霍尔传感器的灵敏度(霍尔传感器的灵敏度是多少?)

海潮机械 2023-01-04 16:42 编辑:admin 224阅读

1. 霍尔传感器的灵敏度是多少?

霍尔元件灵敏度KH一般在0.1~0.5mV/(mA.G)。

霍尔元件的灵敏度与霍尔系数成正比,而与霍尔元件的厚度δ成反比,即KH=RH/δ,单位为mV/(mA.G),它通常可以表征霍尔常数。另外,如果是指大学物理里的霍尔实验那个灵敏度值,具体还得看实验用具。

实际的霍尔元件,通常分为开关型或线性型两种,开关型一般不标称灵敏度,而线性型通常电流I由内部电路决定。因此,灵敏度的定义发生了变化。

2. 霍尔传感器的灵敏度是多少,如何提高

霍尔传感器中的霍尔元件可能产生的误差会对其进行补偿措施,霍尔传感器测量好坏的最简单的方法就是观察工作中的发光二极管是否发光变化,大家也可以对霍尔传感器的主要特性参数进行适当的选择进行测量。

另外,霍尔传感器目前的测量方式主要包括有位移测量、力测量、角速度测量、电压、电流信号的测量、线速度测量这四种方式来进行测量,这四种测量方式目前为止差异不是很大,只要正确使用即可。

3. 霍尔传感器的灵敏度一般是多少

表示在单位磁感应强度和单位控制电流时的霍尔电势的大小。

UH=RH*IC*B/d(1),式中RH称为霍尔系数,它的单位是米的三次方每库仑。

霍尔元件应用的基本原理是霍尔效应。霍尔效应是一种磁敏效应,一般在半导体薄片的长度X方向上施加磁感应强度为B的磁场,则在宽度Y方向上会产生电动势UH,这种现象即称为霍尔效应。UH称为霍尔电势,其大小可表示为:

UH=RH*IC*B/d(1)

式中,RH称为霍尔系数,它的单位是米的三次方每库仑,由半导体材料的性质决定;d为半导体材料的厚度,IC 为电流,B为磁场强度

设RH/d=K,则式(1)可写为:

UH=K*IC*B (2)

可见,霍尔电压与控制电流及磁感应强度的乘积成正比,K称为乘积灵敏度。K值越大,灵敏度就越高;元件厚度越小,输出电压也越大。

在式(2)中,若控制电流IC,为常数,磁感应强度B与被测电流成反比,就可以做成霍尔电流传感器;另外,若仍固定IC为常数,B与被测电压成正比,又可制成霍尔电压传感器。

霍尔效应是磁电效应的一种,这一现象是美国物理学家霍尔(A.H.Hall,1855-1938)于1879年在研究金属的导电机构时发现的。

当电流垂直于外磁场通过导体时,在导体的垂直于磁场和电流方向的两个端面之间会出现电势差,这一现象便是霍尔效应。这个电势差也被叫做霍尔电势差。

4. 霍尔传感器的灵敏度是多少

你说的应该是线性霍尔的KH,市场上的产品一般是 一点几 毫伏/高斯 到 五 毫伏/高斯,如果你是大学物理里的霍尔实验那个值可能会到十以上,具体看实验用具

5. 霍尔元件的灵敏度等于霍尔位置传感器的灵敏度吗

霍尔系数的物理意义:表征霍尔常数,霍尔灵敏度的物理意义:表示霍尔效应的强弱。 霍尔灵敏度与霍尔系数成正比而与霍尔片的厚度δ成反比,它通常可以表征霍尔常数。 在磁场不太强时,霍尔电势差UH与激励电流I和磁感应强度B的乘积成正比,与霍尔片的厚度δ成反比,即 式中的RH称为霍尔系数,它表示霍尔效应的强弱。 另RH=μρ即霍尔常数等于霍尔片材料的电阻率ρ与电子迁移率μ的乘积。

6. 霍尔传感器的灵敏度是多少度

一般霍尔元件灵敏度是0.1~0.5mV/(mA.G)之间。早在1879年人们就在金属中发现了霍尔效应,1910年就有人用铋制成了霍尔元件,用以测量磁场。但由于这种效应在金属中十分微弱,当时并没有引起什么重视。

1948年后,由于半导体技术的迅速发展,人们找到了霍尔效应较为显著的半导体材料——锗(Ge),接着,在1958年前后,人们又对化合物半导体——锑化铟(InSb)、砷化铟(InAs)进行了大量的研究,并制成了较为满意的元件。

这时霍尔效应以及它所具有的广泛的应用才受到了人们普遍的重视。扩展资料:霍尔元件是应用霍尔效应的半导体。一般用于电机中测定转子转速,如录像机的磁鼓,电脑中的散热风扇等;是一种基于霍尔效应的磁传感器,已发展成一个品种多样的磁传感器产品族,并已得到广泛的应用。霍尔元件是一种基于霍尔效应的器件,它可以见到到磁场的变化,这个特性使得它应用广泛。

以滑盖手机为例,当手机盖侧的磁铁靠近手机侧的霍尔元件时,会产生霍尔电压,然后进行放大给手机的CUP处理,比如关闭屏幕等动作。

7. 霍尔传感器灵敏度与哪些因素有关

霍尔效应用公式表示为:E=KBIcosθ。E为霍尔效应电压,单位为伏特(V);I是霍尔器件的工作电流,单位为安培(A);B是外部磁场的磁感应强度,单位为特斯拉(T)θ为I与B的垂直角度的偏差,单位可以是角度(°)或弧度(rad)。K为霍尔器件的灵敏度,是常数;其单位为:V/(A.T)。一般开关型的霍尔灵敏度是指原件本身的磁开启和关闭点,表示的单位大多为两种,高斯(Gauss)与毫特斯拉(mT),10Gauss=1mT线性霍尔的灵敏度是指单位磁场变化时其输出电压的变化,一般用毫伏/高斯(mV/Gauss)或者毫伏/毫特斯拉(mV/mT)表示,换算参照开关型

8. 霍尔传感器的灵敏度与霍尔系数

√ 霍尔元件灵敏度他们之间的单位换算 - >>> 在磁场不太强时,霍尔电势差UH与激励电流I和磁感应强度B的乘积成正比,与霍尔片的厚度b成反比,即UH =RH*I*B/b,式中的RH称为霍尔系数.磁场作用于载流金属导体、半导体中的载流子时,产生横向电位差的物理现象.金属的霍尔效应是...

√ 一般来说霍尔元件灵敏度KH为多少 - >>> 从原理看:vh=khib kh称为灵敏度.单位为mv/(ma.g) 实际的霍尔元件,通常分为开关型或线性型两种,开关型一般不标称灵敏度.线性型通常电流i由内部电路决定.因此,灵敏度的定义发生了变化.vh=khb.单位变为mv/g 一般在1~5mv/g,假设供电电流为10ma,也可转变为:kh=0.1~0.5mv/(ma.g)