,所以叫 Mask Alignment System.

一般的光刻工艺要经历硅片表面清洗烘干、涂底、旋涂光刻胶、软烘、对准曝光、后烘、显影、硬烘、刻蚀等工序。

Photolithography(光刻) 意思是用光来制作一个图形(工艺);

在硅片表面匀胶,然后将掩模版上的图形转移光刻胶上的过程将器件或电路结构临时"复制"到硅片上的过程。

6. 台式匀胶机

一、表面处理

将待粘部位用砂纸,钢丝刷或有关公具进行打磨,对于铸件伤痕,裂缝较小时,因难以施胶,则可采取适当扩宽的方法,对太小麻坑,缩孔应适当扩孔并除去氧化层;对于有些目不可观而有微小渗漏情况,可采取整件处理并施胶的方法,以内涂为佳,(厚度小于1mm)对于处理后的粘接面可用工具将剩余垃圾吹干净,然后用汽油或挥发性有机溶剂(甲苯,丙酮)等清洗,待完全挥发干后施胶。

二、调胶

根据需量将A,B组份按规定的比例,取出放在干净的玻璃或硬滑纸上用棒调匀,越匀越好,若调胶不匀将影响粘接力或固化胶层变软,胶层不固化等现象。

三、涂胶

将调匀,注意用于填补缩孔,气孔时,防止孔内间隙及固化后收缩率,一般涂胶层应高于被粘物表面1-2mm,另外胶层不宜过厚或过薄,若涂层需较厚时采取一次或多次施胶,当等一次初固后,再涂第二层。粘接工件必须对定位置,防止粘接面错位或涂胶层外溢等现象。

四、活性使用期

混匀后的胶液必须在30分钟内用完,如超过使用期再使用将影响粘接效果。

五、为达到理想的面及尺寸,固化多余的胶层可精加工处理。

六、储存

使用完后将A,B盖紧,存放阴凉通风处,若A,B组份超过保质期仍未硬化,可继续使用,不影响粘接效果。